ICT并行重建算法设计与实现

分析了三维ICT近似重建FDK快速算法以及算法串行执行与并行执行的复杂度,利用MPI并行编程环境,对原有ICT重建流程进行并行化,在PC集群上实现了并行ICT重建,进行了系统集成。给出了系统应用实现的解决方案与软件集成流程图。实验结果证明串行重建和并行重建结果是一致的,并行重建可以得到比较理想地重建时间结果和比较理想的加速比与效率。     

托卡马克工程试验混合堆等离子体性能的等值线图分析

本文简要叙述托卡马克工程试验混合堆等离子体概念设计的物理基础,对等离子体性能进行了等值线图(Plasma Operation Contour)分析。根据工程试验混合堆的要求,得出一组等离子体参数。     

突破间接带局限创新Si基激光器

Si基高效发光与受激光发射是Si基光子学突破性发展的关键课题,它的实现对Si基微电子学的发展有深远的重大意义．由于受到天然Si材料间接带能带结构的限制,Si材料的发光效率极低,更谈不上可实现受激光发射,人工改性就成为当代研究、开拓的主要途径．新的Si基直接带体材料(如β-FeSi2等)的探索,Ge／Si量子阱、超晶格、量子点的能带工程介观改性,子带发光跃迁的探索,异类元素插入短周期超晶格中的化学键改性,以及SiO2高浓度nc-Si的生成和高激活度稀土离子的掺入发光等已开展了多途径的研究,不同程度上取得了重要的进展,一种MIS结构电子隧道注入高效发光器件已在SiO2：RE MOS结构中实现．运用激光器件物理的深入设计和新的器件技术的引入,可以预计本世纪初叶,对实现Si基激光器的奢望将会成为现实,无疑它对Si基光子学、Si基集成光电子学乃至信息高科技的发展将作出历史性的巨大贡献．     

The effect of gamma irradiation on electrical and dielectric properties of Al-TiW-Pd2Si/n-Si Schottky diode at room temperature

The effects of ⁶⁰Co (γ-ray) irradiation on the electrical and dielectric properties of Al-TiW-Pd₂Si/n-Si Schottky diodes (SDs) have been investigated by using capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ω-V) measurements at room temperature and 500 KHz. The corrected capacitance and conductance values were obtained by eliminating the effect of series resistance (R_s) on the measured capacitance (C_m) and conductance (G_m) values. The high-low frequency capacitance (CHF-CLF) method given in [12] as N_ss = (1/qA) [((1/C_LF) − (1/C_ox))⁻¹ −  ((1/C_HF) − (1/C_ox))⁻¹] was successfully adapted to the before-after irradiation capacitance given in this report as N_ss = (1/qA) [((1/C_bef) − (1/C_ox))⁻¹ − ((1/C_after) − (1/C_ox))⁻¹] for the analyzing the density of interface states. The N_ss-V plots give a distinct peak corresponding to localized interface states regions at metal and semiconductor interface. The experimental values of the ac electrical conductivity (σ_ac), the real (M′) and imaginary (M″) parts of the electrical modulus were found to be strong functions of radiation and applied bias voltage, especially in the depletion and accumulation regions. The changes in the dielectric properties in the depletion and accumulation regions stem especially from the restructuring and reordering of the charges at interface states and surface polarization whereas those in the accumulation region are caused by series resistance effect.     

Defect engineering of ZnO

The defect responsible for the transparent to red color change of nominally undoped ZnO bulk single crystals is investigated. Upon annealing in the presence of metallic Zn as reported by Halliburton et al. and also Ti and Zr a native defect forms with an energy level about 0.7 eV below the conduction band. This change is reversible upon annealing in oxygen. Optical transmission data along with positron depth profiles and annealing studies are combined to identify the defect as oxygen vacancies. Vacancy clustering occurs at about 500 °C if isolated zinc and oxygen vacancies. In the absence of zinc vacancies, clusters form at about 800 °C.     

大学物理铁磁质教学中工程教育素材的融入

在大学物理课程铁磁质知识点的教学中,结合工程实践教育,使讲授的知识点能够理论联系实际,在提高教学效果的同时,使学生认识到理论知识在工程实践中的应用,进而使学生树立正确的知识价值观,提高学习兴趣,增强主动学习的意识.     

浅海波导界面对点源振速方向的影响

采用“虚源法”分析计算了浅海波导环境中接收点处点源总振速方向与水平面夹角,侧重讨论确定性界面反射对总振速方向的影响。研究结果表明：总振速方向和接收点与声源的水平距离、两者深度,海底、海面特性以及声速剖面等有关。在等声速均匀浅海波导中,由于确定性界面反射的影响,当直达声掠射角为1°～50°时,合成总振速方向偏离直达声方向达1.5°～10.5°,声速剖面呈负梯度时,偏离程度更甚.     

气/液界面自组装金纳米粒子薄膜作为SERS基底检测三聚氰胺

采用气/液界面自组装方法制备金纳米粒子薄膜作为SERS基底,其结构规整、均匀,利用此基底对三聚氰胺实现高灵敏的半定量分析。此SERS基底的制备是直接于水相合成的金纳米粒子中加人正十二硫醇,金纳米粒子通过硫醇修饰后由亲水性转变成疏水性质,在相界面上自组装为致密金纳米粒子单层膜结构。这种SERS基底不仅制备方法简单,而且应用范围广,除了检测三聚氰胺还可以拓展到其他的非极性的分子如多环芳烃等高灵敏的半定量分析。     

有机铁磁界面自旋极化接触构型效应

基于第一性原理,研究了三种不同的接触构型垂直吸附在镍表面的苯双硫分子的界面自旋极化.结果表明界面自旋极化强烈依赖于接触构型,接触构型的变化可使自旋极化由正值变为负值.通过分析投影态密度,发现界面处镍原子的3d轨道与硫原子的sp³杂化轨道发生了轨道杂化.模拟机械可控断裂结实验中的界面吸附构型,根据计算的界面自旋极化,利用Julliere模型得到磁电阻约为27%,与实验测量结果较为符合.