全文获取类型
收费全文 | 1052篇 |
免费 | 358篇 |
国内免费 | 125篇 |
专业分类
化学 | 260篇 |
晶体学 | 59篇 |
力学 | 18篇 |
综合类 | 36篇 |
数学 | 11篇 |
物理学 | 1151篇 |
出版年
2024年 | 6篇 |
2023年 | 36篇 |
2022年 | 28篇 |
2021年 | 42篇 |
2020年 | 33篇 |
2019年 | 51篇 |
2018年 | 45篇 |
2017年 | 77篇 |
2016年 | 73篇 |
2015年 | 87篇 |
2014年 | 145篇 |
2013年 | 95篇 |
2012年 | 104篇 |
2011年 | 118篇 |
2010年 | 87篇 |
2009年 | 87篇 |
2008年 | 74篇 |
2007年 | 52篇 |
2006年 | 34篇 |
2005年 | 33篇 |
2004年 | 29篇 |
2003年 | 31篇 |
2002年 | 27篇 |
2001年 | 17篇 |
2000年 | 7篇 |
1999年 | 18篇 |
1998年 | 9篇 |
1997年 | 14篇 |
1996年 | 14篇 |
1995年 | 13篇 |
1994年 | 8篇 |
1993年 | 8篇 |
1992年 | 15篇 |
1991年 | 12篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 4篇 |
排序方式: 共有1535条查询结果,搜索用时 734 毫秒
971.
深紫外光源在杀菌消毒、生化检测、紫外固化、紫外通信等方面具有巨大的应用前景,基于AlGaN半导体的深紫外发光二极管(LED)因具有无毒、体积小、能耗低、寿命长、波长可调等优势,得到了广泛的关注和研究.经过近二十年的研究开发,AlGaN基深紫外LED无论是发光效率和器件寿命都得到了巨大的提升,已逐步开始商业化.然而,相对于GaN基蓝光LED,目前AlGaN基深紫外LED的效率仍旧非常低,还有很大的提升空间.本文首先介绍了深紫外LED的发展现状,并分析了导致器件效率低的原因.然后,分别从内量子效率、光提取效率以及电光转换效率三个方面对目前AlGaN基深紫外LED的研究状况进行了系统的回顾,总结了目前提高发光效率的各种手段和方法.最后对AlGaN基深紫外LED的未来发展进行了展望. 相似文献
972.
在原有金属卤化物光源与光纤耦合结构的基础上,提出了一种新的光纤耦合方案,为了满足光供电系统的光功率需求,根据几何光学的理论,提出一种新的LED光源阵列排布方案。在对LED的发光特性研究的基础上,设计了一种新的光学准直方法,运用ZEMAX软件进行仿真,并对透镜参数进行了优化,准直结果角度控制在了±4°范围内。针对光束尺寸与光纤的匹配问题,进行了聚焦耦合设计,弥散斑的RMS尺寸大小为7.410μm,GEO点尺寸为16.091μm,光学系统95%以上的能量集中在20μm范围之内,达到了很好的耦合效果。 相似文献
973.
《理化检验(化学分册)》2011,(5)
为了适应当今期刊网络化、数字化的发展趋势,本刊经过长期的筹划与准备,初步建立了远程在线投稿、审稿系统。该系统的建立,可以方便作者进行远程在线投稿、查询稿件的处理进度、与编辑部进行实时沟通;审稿专家可以进行在 相似文献
974.
以STC89C52作为系统控制器,远程PC机作为上位机,使用GTM900C作为系统的GPRS模块完成数据的无线传输;用户可通过手机短信获取远程数据,也可通过PC机上的监控界面获取数据和交通灯当前信息;系统实现了数据的稳定传输,准确显示,实时性强,为偏远地区的交通灯检修维护提供了一种方便的途径,具有很强的实用价值。 相似文献
975.
