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952.
953.
954.
类金刚石薄膜红外光学常数的计算机拟合 总被引:2,自引:1,他引:1
报道了一种对类金刚石薄膜红外透射率曲线最小二乘法拟合的方法,确定类金刚石薄膜的红外光学常数-折射率、吸收系数以及薄膜厚度及表面粗糙度。介绍了相应的数学模型,并给出了对类金刚石薄膜样品的实验测及拟合结果。 相似文献
955.
薄膜电致发光器件中SiO2加速作用的直接证据 总被引:5,自引:0,他引:5
本文通过包含CdS层的薄膜电致发光(TFEL)器件的有关特性的研究,直接证明了SIO2对CdS中产生的电子有良好的加速作用,并获得了阈值电压低、B-V特性好,亮度较高的红色TFEL器件.我们将硫化镉蒸镀于电致发光器件中,测量这些器件的电学和光学特性,发现含CdS的样品的传导电荷明显大于不含CdS的样品,这说明硫化镉层可以提供较多的电子.但是,样品ITO/SiO2/ZnS:Sm3+/SiO2/CdS/Al的发光效率低于不含硫化镐的样品,这说明这些电子在进入ZnS层的过程中能量有所降低.为了提高这些电子的能量,我们制备了样品ITO/SiO2/ZnS:Sm3+/SiO2/CdS/Al,使硫化镉中产生的电子先经过SiO2层,再进入发光层.测量结果表明这一样品的最大亮度和发光效率与上述含硫化镉的样品相比分别提高了2.5个和0.5个数量级,与不含硫化镉的样品的亮度接近,但其阈值电压较低,亮度-电压(B-V)曲线上升部分较陡,且有一段饱和区.在这一样品达到饱和的电压下,不含硫化镉的样品才刚刚起亮,这说明该样品的发光主要是由于硫化镉增加的电子数目对发光的贡献.同时这些电子在SiO2中得到了明显的加速. 相似文献
956.
957.
本给出了具有高密度孪晶界c取向YBa2Cu3O7-x外延薄膜存在涡旋玻璃转变及很好的标度行为的实验证据,在有a方向昌粒或45°晶界的GdBa2Cu3O7-x外延薄膜中存在涡旋玻璃转变但在转变温度附近观察到磁通蠕动和热激活磁通流的某些特征。 相似文献
958.
研究了偶氮基染料掺杂薄膜MO-PVA和EO-PVA的双光子存储特性。在对薄膜用Ar^+激光作预激发下实现了He-Ne激光的红光存储。获得了实时和短时存储照片。光电记录存储曲线,分析了双光四能级系统的存储机制。实现确定了最佳预激发功率约为0.28W/cm^2,最小He-Ne光可存储功率密度低于0.2W/cm^2。 相似文献
959.
直流磁控溅射制备YBCO高Tc超导薄膜过程中靶成分的在线监测 总被引:1,自引:0,他引:1
本阐述了用单色仪和光电倍增管对平面直流磁控溅射制备YBCO高Tc超导薄膜过程中靶的放电成分变化情况进行在线监测的实验方法,设备和过程,得到了O2:Ar=1:4时,靶表面成份随时间变化的关系和相应薄膜的质量,并对实验结果进行了讨论。 相似文献
960.