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131.
Pulsed laser deposition with a Nd:YAG laser was used to grow thin films from a pre-synthesized Ti3SiC2 MAX-phase formulated ablation target on oxidized Si(1 0 0) and MgO(1 0 0) substrates. The depositions were carried out in a substrate temperature range from 300 to 900 K, and the pressure in the deposition chamber ranged from vacuum (10−5 Pa) to 0.05 Pa Argon background pressure. The properties of the films have been investigated by Rutherford backscattering spectrometry for film thickness and stoichiometric composition and X-ray diffraction for the crystallinity of the films. The silicon content of the films varied with the energy density of the laser beam. To suppress especially the silicon re-sputtering from the substrate, the energy of the incoming particles must be below a threshold of 20 eV. Therefore, the energy density of the laser beam must not be too high. At constant deposition energy density the film thickness depends strongly on the background pressure. The X-ray diffraction measurements show patterns that are typical of amorphous films, i.e. no Ti3SiC2 related reflections were found. Only a very weak TiC(2 0 0) reflection was seen, indicating the presence of a small amount of crystalline TiC.  相似文献   
132.
The ultra-short laser metal ablation is a very complex process, the complete simulation of which requires applications of complicated hydrodynamics or molecular dynamics models, which, however, are often time-consuming and difficult to apply. For many practical applications, where the laser ablation depth is the main concern, a simplified model that is easy to apply but at the same time can also provide reasonably accurate predictions of ablation depth is very desirable. Such a model has been developed and presented in this paper, which has been found to be applicable for laser pulse duration up to 10 ps based on comparisons of model predictions with experimental measurements.  相似文献   
133.
自由电子激光振荡器的二维数值模拟   总被引:2,自引:2,他引:0  
在柱二维坐标系中,用数值计算方法求解了摇摆器内电子模拟方程组、光场方程组和无源区(不含摇摆器区)经非自适应方法变换后的无源旁轴波动方程并设计了相应的程序R_2D。用该程序计算的数值结果表明,在有源条件下二维数值模拟结果与高斯光束近似下的数值模拟结果符合较好;取完全相同的计算条件R-2D程序与洛斯阿拉莫斯实验室(LANL)的FELEX程序的计算结果符合较好;初步认为LANL实验数据的物理图象合理,数值结果基本可信;最后给出北京自由电子激光器(BFEL)的一些物理数据。  相似文献   
134.
江毅  陈伟民 《发光学报》1997,18(1):46-50
本文采用了一种简单的功率监测法,观察了KrF准分子激光对掺锗光纤折射率影响的非线性过程。观察到子纤芯折射率扰动过程中非稳定现象、饱和现象和折射率扰动的非线性。  相似文献   
135.
类锂硅离子软X射线激光研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
范文慧  袁萍 《光学学报》1995,15(2):61-165
在激光等离子体典型参数条件下,利用碰撞-辐模型计算了类锂硅离子5f-3d和4f-3d跃的粒子数反转比率和激光增益系数。讨论了不同热带条件和不同冷却速度下,激光增益系统数的变化。计算结果表明,高功率,短脉冲激光生产的高温等离子体在快速冷却条件下能产生软X射的线激光增益。  相似文献   
136.
The potential of the internal rotation of the methyl group was determined for o-, m-, and p-fluorotoluene cations by pulsed field ionization spectroscopy. The potential of the internal rotational motion was also surveyed for other toluene derivative cations. It was found that the barrier height generally increases by ionization. The increase in the barrier height has been discussed in connection with the reduction of the internal rotational constant B by ionization. The geometrical distortion of the methyl group during the internal rotation has been suggested.  相似文献   
137.
MicrostructureEvolutioninLaserRSCo-baseMetastableAlloyWANGAnan;CHENGShunqi;GUOZhiyao(KunmingUniversityofScienceandTechnology,...  相似文献   
138.
曙光一号自由电子激光器的理论计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
系统总结曙光一号自由电子激光器理论计算的主要结果:包括曙光一号装置主要参数的选取和理解;磁场失谐曲线的计算;常参数摇摆器和变参数摇摆器的主要结果;高阶波导模的贡献;电子束参数扰动对激光性能的影响;空间电荷效应等。计算结果表明,常参数摇摆器激光输出功率可达80MW,效率约50%;变参数摇摆器激光输出功率可达250MW左右,效率约16%。  相似文献   
139.
微微秒自动调谐参量激光的研究   总被引:3,自引:3,他引:0  
何慧娟  陆雨田 《光学学报》1991,11(6):25-530
采用一对MgO:LiNbO_3角度调谐覆盖了红近外波段0.7~2.2μm,并配以自动波长扫描。文中分析了影响脉冲宽度与线宽的因素,与实验结果相吻合。脉宽<30ps,线宽~1nm(简并波长附近~10nm),单脉冲峰功率达MW级,参量光总能量转换效率达5.4%。  相似文献   
140.
利用CARS方法研究超短脉冲激光的脉冲宽度   总被引:1,自引:1,他引:0  
耿纪宏  王润文 《光学学报》1991,11(7):07-611
在理论上提出了利用两光束CARS/CSRS方法测量超短脉冲激光的三阶相关函数。实验上在几种样品中测量了CARS/CSRS的时间特性,得到了泵浦光脉冲,SCDL输出光脉冲以及受激喇曼散射光脉冲的宽度。  相似文献   
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