针对先进飞机的航电系统架构,文章提出一种基于PCI总线的模块化远程数据采集器设计,以AFDX网络为主干网络,配置了ARINC825总线、ARINC429总线、多路传感器和作动器I/O接口,从多接口、配置引脚和配置驱动3个方面进行了软硬件设计及实现,保证了远程数据采集器的可靠性、灵活性和可维护性,并通过试验,对文章设计的远程数据采集器的功能指标和时延参数进行了测试,测试结果表明,文章提出的设计,能够满足远程数据采集器功能需求,并具备转换时延小的特点。 相似文献
976.
设计并制备了51 V高压LED。对器件进行了大电流冲击试验并对器件的损毁原因进行了分析。运用有限元分析软件ANSYS对LED关键结构部位进行参数化建模及热分布模拟,得到其稳态的温度场分布;然后经过与红外热像仪成像图对比,得出电极烧毁的原因在于芯粒连接处的电极过薄过窄而导致的电阻过大,为后续设计更可靠的高压LED提供了参考。对芯片分别进行蓝光及色温5 000 K的白光封装,并分别测量了热阻,涂覆荧光粉的白光灯珠的热阻要比没有涂覆荧光粉的蓝光灯珠高约4℃/W。同时,51 V高压LED的热阻比1 W大功率LED要高,说明高压LED的散热性能比常规LED要差,这可能与高压LED具有深沟槽及众多的互联电极结构有关。 相似文献
977.
LED显示屏高光效高画面填充比光学设计与研究 总被引:2,自引:0,他引:2
针对传统LED显示屏光能利用率和图像画面填充比低的缺点,基于非成像光学理论,提出了一种提高光能利用率和画面填充比的全彩LED显示模块结构系统和设计方法。利用复合抛物面集光器CPC对LED管芯发出光线的发散角进行变换压缩,从而避免了外表面全反射损耗,大幅度提高了系统的光能利用率。利用积分方腔匀光原理和散射元件对光能的二次分配,提高了显示屏的画面填充比、单位像素均匀度及基色复用面积。作为实例,根据上述方法设计了一个P10 mm全彩LED显示模块,利用光学设计软件LIGHTTOOLS对该显示模块系统进行了仿真建模和光线追迹,并对设计结果进行了分析。结果表明,系统光能利用率大于70%,画面填充比接近100%,单位像素区域内均匀度好于85%。显示模块具有能量利用率高、高画面填充比、显示效果均匀柔和、易于生产和装调的优点。 相似文献
978.
ITO表面粗化提高GaN基LED芯片出光效率 总被引:1,自引:1,他引:0
使用现有生产线上工艺成熟且成本低廉的技术实现ITO粗化以提高GaN基LED蓝光芯片的出光效率是产业界重要的研究课题。本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ITO表面粗化,有效地提高了LED芯片的输出光功率。输入电流为20 mA时,ITO层制备密集分布的三角周期圆孔阵列后,芯片输出光功率提升11.4%,但正向电压升高0.178 V;微结构优化设计后,芯片输出光功率提升8.2%,正向电压仅升高0.044 V。小电流注入时,密集分布的三角周期圆孔阵列有利于获得较高的输出光功率。大电流注入时,这种结构将导致电流拥挤,芯片的电光转化效率衰减严重。经过优化设计后的微结构阵列器件,具有较高的电注入效率,因此芯片的出光效率较高且随输入电流的增加而衰减的趋势较慢,因此更适合大电流下工作。 相似文献
979.
自然对流下LED集成芯片整体式热管散热器性能实验研究 总被引:2,自引:2,他引:0
为解决LED集成芯片光源的散热问题,提出一种整体式热管散热器,并在不同的热源功率、充液率、倾角下进行了自然对流散热实验研究。结果表明:散热器的热管最佳充液率为30%。热功率较小时,0°~50°倾角对热管传热影响不大;倾角达到75°时,各功率下的热管传热及散热器热阻都明显恶化。散热器启动时间约为30 min,且几乎不受功率大小影响;但75°倾角下,需要更多时间达到稳定。相比于常见的平行板和太阳花翅片散热器,采用整体式热管散热器散热的芯片结温可得到更有效控制。 相似文献