生长温度对In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点尺寸的影响

采用分子束外延(MBE)技术制备In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点,利用扫描隧道显微镜(STM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征分析.研究表明量子点密度随温度升高先增大后减小,其尺寸随温度的升高而增大.另外,量子点以S-K模式生长并受Ostwald熟化机制影响,其尺寸增大所需的能量来自应变能和温度提供的能量,高温条件下表面原子的解吸附作用会限制量子点的生长.     

单分散球状纳米金颗粒的合成*

综述了近年来单分散球状金纳米颗粒的合成研究进展。分析了球状单分散金纳米颗粒的应用前景,介绍了单分散球状金纳米颗粒的主要合成方法如种子生长、回流熟化、尺寸选择沉淀分级以及电泳法等,评述了各种方法的优缺点。最后提出了单分散球状金纳米颗粒合成的一些问题,并展望了单分散球状金纳米颗粒的研究和发展方向。     

利用Ostwald熟化作用合成空心碳纳米材料

以淀粉等易获得的生物质为碳前驱物, 亚铁盐为添加剂, 采用水热法制备了碳材料. 实验发现, 在反应过程中, 首先生成了被无定形碳包裹的铁氧化物纳米棒, 形成碳/铁氧化物的核/壳结构. 在进一步的反应中, 铁氧化物核自发溶解, 最终得到了空心的碳纳米棒. 讨论了铁氧化物自发溶解的原因, 认为空心碳纳米棒的形成是由Ostwald熟化现象造成的. 当以葡萄糖或环糊精为碳前驱物时, 得到的是空心碳球, 这可能与各种碳前驱物不同的表面活性剂作用有关.     

Hydrothermal Synthesis ofAgLnMo2O8（Ln=La, Nd, Eu） Hierarchical Structures： Growth Mechanism and Photoluminescence Property

<正>Uniform AgLnMo_2O_8(Ln=La,Nd,Eu) hierarchical architectures were firstly synthesized via a facile hydrothermal method.These three dimensional architectures were assembled from primary micro-rods and the average diameter was about 5μm.According to the time-depend experiments,a possible growth mechanism was proposed to be a self-assembling process followed by an Ostwald ripening step.The concentrations of precursor and pH value were also found to have great influences on the final morphologies of the products.In addition,the photoluminescence properties of the products were investigated.     

SAXS研究四臂聚氧化乙烯片晶的增厚

使用小角X光散射(SAXS)方法研究了每臂分子量为5000的四臂聚氧化乙烯在从熔点以上的温度淬火到室温后,在室温到熔点前的温度区域里片晶的增厚过程.采用一维相关函数分析方法分析了SAXS数据,获得了样品的长周期、线性结晶度、结晶层和无定形层厚度随温度的变化.按照这些参数在升温过程中的演变规律,确定了3个特征区域.Ⅰ区约在26~45℃内,存在着3种不同厚度的片晶,最厚的片晶层厚度为9.3 nm,线性结晶度、长周期、结晶层和无定形层厚度等参数基本不变,称为不变区.Ⅱ区约在45~52℃之间,这些参数都发生变化,SAXS的主峰分化为两个主要的峰,长周期、结晶层和无定形层厚度开始增加,但是,线性结晶度升高后又降低,称为转变区.Ⅲ区约在52~60℃之间,体系中只有单一厚度的片晶,其厚度不断增厚,到60℃结晶层厚度达15.8 nm,称为增厚区.从分子运动和片晶亚稳定本质分析,可以解释实验上观察到的3个区域发生变化的本质:在不变区里,主要的分子运动几乎被冻结,不可能发生可检测到的片晶结构变化.在转变区里,分子运动开始起作用,未结晶的分子开始结晶.同时,薄片晶会熔融,尔后又重新结晶.在增厚区里,线性结晶度和结晶层厚度增加,也意味着熔融-重结晶过程还在继续,直至达到这个样品可能形成的最厚片晶的熔点.实验观察到的熔融-重结晶过程的本质是聚合物片晶的亚稳态特性,稳定性低的薄片晶向稳定性高的厚片晶转变,即一个典型的奥斯瓦尔德熟化(Ostwald ripening).     

