高能氩离子辐照硅产生的缺陷研究

在室温下750MeV氩离子对本征单晶硅进行辐照,通过用正电子湮没寿命测量技术、电子顺磁共振技术以及红外光吸收方法研究了辐照产生的缺陷.结果表明:电中性双空位是辐照产生的主要空位团;在4.3×10¹⁴ions/cm²的高剂量下未见样品发生非晶化转变;虽然在离子射程末端双空位的浓度随剂量的增加而显著增大,但在以电离激发过程为主要能损方式的区域里双空位的浓度基本不变.据此可以认为,电子能损过程对辐照产生的缺陷有退人作用.     

RIBLL束流诊断

描述了兰州放射性离子次级束流线(RIBLL)上研制并安装使用的放射性束流(RIB)诊断装置的种类、结构、性能及在AIBLL上的位置和功能.重点叙述了以光纤为基础的几种诊断元件,它们探测效率高、响应时间快、制作容易、性能稳定.给出了RIB¹⁷N等高图,说明诊断装置辅助MBLL得到RIB的水平.     

Electron mobility in poly(3-hexylthiophene) enhanced by gamma-ray irradiation

Gamma-ray irradiation effects on the photoresponsive thin-film devices based on the regioregular poly(3-hexylthiophene) (RR-P3HT) conjugated polymer have been studied by means of atomic force microscopy, UV–vis absorption, photoluminescence (PL), and time-of-flight measurements. As a result, increased light absorption in the red region and PL quenching induced by the irradiation were observed. Besides, enhancement of the electron/hole mobilities, attributable to improved ordering or increased nanodomain size of the P3HT thin films, was revealed.     

用离子阱经H2++H2碰撞反应碰撞反应制备H4+

用Ｐｅｎｎｉｎｇ型离子阱经碰撞反应Ｈ２＾＋＋Ｈ２→Ｈ４＾＋产生稳定的Ｈ４＾＋,主要的反应产物是Ｈ３＾＋,但十分明显地观测到Ｈ４＾＋信号。Ｈ４＾＋在阱中稳定存在时间长达０．１ｓ量级,远比Ｋｉｒｃｈｎｅｒ等人测量的１０＾－６ｓ量级长,最后讨论了生成Ｈ４＾＋的反应过程机制。     

电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析

应用蒙特卡洛方法计算了质子在科学级电荷耦合器件(charge-coupled device, CCD) 结构中的能量沉积, 并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验数据, 分析了器件的辐射损伤机理. 仿真计算体硅内沉积的位移损伤剂量和栅氧化层的电离损伤剂量, 辐照与退火试验过程中主要考察暗信号、电荷转移效率两个参数的变化规律. 研究结果显示, 暗信号和电荷转移效率的变化规律与位移、电离损伤剂量一致; 退火后暗信号大幅度降低, 辐照导致的表面暗信号增加占总暗信号增加的比例至少为80%; 退火后电荷转移效率恢复较小, 电荷转移效率降低的原因主要为体缺陷. 通过总结试验规律, 推导出了电荷转移效率退化程度的预估公式及其损伤因子k_damage.     

基于简单透镜列阵的可调焦激光均匀辐照光学系统研究

本文对基于简单透镜列阵的大口径激光均匀辐照光学系统的调焦能力进行了研究, 结果表明, 改变透镜列阵与靶镜之间的距离即可方便地改变靶面上光斑的大小. 文中详细分析了相关参数对调焦能力的影响, 并在此基础上设计出一个实用的光学系统. 用数值方法模拟了激光束通过光学系统后的传输, 发现尺寸不同的靶面光斑具有基本一致的强度结构特征. 定量地分析了光斑内部散斑间隔、调制对比度、顶部不均匀度及能量集中度等描述光斑均匀辐照质量的指标, 并研究了它们随靶面离焦量的变化关系.     

离子束辅助淀积低温微光学元件红外宽带增透膜

简要叙述了锗基片微光学元件红外宽带减反膜的设计与制作。着重介绍了离子束辅助淀积制备该膜系的过程，给出了用该方法制作８～１２μｍ波段的减反膜的测试曲线，它具有峰值透过率高，在设计波长范围内的平均透过率大于９７％以上，膜层附着好，可以切割和擦洗，可以在室温和１００Ｋ低温下反复循环使用。     

NFZ-10工业辐照电子直线加速器

研制的电子直线加速器ＮＦＺ－１０的辐照加工能力相当于３０ＰＢｑ的６０Ｃｏ源，电子束能量为４～１２ＭｅＶ，平均束功率为３ｋＷ，扫描宽度为１ｍ，能量不稳定度≤±０．５％，束流不稳定度≤±０．６％，扫描不均匀度≤±２．５％。ＮＦＺ－１０加速器已被用于辐照各种电力半导体器件，一年多来运行稳定可靠并获得较好的经济效益。     

静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究

本文从FPGA器件内部最基本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究Altera SRAM型FPGA器件⁶⁰Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应.实验结果表明:由于场氧漏电和结构漏电的影响,随着累积剂量的增加输出波形发生畸变,峰峰值变为原来的十分之一左右,但输出波形还有相对的高低电平;同时,输出高电平不能保持原有的状态,迅速地向低电平转换,并且转换速度随着累积剂量的增加而加快,输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄,输出波形 关键词： 60Coγ')" href="#">⁶⁰Coγ 总剂量辐射损伤效应 SRAM型FPGA CMOS单元     

Isotope shift and hyperfine structure measurements for 155Yb by laser ion source technique

The change in the mean square charge radius and electromagnetic moments of the neutron deficient ¹⁵⁵Yb isotope have been determined using resonance ionization spectroscopy in a laser ion source. The data point to an absence of a marked deformation change for Yb isotopes with N=84−86. Received: 2 October 1997 / Revised version: 24 October 1997