宏观放电参数对快原子态氮(N+,Nf)的影响

采用氮直流辉光放电等离子体中快电子和重粒子(N₂⁺,N⁺,N_f)混合的蒙特卡罗方法,模拟研究了快原子态粒子(N⁺,N_f)的产生率及轰击阴极的能量分布随宏观放电参数(P,V)的变化规律.结果表明,存在一最佳放电条件,使阴极壁处粒子(N⁺,N_f)的粒子数密度大且能量高;当电压大于800V时,轰击阴极的活性粒子(N⁺,N_f),主要由N₂⁺-N₂离解过程产生,电压小于300V时,主要由e^--N₂离解过程产生,模拟结果与实验结果相符合.     

锇胺分子氢配合物的研究进展

由于锇胺分子氢配合物中有特殊的键M(η2 H2 )和特殊的配体 分子氢的存在 ,故而具有丰富的取代化学和特殊的光谱性质。在无机化学、配位化学、生物、医药等方面都有极为广阔的应用前景。本文就此进行了简要的回顾与展望     

界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响

针对界面态密度在禁带中的不均匀分布，分析了界面态电荷对n沟6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响.分析结果显示，界面态电荷使n沟碳化硅器件的场效应迁移率明显降低.并给出了实验测定的场效应迁移率和反型层载流子迁移率的比值与界面态密度之间关系. 关键词： 碳化硅 界面态 反型层迁移率 场效应迁移率     

高电荷态离子40Arq+与Si表面作用中的电子发射产额

报道了在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源原子物理实验平台上，用高电荷态⁴⁰Ar^q+(1≤q≤12)离子作用于半导体Si固体表面时的电子发射产额实验测量.实验中，通过改变炮弹离子的电荷态和引出电压选取其不同的势能和动能，系统地研究了入射离子势能沉积和与其在固体中的电子能损对表面电子发射产额的贡献.结果表明，作为引起表面电子发射的两个主要因素，单离子的电子发射产额与炮弹离子在固体表面的势能沉积和电子能损都有近似的正比关系.     

碱土金属氟卤化物中的Eu3+的荧光光谱特征

本文系统研究了MFX体系中Eu³⁺荧光光谱特征,着重讨论了X^-,M²⁺及杂质缺陷(主要为O^2-)对Eu³⁺发光的影响.     

sine-Gordon模型与高斯波泛函方法

应用高斯波泛函方法,研究了sine-Gordon模型的基态、单粒子态和两粒子态。在Cole-man临界点附近,sine-Gordon系统趋于零质量玻色子系统,从而具有共形对称性。本文同时证明,当重整化质量有限时,在两粒子态中存在束缚态。 关键词：     

IBM内禀基带、单声子激发带和双声子激发带的转动惯量及能谱

首先给出IBM内禀基态、单声子激发态和双声子激发态,其中双声子态由单声子态的不同组合而成.哈密顿量取SU(3)极限加对相互作用;然后,利用推转理论对各带的转动惯量及能谱进行自洽推转计算,得出合理的解析表达式;最后,以168 68Er₁₀₀为例分析了结果的正确性.     

电子碰撞诱导原子从低激态向高激态弛豫

本文根据空心阴极放电中电子能量分布的物理图象,分析了原子从低激态向高激态弛豫的可能途径。建立高低激态集居数密度增量的关系。讨论高激态集居数密度增量获得可观量的条件。根据此条件分别选取钠原子的基态3s~2S_(1/2)和铜原子的亚稳态4s~2D_(3/2)为与激光共振的下能级,并激发具有较大自发发射几率的3s~2S_(1/2)→3p~2P°_(1/2)(和3p~2P°_(3/2))和4s~2D_(3/2)→4p~2P°_(1/2)跃迁,在远离上能级的高激态上观测到敏化荧光,并精确测得这些态的自发发射系数比值,而在更高激态上没有观测到敏化荧光,表明讨论中提出的条件是合理的。