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91.
报道了一种弥散型金属薄膜逾渗系统的制备方法和研究结果。从实验发现这种新型的逾渗系统具有异常的R-I关系、三次谐波系数与独特的电流临界规律。分析表明:这些特性与此类薄膜逾渗结构随电流增大而逐渐变化的过程有关,是由沿膜横向逐渐变化的局域隧道电流(LDTC)与跳跃电导(LDHC)效应引起的。  相似文献   
92.
高巧君  林增栋 《物理学报》1992,41(5):798-803
作者在研究金刚石表面金属化机理中发现,该物理过程是用化学气相沉积(CVD)方法在强碳化物形成元素上生长金刚石薄膜的逆物理过程。推断在强碳化物形成元素上,诸如WSi,Ta等,生长金刚石薄膜,其界面有相应的碳化物,诸如WC,SiC,TaC等出现,继而生长的金刚石薄膜实质是在相应的碳化物背底上择优取向成核生长的。从而揭示在强碳化物形成元素上生长金刚石薄膜的物理机制是:W(Si,Ta)等→WC(SiC,TaC)等→金刚石薄膜。 关键词:  相似文献   
93.
激光淀积YBa2Cu3O7外延超导薄膜   总被引:4,自引:2,他引:2  
利用准分子脉冲激光成功地在(100)SrTiO_3与(100)Y-ZrO_2衬底上淀积了 YBa_2Cu_3O_7超导薄膜,T_c(R=0)>90K,J_c(T<82K)>1×10~6A/cm~2.研究了衬底温度对外延YBa_2Cu_3O_7薄膜超导性能及结构的影响.  相似文献   
94.
用闪光蒸镀法在77K制备了NdxFe1-x(x=0.06-0.80)非晶薄膜,原位测定了其电阻随温度的变化。结果表明:在0.192和ρ(T)∝T。晶化不是在一个固定的温度,而是在一个温度区间发生。  相似文献   
95.
金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
孙力  陈延峰  于涛  闵乃本  姜晓明  修立松 《物理学报》1996,45(10):1729-1736
利用低压MOCVD工艺分别在(001)取向的LaAlO,SrTiO和重掺杂硅单晶衬底上制备PbTiO铁电薄膜,并通过X射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析.X射线θ-2θ扫描显示硅衬底上得到了PbTiO多晶薄膜,另两种衬底上得到了择优取向的PbTiO薄膜.LaAlO衬底上的PbTiO薄膜有a和c两个取向,也就是薄膜中存在着90°畴结构,而生长在SrTiO衬底上的PbTiO薄膜中只存在c方向的择优取向.由于薄膜的尺度效应,发现c轴晶格常数与块材相比均缩短.X射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性,利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质,进一步证明了SrTiO衬底上的PbTiO薄膜的单畴特性.利用重掺杂的硅衬底作底电极,测量显示直接生长于硅衬底上的PbTiO多晶薄膜具有良好的铁电性能 关键词:  相似文献   
96.
等离子体噻吩聚合膜的研究及I+注入的掺杂效应   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
以噻吩为单体,在等离子体环境中聚合成致密的有机膜。利用Rutherford背散射(RB2S)和质子弹性反冲(ERD)、傅里叶红外谱(FTIR)测定了膜的成分和结构;从近红外-可见-紫外光的反射和透射谱,运用传递矩阵方法研究了膜的光学性质;此外,还探讨了24keV的I+离子束的注入对等离子体噻吩聚合膜的掺杂效应。结果表明,注入层内电荷载流子的输运机理可用Mott的可变自由程跳跃(VRH)理论给以解释。 关键词:  相似文献   
97.
利用NaCO3和Y(NO3)3做主要原料,合成了一系列用稀土氧化物(Y2O3)作为基础材料的新型电流变材料——NaNO3掺杂Y2O3材料。对于这些材料的介电性质、微观结构和电流变性能的研究结果表明,NaNO3的掺杂可以明显地提高Y2O3材料的电流变活性。材料在二甲基硅油中的悬浮液的剪切应力随NaNO3在Y2O3中的掺杂程度有明显变化,当Na/Y(物质的量的比)为0.6时材料的电流变性能最好,  相似文献   
98.
磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系.  相似文献   
99.
采用固-液两相混合,使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd:YVO4多晶原料,降低固相合成反应温度,减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件,采用提拉法,以(100)方向进行单晶生长,得到一系列掺杂浓度的Nd:YVO4单晶。  相似文献   
100.
利用 Schn-Tremblay 理论计算了 Pb、Sn 超导薄膜在注入准粒子且注入电压很小(ev<2△(?))时的能隙微小增加的效应.同时,把此理论扩展到 ev>>2△_i 的大电压情况,计算出能隙明显减小及超导-正常混合态的结果.  相似文献   
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