分子整流器

分子尺寸器件是推动分子电子学发展的主力军。本文综述了分子整流器的工作原理，模型分子的设计，研究现状，存在的主要问题和今后的发展方向。     

稀土纳米薄膜摩擦学性能研究

用自组装方法可以在单晶硅表面获得稀土纳米薄膜，得到的薄膜通过XPS，偏振光椭圆率测量仪、角接触仪、AFM等手段表征。通过滑动摩擦实验，可以测试稀土薄膜的界面粘附力。通过DF-PM型复复摩擦磨损试验机，考察稀土纳米薄膜的摩擦磨损特性。实验结果表明，稀土纳米薄膜具有低摩擦系数和高抗磨损特性。稀土纳米薄膜具有纳米级尺度、强界面结合力和低表面能，使其成为MEMS装置固体润滑的理想选择。     

卟啉超分子化合物在分子器件中的应用

分子电子器件已成为近年来的一个研究热点，卟啉类化合物因为光敏性好、性能稳定、易于修饰等优点成为分子器件研究的理想模型化合物。本文着重介绍了它在分子器件中的最新应用进展。     

用于非接触温度测量的装置

本发明涉及用于非接触温度测量装置，它包括一个探测器，从被测物体上的一个受测点辐射的电磁辐射可以利用成像光学器件成象于其上。它还具有一个瞄准装置，用来识别被测物体上的受测点的位置和／或尺寸，该瞄准装置包含用来提供至少两个瞄准光束的光源，其中，在一个经济和可靠的实施例中，为各瞄准光束的生成提供一个独立的光源。     

新型以咔唑为主链的能量转移型发光聚合物

用Suzuki偶合反应合成了一系列以咔唑为主链，与不同的芳香环和杂环化合物 共聚的新型电致发光无规共聚物．这些共聚物溶于普通的有机溶剂，发较强的荧光 ．咔唑链段为共聚物提供了很好的空穴传输和空穴注入性能．与咔唑共聚的窄能隙 单体，如蒽(ANT)、噻吩(Th)、2，1，3-苯并噻二唑(BTDZ)、2，1，3—苯并硒二唑 (BseDZ)和4，7—二噻吩—2，1，3—苯并噻二唑(DBT)在聚合物中含量小于50％时 成为陷阱中心．还观察到极为有效的分子内能量转移．由于共聚单体的能隙不同， 这些电致发光共聚物的发光范围可覆盖整个可见光谱区．研究结果表明，用咔唑作 为宽带主体，与少量低带隙单体共聚，有可能成为一种合成同时兼有优异空穴注入 特性，又能广泛调节发光颜色的新的发光聚合物体系．     

电极材料对NPB/Alq3有机电致发光器件性能的影响

采用不同材料作为有机电致发光器件(OELDs)的电极, 制备了基本结构为[阳极/NPB(40 nm)]/Alq3(50 nm)/阴极]的异质结双层器件, 并通过改变OELDs器件的阴极或阳极来研究电极材料对器件光电性能的影响. 研究结果表明, 各器件电流-电压(I-V)关系的基本特征与陷阱电荷限制电流(TCLC)机制的拟合情况相符. 由于有机材料本身能级的无序性以及载流子迁移率对温度和电场的依赖性, 不同电极的载流子注入能力与其功函数并无直接关系. 双层器件中由于空穴传输层的引入, 使得载流子复合区域位于有机层异质结界面处, 降低了金属阴极对激子的猝灭作用, 从而大大提高了器件性能. 此外, 金属电极OLEDs器件结构具有的微腔效应会导致发射光谱的位移和谱峰宽度变窄, 这表明通过对金属电极的表面改性和优化可使器件性能超过常规结构的器件.     

偶氮苯光致异构化对紫精-曙洪络合的调控

报导了α，ω－偶氮苯，紫精双发色团化合物的合成与性质研究，结果表明偶氮苯的光致顺反异构化以可调控与之相连的紫精与曙红络合行为，其作用程度的强弱与连接两者的亚甲基链的长度有关，借助ＨＮＭＲ通过对构象进行分析解释了上述的研究结果。     

分子电子学的新进展

分子尺度电子学通过构筑基于微尺度电极和单个分子或者少量分子聚集体的"电极-分子-电极"结，研究跨越分子的电荷输运性质.它将分子本征化学特性与器件构筑相结合，考察分子的理化特性与电荷输运的构效关系，揭示微尺度的量子输运动力学原理，并探索基于分子的功能电子器件.是一个集化学、物理学与微电子学为一体的交叉学科.总结整理了分子电子学近些年在器件制备、输运机理及应用方面部分有代表性的进展.     

Improved device reliability in organic light emitting devices by controlling the etching of indium zinc oxide anode

A controllable etching process for indium zinc oxide （IZO） films was developed by using a weak etchant of oxalic acid with a slow etching ratio. With controllable etching time and temperature, a patterned IZO electrode with smoothed surface morphology and slope edge was achieved. For the practical application in organic light emitting devices （OLEDs）, a sup- pression of the leak current in the current-voltage characteristics of OLEDs was observed. It resulted in a 1.6 times longer half lifetime in the IZO-based OLEDs compared to that using an indium tin oxide （ITO） anode etched by a conventional strong etchant of aqua regia.     

Material growth and device fabrication of terahertz quantum-cascade laser based on bound-to-continuum structure

The terahertz quantum-cascade laser （THz QCL） based on bound-to-continuum structure is demonstrated. The X-ray diffraction measurement of the material shows a high crystalline quality of the active region. A THz QCL device was fabricated with semi-insulating surface-plasmon waveguide. The test device is lasing at about 3 THz and operating up to 60 K. It shows a single frequency property under different drive currents and temperatures. At 9 K, the maximum output power is greater than 2 mW with a threshold current density of 159 A/cm2.