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ABSTRACTThe connected home is a critical part of the network—but one that has seen little in the way of true investment in recent years. With customer loyalty and churn directly linked to quality of experience, this is a part of the network that no players in the supply chain can afford to ignore any longer. Beyond broadband experience, the addition of smart technology to the connected home also represents one of the biggest revenue growth areas in the consumer telecoms market for some time. From both a churn-reduction and a revenue-growth perspective, investment in the connected home network must accelerate. This article outlines the key trends identified by Ovum in the connected home space for 2016 and beyond. 相似文献
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19F-NMR技术由于其化学位移范围大、不易出现峰重叠及灵敏度高等优点,自上个世纪50年代出现以来,在分析光学异构体,生命科学等研究中有其特殊意义.在体内核磁共振技术中,19F-NMR与其他方法相比,在不损伤样品的条件下,就可进行实时定量监测.近30年,引人氟代指示剂进行体内19F-NMR的研究,含氟生物活性物质以及含氟材料的研究受到很大的重视,19F-NMR技术及其应用发展起来.从近10年的情况来看,含氟生物活性物质的研究以及在医药、农药和具有优异性能的含氟材料的研究应用受到很大的重视,这是近期19F-NMR研究发展的一个主要特点. 相似文献
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Improved crystal quality of GaN film with the in-plane lattice-matched Ino.17Alo.s3N interlayer grown on sapphire substrate using pulsed metal-organic chemical vapor deposition 下载免费PDF全文
We report on an improvement in the crystal quality of GaN film with an Ino.17Alo.83N interlayer grown by pulsed metal-organic chemical vapor deposition, which is in-plane lattice-matched to GaN films. The indium composition of about 17% and the reductions of both screw and edge threading dislocations (TDs) in GaN film with the InA1N interlayer are estimated by high resolution X-ray diffraction. Transmission electron microscopy (TEM) measurements are employed to understand the mechanism of reduction in TD density. Raman and photoluminescence measurements indicate that the InA1N interlayer can improve the crystal quality of GaN film, and verify that there is no additional residual stress induced into the GaN film with InA1N interlayer. Atomic force microscopy measurement shows that the InA1N interlayer brings in a smooth surface morphology of GaN film. All the results show that the insertion of the InA1N interlayer is a convenient method to achieve excellent crystal quality in GaN epitaxy. 相似文献
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300~1100nm多波段成像光学系统设计及杂光分析 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一套300~1100nm多波段光学系统,该系统能对目标的近紫外、可见光和近红外3个波段同时成像,可满足目标多波段信息探测的要求。由于在光学系统中镜筒内壁反射和棱镜表面反射会产生杂光和鬼像,因此,利用Light—Tools软件对此系统的杂光和鬼像进行了模拟分析。模拟结果表明,视场之外11.7—18.3°和-11.7~-18.3°的入射光线被胶合棱镜上下表面反射后,会聚焦到3个探测器靶面范围内,形成鬼像;6.2°-9.8°和一6.2°--9.8°的入射光线被镜筒反射后会在3个探测器上形成杂光。利用设计的多波段光学系统进行了相关实验,结果证明了模拟分析的正确性,表明此分析能用于指导多波段光学系统的设计和研制。提出了减少杂光和鬼像的相应措施,实验结果验证了提出的措施能够减少杂光及消除鬼像,提高系统成像质量。 相似文献
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对二极管泵浦NdYAG板条双通放大器进行了理论设计和数值计算.在注入能量1 mJ,小信号增益为0.23 cm-1时理论计算结果为双通放大器输出能量为229.8 mJ.实验在10 Hz时获得单脉冲输出能量216 mJ;400 Hz时获得单脉冲输出能量203.4 mJ,光束质量因子小于5,激光脉宽为16.9 ns.实验结果与理论计算基本吻合.用相位共轭镜取代0°全反镜,超高斯镜取代振荡级输出镜,并采用镜面均匀的光学器件可以改善光束质量及光斑均匀性. 相似文献
28.
不同驱动力下瓦斯水合物生长过程Raman光谱特征 总被引:1,自引:0,他引:1
基于煤矿瓦斯(CH4∶C2H6∶N2=67.5∶22.5∶10)水合物相平衡曲线开展四种驱动力ΔP水合动力学实验,利用可见显微Raman光谱仪获取水合物生长过程光谱图,根据水合物相中C2H6 C-C键伸缩振动特征峰Raman位移确定了4组实验中水合物为sⅡ结构。基于van der Waals与Platteeuw模型获取瓦斯水合物生成过程中水合物相气体组分及水合指数变化规律。研究表明: 驱动力的大小影响水合物的稳定性,随着驱动力的增加,CH4相比C2H6逐渐占据更多的孔穴结构,CH4在水合物相内比例增加,水合物稳定性越强;瓦斯中N2,CH4和C2H6进入水合物孔穴优先级可以通过分子与水合物孔穴的直径比进行确定,分析认为在sⅡ水合物结构中小孔穴CH4优先级最高,大孔穴C2H6最高;基于瓦斯水合物稳定性,对水合物生长过程客体分子的物质传递规律进行描述,为瓦斯水合物的微观生长提供理论基础。 相似文献
29.
30.
提出一种基于偏振光谱二向反射分布函数图像的物质自动分类方法,该方法主要选择偏振光谱二向反射分布函数信息作为新的特征用于物质自动分类.采用支撑向量机的分类方法对不同的天气条件(晴天、多云、阴天)下处于杂乱的自然草地背景环境中的典型目标进行分类,最后比较三种不同特征选择对于分类准确度的影响.采取三种不同的特征选取方法,分别为采用单一的光谱特征、偏振光谱特征及偏振光谱二向反射分布函数特征.最后通过实验得出:将偏振光谱二向反射分布函数作为分类特征在三种不同的天气情况下,分类准确度都较高,特别是在阴天天气条件下,分类准确度明显高于其它两种特征选择.即使是在阴天低照度下的场景中,当不同目标和背景之间的灰度很接近时,采用本文方法也能准确的进行自动分类.
关键词: 相似文献
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