全文获取类型
收费全文 | 840篇 |
免费 | 426篇 |
国内免费 | 77篇 |
专业分类
化学 | 342篇 |
晶体学 | 5篇 |
力学 | 33篇 |
综合类 | 23篇 |
数学 | 36篇 |
物理学 | 904篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 5篇 |
2022年 | 22篇 |
2021年 | 22篇 |
2020年 | 47篇 |
2019年 | 34篇 |
2018年 | 22篇 |
2017年 | 32篇 |
2016年 | 41篇 |
2015年 | 27篇 |
2014年 | 88篇 |
2013年 | 76篇 |
2012年 | 99篇 |
2011年 | 76篇 |
2010年 | 92篇 |
2009年 | 66篇 |
2008年 | 74篇 |
2007年 | 65篇 |
2006年 | 73篇 |
2005年 | 55篇 |
2004年 | 66篇 |
2003年 | 61篇 |
2002年 | 28篇 |
2001年 | 33篇 |
2000年 | 24篇 |
1999年 | 23篇 |
1998年 | 13篇 |
1997年 | 15篇 |
1996年 | 10篇 |
1995年 | 8篇 |
1994年 | 12篇 |
1993年 | 9篇 |
1992年 | 8篇 |
1991年 | 4篇 |
1990年 | 8篇 |
1989年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
排序方式: 共有1343条查询结果,搜索用时 15 毫秒
151.
152.
用传输矩阵法计算了两端对称缺陷复合光子晶体结构的光传输特性。计算结果表明:两端对称缺陷复合光子晶体[D(AB)mD]2结构中的禁带出现两个完全共振透射峰。通过控制入射光强来微调光子晶体材料的介电常数,使得完全共振透射峰移动,且介电常数变化越大,共振透射峰偏移越大,从而形成高效率的双通道光开关。当光子晶体为[D(AB)mD]N结构时,每个完全共振透射峰都分裂为N-1条,这样可通过调节N同时实现所需要通道数目的高效多通道光开关和多通道滤波器。 相似文献
153.
为了产生100~500 ps,200~500 kV,1~10 kA数量级的皮秒放电脉冲,建立了一个皮秒脉冲发生器理论模型,并提出利用增益系数极值法,确定其最大兼容工作点,相对于纳秒脉冲成形线,皮秒脉冲成形线实现了90%,70%,85%的归一化电压增益、能量增益和放电功率增益。为了最大限度地降低皮秒脉冲成形线的载压时间,提高系统的绝缘安全因子,利用华罗庚0.618优算法,设计了电压传输系数。在纳秒脉冲成形线与皮秒脉冲成形线阻抗比值等于1.63条件下,在4倍和6倍皮秒脉冲成形线时间之内,归一化电压增益、能量增益和放电功率增益就可以分别达到94%,72%,89%与99%,53%,97%。 相似文献
154.
155.
搭建了真空中脉冲电压下激光触发沿面闪络试验平台,在试验平台上进行常用开关绝缘介质尼龙、聚碳酸酯和Al2O3陶瓷的激光触发沿面闪络特性试验,探讨了真空中激光触发沿面闪络的机理。试验结果表明:聚碳酸酯试品的自闪络电压最高;在真空中脉冲电压下的激光触发沿面闪络试验中,随着激光能量密度的增大,3种材料的时延和抖动均减小;532 nm和1 064 nm波长激光触发的条件下,3种材料的抖动均在1 ns左右,聚碳酸酯抖动较小;532 nm波长激光触发的时延小于1 064 nm波长激光触发的时延。 相似文献
156.
157.
为研究使用不同形状光斑触发光导开关对光电导特性的影响,研制了12 mm间隙的半绝缘砷化镓光导开关,在不同的偏置电压下,使用波长为1 064 nm的不同能量的激光触发光导开关并进行了光电导测试。使用了不同形状的光斑(包括面状、线状和点状光斑)触发光导开关并进行了光电导特性的比较,讨论了触发光参数对光导开关特性的影响。对处于开关电极间不同位置的线状光斑触发特性进行了比较,结果显示,本征光电导和非本征光电导情况下光斑位置对光电流的影响正好相反。 相似文献
158.
159.
160.
Detailed model, analysis and design technique are presented for simulating a high-speed polymer Mach-Zehnder interferometer (MZI) electro-optic switch with push-pull dual driving electrodes and rib waveguides. The novel formulas of the time-domain response are derived. Thorough optimization and simulation for the designed device are performed. The total length of the basic function unit of the switch is about 5049 μm, the push-pull switching voltage is 2.23 V, the switching time is 18.1 ps, and the insertion loss and crosstalk are less than 2.64 and −30 dB, respectively, within the range of the operation wavelength from 1534 to 1566 nm. These results are in good agreement with those obtained from the beam propagation method (BPM). 相似文献