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采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法,求解MESFET小信号等效电路模型,并彩相对误差来构建目标函数。以FET在零偏置状态的非本征元件值作为初值,通过优化求得了热FET状态的本征元件值,S参数的计算值与实验值吻合得很好,S11的相对误差为0.09%,S12为1.1%,S21为0.08%,S22为 2.26%。该方法收敛快,精度高并且效率高,便于移植到微波器件CAD设计和模拟软件中。 相似文献
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本文报道了用可变入射角椭圆偏振仪(Variable angle incidence Spectroscopic Ellipsometer)测量Alq3,NPB,CuPc,Rubrene薄膜的光学常数,我们采用真空蒸镀法在硅衬底上分别制备了以上四种薄膜,然后我们用可变入射角椭圆偏振仪对四种薄膜进行了测量,测量在大气中进行,光谱范围从200到1000nm(或1.24到5cV),测量角度为65℃、70℃、75℃、80℃,接着,用Wvase32软件对四种薄膜的光学常数随波长(光子能量)的变化函数进行拟合,通过拟合我们得到了真空蒸镀的Alq3,NPB,CuPc,薄膜的光学常数随波长的变化函数及曲线,并且从材料吸收谱的吸收边,我们还得到了这些材料的光学禁带宽度。 相似文献
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采用退火质子交换工艺在铌酸锂衬底上实现了渐变边界MMI光功分器。测量表明该器件有较好的光均分功能。利用红外光谱技术分析了利用纯苯甲酸质子交换源的退火质子交换波导的红外吸收光谱特性证明通过当地选择质子交换温度、时间和退火的温度与时间,可以实现低损耗质子交换光波导的制作。 相似文献
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Doping in the Mixed Layer to Achieve High Brightness and Efficiency Organic Light Emitting Devices 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Doping in the mixed layer was introduced to fabricate high brightness and high efficiency organic light emitting devices.In these devices,a copper phthalocyanine(CuPc) film acts as the buffer layer,a naphthylphenybiphenyl amine (NPB) film as the hole transport layer and a tris(8-hydroxyquinolinolate) aluminium (Alq3) film as the electron transport layer.The luminescent layer consists of the mixture of NPB,Alq3( to be called the mixed layer),and an emitting dopant 5,6,11,12-petraphenylnaphthacene (rubrene),where the concentration of NPB declined and the concentration of Alq3 was increased gradually in the deposition process.Adopting this doping mixed layer,the device exhibits the maximum emission of 49300cd/m^2 at 35V and the maximum efficiency of 7.96cd/A at 10.5V,which have been improved by two times in comparison with conventional doped devices.We attribute this improvement to the effective confinement of carriers in the mixed layer,which leads to the increase of the recombination efficiency of carriers. 相似文献
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A Compact Vircator with Feedback Annulus Operated in Quasi—Single TM01 Mode Within the C Band 总被引:9,自引:0,他引:9 下载免费PDF全文
An axially extracted virtual cathode oscillator(vircator)with a feedback annulus is proposed and configured through particle-in-cell simulation.This compact device needs no guiding magnetic field.Its experimentally radiated microwave is measured to be of quasi-single TM01 mode with a frequency range of 4.41-4.69GHz and a power level of above 300MW,when the diode voltage ranges between 400-480kV and the beam current 20-25kA;this confirms the simulation results. 相似文献
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