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151.
在组合系统运用Kalman滤波器技术时,准确的系统模型和可靠的观测数据是保证其性能的重要因素,否则将大大降低Kalman滤波器的估计精度,甚至导致滤波器发散.为解决上述Kalman应用中的实际问题,提出了一种新颖的基于进化人工神经网络技术的自适应Kalman滤波器.仿真试验表明该算法可以在系统模型不准确时、甚至外部观测数据短暂中断时,仍能保证Kalman滤波器的性能.  相似文献   
152.
(4)对离子交换分离-8-羟基喹啉重量法测钼的解说 在早年的ASTM标准方法中,α-安息香肟重量法及硫化钼沉淀重量法被采纳为钢铁及合金中高含量钼的测定方法。但从1988年以后的修订标准方法(即E351,E352,E353及E354)中对钼量w(Mo)>1.5%的试样均采用离子交换分离-8-羟基  相似文献   
153.
描述了一种双维位置灵敏CsI(Tl)探测器.用3组分α源测量该探测器得到的位置分辨为0.81mm(FWHM),对于69MeV/u 36Ar能量分辨为0.9%(FWHM).在RIBLL的ΔE-E粒子鉴别望远镜中常常作为E探测器.由于CsI(Tl)晶体对不同的粒子的能损-光输出的非线性,需要针对不同离子对CsI探测器作能量-光输出校正曲线.  相似文献   
154.
给出了Banach空间的一个增算子不动点定理,将这一定理应用到Banach空间的积分-微分方程,给出了一类积分-微分方程的连续可微最大解和连续可微最小解的存在性定理.  相似文献   
155.
在1.4—27K的温区内测量了纯度为99.9%的国产T_2铜的比热,得出了T_2铜的电子比热系数γ为0.68mJ·mol_(-1)·K_(-2),德拜温度θ_D为339.7K。与国外的比热数据比较,显然在纯度相同的条件下,比热数据是一致的,且可以互换。  相似文献   
156.
温度对PSⅡCP4 7/D1/D2/Cytb559复合物荧光光谱特性的影响   总被引:3,自引:3,他引:0  
采用激励光源为514.5 nm的分幅扫描单光子计数荧光光谱装置对经20℃、42℃和48℃不同温度处理后的反应中心复合物CP47/D1/D2/Cyt b559的荧光光谱特性进行了研究.经解析,获得不同温度处理后,CP47/D1/D2/Cyt b559复合物最大峰值未发生变化,均在682 nm,说明Chla670的能量都由Chla682接收,但损耗愈来愈小,在48℃时,损耗程度最小,而其荧光百分比未发生多大变化.振动副带~700 nm和~740 nm的中心波长都发生蓝移,在不同温度下分别为:20℃ 703 nm,749 nm;42℃ 697 nm,744 nm;48℃ 694 nm,740 nm.因此可以推测温度的升高,影响了CP47/D1/D2/Cyt b559色素蛋白的二级结构以及色素分子的空间位置,使最大峰值处的荧光强度逐渐降低,振动副带逐渐蓝移.42℃的温度已造成影响,48℃影响较大.  相似文献   
157.
从现有的PCDFs分子的正辛醇 /水分配系数 (logKow)实验数据出发 ,建立定量结构 性质关系方程(QSPR) .采用G98W程序包中的PM3方法对 13 5个多氯代二苯并呋喃 (PCDFs)分子和二苯并呋喃进行了优化计算 ,作业命令为 #pPM3optfreqscf(conver =9) ,以计算所得的分子轨道能量、碳原子电荷作为PCDFs分子结构描述符 ,运用多元线性回归技术建立了PCDFs的logKow与分子结构描述符的四元方程 ,最优相关系数为 0 .95 0 7,标准偏差为 0 .173 7,经检验该模型的稳健性好 ,并对未有实验数据的 85个PCDFs的logKow进行预测  相似文献   
158.
分析和计算了双结超导环在无偏置电流时的磁通、环流、自由能与外磁场的关系.发现双结环与单结环在磁场中的行为有所不同.当两个结的Ic相等时,双结环在1<β=2πLIcΦ0<2时,若无偏置电流,总磁通Φ、环流I与外磁通Φe的关系仍然是非回滞的曲线.仅当β≥2时,曲线才出现回滞.另外双结环有两支解,并且每支解的周期为2Φ0. 关键词: 双结环 双支解 2Φ0周期 回滞  相似文献   
159.
应用已建立的关于金属表面吸附层中表面应力的统计热力学理论 ,计算了Au(111)上烷烃硫醇SAMs的表面应力及其与烷烃硫醇链长、吸附覆盖度的定量关系 .计算结果与实验相符 ,较好地解释了Berger等人的实验结果 ,特别是解决了在表面应力符号性质上理论与实验的矛盾 .在表面吸附层应力的多种物理起源中 ,通过底物的分子间作用力有着决定性的贡献 ,揭示了分子的吸附能间接地起着重要作用 .这与阴离子化学吸附体系Cl-/Au(111)的有关研究结果相同 .  相似文献   
160.
现在国际上大装置纷纷发现破裂放电而导致电流突然中止造成装置遭受重大的危害,因为能量熄灭阶段存在强烈的热通量,而且在电流熄灭阶段中产生强烈的逃逸电子,使得第一壁材料可运行的时间大大缩减;同时在真空器壁上产生很强的电磁力。所以,必须在大装置上建立一种避免和软化能量衰竭与电流衰竭,并且控制预计的放电破裂或突然终止放电的措施。  相似文献   
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