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81.
配位聚合物框架材料具有高的比表面积、丰富的孔结构和金属配位中心,一直以来被视为能源领域的潜在电极材料。传统配位聚合物框架材料电导率低,因此,如何设计并合成具有一定导电性的配位聚合物框架材料,满足能源及其相关领域对于材料电学性质的要求,成为配位聚合物框架材料领域的研究热点方向之一。本综述介绍了近年来导电二维配位聚合物框架材料的设计思路及电导率测量方法,并对这类材料的制备及其在能源转化及存储方面的应用进行了总结。最后,对二维高导电配位聚合物今后的研究和发展方向进行了展望。 相似文献
82.
传统的沸石和分子筛微孔晶体材料是指以硅酸盐、硅铝酸盐、磷铝酸盐和无机金属磷酸盐为骨架的晶体材料。 相似文献
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84.
85.
用二维色谱技术测定聚合反应气体组成 总被引:1,自引:1,他引:1
介绍一种无阀切换的二维气相色谱分析方法。采用两根不同性质的色谱柱并联连接,样品分别经两根色谱柱分离后汇合在一起进入同一检测器。一次进样可同时测定H2、O2、N2及C1~C3的组分。 相似文献
86.
87.
为找到未来半导体晶体管合适的沟道材料,计算了14种MX_2(其中M=Mo,W,Sn,Hf,Zr和Pt,X=S,Se和Te)型二维半导体载流子有效质量、带隙以及电子和空穴迁移率。在计算过程中,为了快速对载流子迁移率进行估计,利用形变势的近似电声耦合矩阵元。计算时考虑长波光学声子和声学声子的散射,而在极化晶体中,考虑了极化散射。计算结果表面,WS_2,PtS_2以及PtSe_2具有最高的电子迁移率以及非零的带隙。其中,PtSe_2的电子在室温下的理论迁移率上限为4000 cm~2·V~(-1)·s~(-1),而W,Hf和Zr的二维化合物室温时的空穴迁移率较高,其中含W的化合物理论迁移率上限到2600 cm~2·V~(-1)·s~(-1)。该计算研究为实验合成高迁移率的二维材料提供指导,同时为实验获得高性能以二维材料作为沟道的场效应晶体管提供参考,加速二维材料的应用。 相似文献
88.
高效液相色谱法测定橡胶促进剂TBBS 总被引:3,自引:0,他引:3
采用反相高效液相色谱法(HPLC)测定了橡胶促进剂N-叔丁基-2-苯并噻唑次磺酰胺(TBBS)的纯度,标准偏差小于0.3。 相似文献
89.
Oneofthemostimportantaimsofphotochemistryisthedesignandconstructionofmoleculardevicesforener gyconversionandinformationprocessing .Thephotoactivemoleculardevicesarebasedonthephotoinducedelectrontransferbetweendonor acceptortypeorganiccompoundsandaccept… 相似文献
90.
关于平衡2NO_2=N_2O_4等温压缩引起的颜色变化问题吴国庆(北京师范大学化学系100875)中学课本里在讲解压力对气态化学平衡的影响时,以2NO_2=N_2O_4为例证.并且设计了一个针简实验。对这个实验的现象,教科书的描述如下:“…把注射器的... 相似文献