MNI—1U中性注入器高压长脉冲稳定电源研制

本文介绍一种为MNI-1U中性注入器研制的大功率长脉冲高压稳定电源。电路的技术指标为:输出脉冲电压50kV,脉冲电流30A,脉冲宽度50ms,上升下降时间小于25μs,平顶稳定度优于0.5％,调整响应时间30μs。当作直流高压稳压和稳流电源使用时,输出电压1-80kV,电流0.5—5A,电压或电流的稳定度可优于0.1％     

Corkscrew振荡引起的发射度增长

 用解析方法来确定由二种因素引起的Corkscrew振荡所造成的归一发射度增长的表达式。这二种因素是电子束的非理想注入以及聚焦磁场相对于系统轴的随机偏斜。     

注入离子在无定形固体靶中投影射程分布的统计特性

用基于两体碰撞近似的动态蒙特-卡罗模拟方法和Boltzmann输运方程近似解法,研究注入离子在无定形固体靶中投影射程分布的统计特性.讨论注入物理参数对表征射程统计分布的平均投影射程、分布的标准偏差、偏度和峰度等的影响.计算结果与有关实验数据比较符合得较好. 关键词：     

Libera BPM在BEPCⅡ调束中的应用

软件无线电技术的发展,不仅带来了现代通信领域的技术革命,同样在加速器束测领域中也带来了技术的革新.基于软件无线电技术和数字接收机架构的数字BPM首先在瑞士光源得到了成功的应用,斯洛文尼亚的Instrumentation Tchnologies公司把该项技术进行了市场化并进行了不断改进,形成了现在的Libera系列产品.它集模拟信号采集、模数转换、数字信号处理以及外同步于一体,是一个真正all-in-one的宽带测量系统.它可以完成束流位置的First Turn、Turn by Turn和COD等测量工作.在BEPCⅡ的初期调束中,在电子环和正电子环的束流闭环、储存和积累、故障查处以及同步环的注入残余振荡测量方面,Libera BPM发挥了出色的作用,加快了调束进程.     

形成半导体量子线结构的质子注入方法研究

用20keV的质子(H~+)注入到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱,经快速退火,促使势垒上的Al向量子阱内扩散,尝试制备了线宽从0.5μm到0.1μm的量子线结构.由低温(14K)下阴极射线发光谱测量,观察到量子线中发光谱峰的蓝移,并通过与理论计算比较,讨论注入区内外Al的内扩散及掩膜区边缘横向离散的影响. 关键词：     

H^＋注入锗酸铋晶体表面层的性质

Ｈ＾＋注入锗酸铋（Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２或ＢＧＯ）晶体引起某些效应，如辐射损伤，光学吸收和近表层区域的晶体分解。经Ｈ＾＋注入后，ＢＧＯ晶体的颜色变成棕色，但实验中证实不了该变化是由色心的产生所引起。此外，实验中也示观察到Ｈ＾＋注入ＢＧＯ晶体中有离子束诱发的光学活性变化。可见在注入过程中，未发生从Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２转变到Ｂｉ１２ＧｅＯ２０的结构相变，由此预见，注入过程中可能发生离子束引起的晶体分解。Ｈ＾     

FEL用注入器研制

注入器设计过程中主要关注的指标有微脉冲束流强度、电子能量、电子束能散度、反轰功率和发射度等。为了满足自由电子激光研究的需要，要求峰值流强大于5A。由于热阴极微波电子枪存在电子反轰，束流负载效应将引起能散度的增加，因此为了降低能散度，要求尽量降低反轰。利用Suoerfish程序进行了腔形优化设计，分析了加速腔内的电场分布，计算了腔壁的损耗。利用Parmela程序进行了束流动力学计算。为了提高首腔的电子俘获系数，减小电子反轰，设计过场中采用了缩短首腔长度，