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941.
942.
染料敏化TiO2/WO3薄膜电池的光电变色 总被引:2,自引:0,他引:2
用光电化学方法研究了染料Ru(П) (4, 4′di COOEt 2, 2′bpy)2 (2, 2′bpy 4, 4′di CONH L tyrosineethylester) (PF6)2 (简写为Ru4)敏化TiO2 纳米结构电极的光电转换过程,同时,在导电玻璃上电沉积得到WO3 薄膜.结果表明,染料敏化的TiO2 多孔膜具有光电转换性能, WO3 薄膜具有良好的电致变色效应,将前者与电沉积得到的WO3 薄膜组成电池,在白光照射下可产生显著的颜色变化,有望用于自供电源的电色灵巧窗(Self poweredsmartwindow). 相似文献
943.
945.
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在MgO基片上制备了金属Fe薄膜.利用原子力显微镜研究了不同制备温度对薄膜表面形貌的影响.x射线衍射分析表明沉积温度大于500℃时,Fe薄膜在MgO基片上有很好的结晶性,并有单一取向.通过z扫描方法测量了超薄Fe膜的光学非线性,得到了Fe薄膜的非线性折射率n2=709×10-5cm2/ kW,非线性吸收系数 β=-552×10-3cm/W.
关键词:
Fe薄膜
非线性
脉冲激光沉积 相似文献
946.
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法,成功制备出从非晶到微晶过渡区 域的硅薄膜. 样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜 兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性. 用这种两相结构的材料作为本征层制备了p- i-n太阳能电池,并测量了其稳定性. 结果在AM15(100mW/cm2) 的光强下曝光 800—5000min后,开路电压略有升高,转换效率仅衰退了29%.
关键词:
相变域硅薄膜
光电特性
太阳能电池 相似文献
947.
GaN是一种宽禁带半导体材料,非常适合于制作从蓝光到近紫外波段的光电器件,它也是Ⅱ-V族含氮化合物中研究得最充分的材料,近年来在国际上受到很大重视.在材料制备方面初步解决了p型掺杂的困难,从而制成了高功率的发光二极管. 目前生长GaN比较成功的方法是使用有机气体氮源的金属有机物化学汽相淀积.但它所生成的是纤锌矿(六角)结构,而且是生长在蓝宝石衬底上.生长温度也高达1000℃.要使得GaN材料有可能实用,需要采用低温生长的分子束外延(MBE)技术,并在GaAs,Si等半导体衬底上生长出闪锌矿(立方)结构的GaN薄膜.这样才有可能最终解决p型… 相似文献
948.
Diamine的光、电性质及其在有机薄膜电致发光器件中的应用 总被引:5,自引:1,他引:4
合成了芳香族二胺类衍生物(diamine),测定了它的光、电性质.制备了diamine作为空穴传输层的二层结构有机薄膜电致发光器件,使器件的发光亮度相对单层器件有了很大的提高.并用不同区域掺杂的方法,探讨了电致发光机理.分析、讨论了激子的形成和复合区域,较好地解释了单、双层器件的不同的电流电压关系和不同的亮度电压关系.从激子的扩散方程出发,对双层掺杂器件的发光强度比数据进行了拟合,确证了激子的扩散模式. 相似文献
949.
950.