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81.
陈莎莎  张建忠  杨玲珍  梁君生  王云才 《物理学报》2011,60(1):10501-010501
利用光反馈半导体激光器产生的混沌激光作为随机数发生器的物理熵源,通过8位 ADC将熵源信息转化为二进制码,并经后续差分运算处理改善其随机性,最终获得了1 Gbit/s的随机数.所产生的随机数通过了NIST Special Publication 800-22的全部测试项. 关键词: 混沌激光 随机数发生器 半导体激光器 模数转换  相似文献   
82.
High-quality p-type boron-doped IIb diamond large single crystals are successfully synthesized by the temperature gradient method in a china-type cubic anvil high-pressure apparatus at about 5.5 GPa and 1600 K.The morphologies and surface textures of the synthetic diamond crystals with different boron additive quantities are characterized by using an optical microscope and a scanning electron microscope respectively.The impurities of nitrogen and boron in diamonds are detected by micro Fourier transform infrared technique.The electrical properties including resistivities,Hall coefficients,Hall mobilities and carrier densities of the synthesized samples are measured by a four-point probe and the Hall effect method.The results show that large p-type boron-doped diamond single crystals with few nitrogen impurities have been synthesized.With the increase of quantity of additive boron,some high-index crystal faces such as {113} gradually disappear,and some stripes and triangle pits occur on the crystal surface.This work is helpful for the further research and application of boron-doped semiconductor diamond.  相似文献   
83.
We use experimental results of direct current and low signal impedance spectroscopy to investigate the conduction mechanism in organic semiconductor ZnPc. The experimental results demonstrate an increase in current and holes mobility by the introduction of a thin MoO3 film at the ITO/ZnPc interface. This significantly improves the device performance. The improvement is explained in terms of the reduction in the effective barrier for charge transfer from ZnPc to ITO.  相似文献   
84.
陈晓航  康俊勇 《发光学报》2006,27(5):761-765
采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,MgxZn1-xO的结构随组分x的增大,发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离。另一方面,禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致。进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明,Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子。随着组分x的增加,p态电子在价带顶附近的密度明显提高,说明sp轨道杂化不但对晶体的几何结构产生影响,而且对其电子结构也起重要作用。  相似文献   
85.
1 Introduction  IntheWDMnetwork ,thedesirablefeaturesofanall opticalwavelengthconverterincludepolarizationinsensitivity ,transparencetomodulationformatandbit rate ,fulltunability ,acceptableoutputSNRovertheentirerangeofthewavelengthsusedinthenetwork[1] .Wave…  相似文献   
86.
王浩  杨恢东  丁瑞钦 《光学学报》2000,20(6):47-851
采用射频磁控共溅射与高真空退火相结合的方法,分别在单晶硅片和光学石英玻璃片上制备了GaAs/SiO2纳米晶镶嵌薄膜样品。激光拉曼光谱的测量结果表明,退火态样品(400℃,60min)的拉曼光谱特征峰呈现宽化和红移,红移量为9.5cm^-1,对应薄膜中GaAs纳米晶粒平均粒径约为3nm。样品的室浊吸收光谱测量结果表明,由于受量子限域效应的主导作用,与GaAs块状单晶相比,样品光学吸收边呈现出明显的蓝  相似文献   
87.
研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在14MeV中子辐照下的性能.测量了探测器经过1012n/cm2中子辐照剂量后的反向漏电流、电荷收集效率和最小电离粒子能谱,并且与60Co 1.25MeV光子辐照的测量结果相比较.对中子辐照引起探测器时间性能变化和辐照损伤机制进行了探讨.并根据实验结果提出了这种双金属接触GaAs探测器灵敏层分布的一种假设,理论计算和实验数据相符合.  相似文献   
88.
罗薇  蔡强 《光散射学报》1999,11(4):351-354
无机介孔材料MCM41是高有序,直孔道介孔分子筛,具有孔径约4nm的一维均匀孔道,孔壁厚约1nm,介孔体积可达40%,是一种很理想的组装材料主体。半导体碲位于第Ⅵ族,其六方相的晶格排列呈螺旋链状结构。本文采用固相合成反应方法,将单质半导体碲成功地组装在MCM41介孔分子筛中。在组装体中,单质半导体碲保持着六方相的晶体结构,其拉曼晶体振动表现出纳米晶体的结构特征。真空热处理实验表明,组装体具有良好的热稳定性。Te的六方相和所具有的独特的螺旋链状结构使Te分子很容易进入MCM41的直孔道内,同时MCM41均匀而规则的直孔道限制了Te螺旋链的随机排列,因而被组装在直孔道内的Te能螺旋链式生长,形成一维半导体纳米晶体,排列均匀,尺寸单一,具有稳定的空间构型  相似文献   
89.
论述用于把窗口尺寸为0-1285m m ×3 .2390 m m 的半导体激光器发出44°×13°的发散光束压缩成在±0-0025rad 内出射光的柱面镜系统。该系统的核心是用两组互相垂直、且共轭距相等的双曲柱面镜,把激光器的条形窗口的像变粗变短;然后,再用透镜组把此像“准直”到“无限远”  相似文献   
90.
In this paper we present a method to solve Maxwell's equations that enables to compute waveguide structure containing a semiconductor triangular prism. The numerical study has showed that the triangular prism in the waveguide has a wider frequency band in comparison with a square rod under equal conditions. The reflection coefficient dependencies on frequency, prism size and its permittivity have been computed. The algorithm and computer programme have been tested and compared with the numerical results and experimental data of the paper [1] with good agreement.  相似文献   
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