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81.
In this article, accurate analytic expressions of the surface charge density/surface potential and adsorption excesses for cylindrical reverse micelle in a solution of symmetric electrolyte are derived from the nonlinear cylindrical Poisson–Boltzmann equation. These expressions are in good agreement with numerical values and Van Aken's results for cylindrical reverse micelle with high surface potentials and large κa. 相似文献
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开展了铝单丝在负极性电流脉冲作用下电爆炸特性的研究.利用皮秒激光探针,搭建了阴影、纹影和干涉的光学诊断平台,得到了不镀膜铝丝典型的能量沉积过程,在电压崩溃时刻其沉积能量为2.4 eV/atom.为了增加金属丝内的沉积能量,开展了相同电参数及金属丝尺寸下的镀膜铝丝电爆炸实验,其沉积能量可达到5 eV/atom,实现了在电压崩溃之前铝丝完全气化(完全气化所需能量为4 eV/atom).阴影图像展示了高密度丝核区域的膨胀过程,不镀膜铝丝平均膨胀速度为2.2 km/s,而镀膜铝丝因为沉积能量大,其膨胀速度约为不镀膜铝丝的2.3倍,高密度区域膨胀速度为5 km/s.由于阴影不能反映低密度等离子体的膨胀,开展了平行双丝实验,通过测量自发光辐射,估算了低密度等离子体的膨胀速度.利用条纹相机拍摄了不镀膜铝丝电爆炸过程中自发光区域的图像.纹影图像清晰地展示了不镀膜铝丝在电爆炸过程中形成的核冕结构,而镀膜铝丝电爆炸过程中核冕结构得到了一定程度的抑制.从干涉图像计算了相移,在轴对称假设下对相移进行阿贝尔逆变换,重构了三维的铝原子数密度分布. 相似文献
84.
王月 《原子与分子物理学报》2015,32(6)
应用在位电阻率测量方法研究高压下锐钛矿TiO2的电学性质. 通过研究电阻率随压力变化的异常变化点, 观察到了TiO2从锐钛矿-柯铁矿-斜锆石的相变. 卸压后,电阻率和初始值相差2个数量级, 说明该相变为不可逆相变. 结合第一性原理计算结果表明, 柯铁矿结构更小的带隙是导致TiO2电阻率减小的根本原因. 相似文献
85.
Luke Gordon Joel B. Varley John L. Lyons Anderson Janotti Chris G. Van de Walle 《固体物理学:研究快报》2015,9(8):462-465
Achieving high levels of n‐type conductivity in AlN and high Al‐content nitride alloys is a long standing problem; significant decreases in conductivity are observed as the Al content is increased, a phenomenon that has been attributed to donors such as oxygen or silicon forming DX centers. We address this problem through a comprehensive first‐principles hybrid density functional study of potential n‐type dopants, identifying SN and SeN as two elements which are potential shallow donors because they do not undergo a DX transition. In particular, SN is highly promising as an n‐type dopant because it also has a low formation energy and hence a high solubility. (© 2015 WILEY‐VCH Verlag GmbH &Co. KGaA, Weinheim) 相似文献
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87.
Jianming Lai Jijun Zhang Linjun Wang Jiahua Min Wenqi Wu Min Shen Wei Liang 《Crystal Research and Technology》2015,50(11):817-822
In this paper, the CdMnTe crystals were grown by the Travelling Heater Method (THM) and the Vertical Bridgman (VB) method, respectively. The crystal properties, including the Mn axial distribution, impurity concentrations, resistivity, Hall effects and energy response spectra, were characterized and compared. The results shown that the CdMnTe crystal grown by the THM had more uniform Mn distribution and lower impurity concentrations compared to the crystal grown by VB method. The resistivity of CdMnTe grown by THM was (1.5 ∼ 8) × 1010 Ω.cm, while the resistivity of CdMnTe grown by VB was 107∼108 Ω.cm. The In dopant distributed uniformly throughout the crystal ingot grown by THM with the doping concentration of 0.6–0.7 ppm, while the In dopant concentration throughout the crystal grown by VB method is in the range of 1.31–2.4 ppm. Hall measurements revealed that the conductivity of the THM grown crystal was weak n‐type conductivity and the VB grown crystal was p‐type conductivity. A planar CdMnTe detector from the THM grown crystal showed a resolution of 8% of the 241Am radiation at 59.5 keV peak, however, no energy response was revealed with the CdMnTe detector by the VB method. The results demonstrate that CdMnTe crystal grown by THM have better crystal quality and detector properties compared to that by VB method. 相似文献
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