银薄层控制金纳米四足体的重塑和等离激元调谐

探究了溶液中不同温度以及不同溶液成分（I^-的引入）对金纳米四足体（GNTPs）重塑过程的影响,表明了GNTPs的重塑机制为Ostwald熟化,即弱结合的表面Au原子在高凸曲率区域溶解和在凹区域重新沉积。这种重塑过程可以随时通过镀银薄层在几秒内阻止,GNTPs的形貌可以在最大程度上得到很好的稳定,从而也可以防止其光学性质的演变。在此基础上,通过紫外可见近红外（UV-Vis-NIR）吸收光谱和基于同步辐射的小角X射线散射（SAXS）进一步研究了GNTPs/Ag的稳定性,并通过表面增强拉曼散射（SERS）光谱证实了GNTPs/Ag的光学响应。     

等温处理过程中杆状氟闪石晶体的长大

将氟云母晶体粉末与普通窗玻璃粉末混合烧结制备成氟闪石玻璃陶瓷,氟闪石晶体是通过氟云母和玻璃间的反应析出,而不是以分相、形核、长大的方式从母相玻璃中析出.用X射线衍射仪和扫描电镜测定了860 ℃等温过程中氟闪石晶体的析晶量、平均直径、直径分布和数量,对晶体长大规律进行了研究.结果表明,氟闪石晶体长大分两步进行.在第一阶段,氟闪石晶体析出和长大同时进行;在第二阶段,氟闪石晶体停止析出,晶体以大晶粒吞食小晶粒的方式长大,长大规律符合Ostwald熟化机制.     

二氧化硅气凝胶微球制备技术

 采用悬浊液成球技术制备低密度二氧化硅气凝胶微球，介绍了TEOS的水解、缩聚过程，主要论述了悬浊液成球技术、密度匹配技术、老化时间对微球性能，特别是收缩对微球密度的影响。实验制备了密度分别为70,100,150,200mg/cm³四种小球，结果表明：熟化时间取6d，制得的微球直径为0.1~2mm,密度为50~500mg/cm³,非球形参数为1.8%。     

液滴外延下生长参数对InAs纳米结构形貌的影响

利用液滴外延法在GaAs(001)衬底表面制备InAs量子点,通过控制变量分别研究沉积速率、沉积量对In液滴在GaAs表面生长过程中的影响.使用原子力显微镜(Atomic Force Microscope, AFM)表征InAs纳米结构形貌,得出结论：(1)沉积速率主要通过影响In液滴成核率来控制液滴的密度,即随着沉积速率的增大,In原子在衬底表面的成核率增加,InAs量子点密度增加,实验符合生长动力学经典成核理论.(2)沉积量的改变主要影响液滴的熟化过程,即随着沉积量的增大,可参与生长的活跃的In原子增加,促进了液滴熟化,使得扩散坍塌的原子数量增加,导致在InAs纳米结构中出现多量子点现象.     

SnO2纳米棒的生长过程、发光性能及光催化活性

在柠檬酸的调控下,采用水热法合成SnO_2纳米棒。利用高分辨透射电子显微镜、X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、Brunauer-Emmett-Teller氮吸附、紫外可见漫反射光谱和光致发光光谱研究了SnO_2样品在生长过程中的结构特征。结果表明,SnO_2纳米晶体的生长可进一步分为2个阶段:早期SnO_2纳米晶遵循定向附着模式生长,而后期采取Ostwald熟化模式沿[001]方向缓慢生长。SnO_2纳米粒子在不同阶段的光致发光性能和光催化活性显示:在晶体的生长过程中,这2种性能变化趋势几乎相似,即生长前期性能迅速增加,随后性能逐渐降低。