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本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。 相似文献
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枸橼酸莫沙必利的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
分别以邻羟基对氨基苯甲醇钠,对氟苯甲醛,邻苯二甲酰亚胺为起始原料,制得3个中间体,用其中2个中间体经偶合,环化后与第3个中间体反应,再经成盐制得产品,其摩尔总收率为31.5%。 相似文献
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以丙基和戊基取代的反式双环己基、反式环己基苯基及联苯甲酸酯中介核与2,2,6,6-四甲基哌啶氧自由基(TEMPO)相连,制备了四个棒状希夫碱磁性液晶分子。其中两个化合物在偏光显微镜下呈现出向列相丝状和纹影织构。DSC测定显示其向列相温度范围4~6℃。EPR测定显示几个化合物具有顺磁性。 相似文献
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meso-四(4-乙酰氧基苯)卟啉-铜(Ⅱ)-乳化剂OP体系荧光熄灭法测定微量铜(Ⅱ)的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了高灵敏的meso-四(4-乙酰氧基苯)卟啉[T(4-AOP)P]-铜(Ⅱ-乳化剂OP体系。在酸度为pH5.0~5.6范围内形成的三元络合物可引起T(4-AOP)P-OP荧光强度的定量熄灭,其Ex=413nm,EM=656.9nm,Cu(Ⅱ)浓度在0~0.150μg/ml范围内有良好的线性关系,回归方程F=25.51-8.45m,试验了14种离子的干扰影响,并用此法测定了小球藻中Cu的含量,回收率达96~104%。 相似文献
70.
脆性光学材料超精密加工技术 总被引:2,自引:0,他引:2
如何在光学晶体、光学玻璃等脆性材料上高效地制取纳米级光学表现是现代超精密加工技术领域的重点研究课题。近年来,此项技术取得了突破性进展,出现了浮法抛光、离子束加工、韧性加工等新一代脆性光学材料超精密加工技术。从加工机理、加工精度、表面质量、生产率等方面对其进行分析比较,并讨论了令人瞩目的韧性加工技术。 相似文献