全文获取类型
收费全文 | 4120篇 |
免费 | 3132篇 |
国内免费 | 1465篇 |
专业分类
化学 | 1642篇 |
晶体学 | 837篇 |
力学 | 350篇 |
综合类 | 116篇 |
数学 | 87篇 |
物理学 | 5685篇 |
出版年
2024年 | 34篇 |
2023年 | 102篇 |
2022年 | 129篇 |
2021年 | 144篇 |
2020年 | 79篇 |
2019年 | 103篇 |
2018年 | 98篇 |
2017年 | 127篇 |
2016年 | 159篇 |
2015年 | 243篇 |
2014年 | 425篇 |
2013年 | 406篇 |
2012年 | 327篇 |
2011年 | 337篇 |
2010年 | 405篇 |
2009年 | 406篇 |
2008年 | 521篇 |
2007年 | 438篇 |
2006年 | 484篇 |
2005年 | 544篇 |
2004年 | 416篇 |
2003年 | 366篇 |
2002年 | 332篇 |
2001年 | 283篇 |
2000年 | 250篇 |
1999年 | 207篇 |
1998年 | 203篇 |
1997年 | 229篇 |
1996年 | 202篇 |
1995年 | 183篇 |
1994年 | 116篇 |
1993年 | 94篇 |
1992年 | 108篇 |
1991年 | 70篇 |
1990年 | 58篇 |
1989年 | 57篇 |
1988年 | 13篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 1篇 |
排序方式: 共有8717条查询结果,搜索用时 125 毫秒
471.
基于安德森紧束缚模型,本文研究了无序双层六角氮化硼量子薄膜的电子性质. 数值计算结果表明在双层都无序掺杂的情况下,六角氮化硼量子薄膜的电子是局域的, 其表现为绝缘体性质;而对于单层掺杂(无论是氮原子还是硼原子)的双层六角氮化硼量子薄膜, 在能谱的带尾出现了持续的迁移率边.这就说明在单层掺杂的双层六角氮化硼量子薄膜中产生了 金属绝缘体转变.这一结果证实了有序-无序分区掺杂的理论模型,为理解及调控双层六角氮化硼量子薄膜 的电子性质提供了有益的理论指导. 相似文献
472.
473.
以Cu膜为例,用Monte-Carlo算法模拟了薄膜生长的随机过程,并提出了更加完善的模型.在合理选择原子间相互作用计算方法的基础上,考虑了原子的吸附、在生长表面的迁移及迁移所引起的近邻原子连带效应、从生长表面的脱附等过程.模拟计算了薄膜的早期成核情况以及表面粗糙度和相对密度.结果表明,随着衬底温度的升高或入射率的降低,沉积在衬底上的原子逐步由离散型分布向聚集状态过渡形成一些岛核,并且逐步由二维岛核向三维岛核过渡.在一定的原子入射率下,存在三个优化温度,成核率最高时的最大成核温度Tn、薄膜的表面粗糙度最低
关键词:
Monte-Carlo算法
计算机模拟
薄膜生长 相似文献
474.
江月松 《光谱学与光谱分析》1999,19(3)
本文用光声谱(photoacousticspectroscopy,PAS)结合光吸收谱、荧光光谱等对在工业上有潜在应用前景的聚丁二炔(polydiacetylene,PDA)Langmuir-Blodget(LB)薄膜进行了研究。对经不同气体环境处理的PDALB膜的紫外-可见光声谱、光吸收谱和荧光光谱的综合分析表明,PDALB膜的激发态弛豫过程中激子和极化子形成的元激发性质。此外,还讨论了PDALB膜的荧光量子效率。本文的研究结果表明,用光声谱研究LB膜,可以获取仅用其他光谱得不到的信息。 相似文献
475.
476.
477.
体声波滤波器由于其低插损、小尺寸、高带外抑制等特性,随着第三代移动通信以及蓝牙技术的发展而得到广泛研究,而MEMS技术和压电薄膜制备技术的进一步发展使高性能的体声波滤波器制作成为可能. 我们以单晶MgO作为器件衬底,MgO/NbN多层结构作为AlN薄膜体声波器件的反射器,NbN/AlN/NbN三层结构为谐振器.在这样的多层结构的设计中由于各种材料之间的晶格失配小,可以获得从几十纳米到几百纳米厚度不等的单晶AlN薄膜.通过控制AlN薄膜和NbN薄膜的不同厚度,可以获得不同频段范围的谐振器. 压电薄膜的质量,以及体声波在多层结构界面上的能量损耗,直接影响到谐振器电学性能.基于AlN材料的压电性能,设计了NbN/AlN/NbN三层结构的谐振器,并进行了数值模拟. 相似文献
478.
本文采用分数维方法, 在讨论Al0.3Ga0.7As衬底上GaAs薄膜的分数维基础上, 计算了GaAs薄膜中的极化子结合能和有效质量. 随着薄膜厚度的增加, 极化子结合能和质量变化单调地减小. 当薄膜厚度Lw<70 Å并且衬底厚度Lb<200 Å时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响比较显著, 随着衬底厚度的增加, 薄膜中极化子的结合能和质量变化逐渐变大; 当薄膜厚度Lw>70 Å或者衬底厚度Lb>200 Å时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响不显著. 研究结果为GaAs薄膜电子和光电子器件的研究和应用提供参考.
关键词:
分数维方法
GaAs薄膜
极化子
低维异质结构 相似文献
479.
采用扫描隧道显微镜(STM)在3-phenyl-1-ureidonitrile(PUN)有机单体薄膜上进行了超高密度信息存储的研究.通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲,在薄膜上写入了一个稳定的5×6信息点阵,信息点的大小是0.8nm.电流电压(I-V)曲线表明,施加电压脉冲前后薄膜的导电性质发生了变化.信息点的写入机制可能是强电场作用下引发的PUN分子的局域聚合,从而导致薄膜由高电阻态向低电阻态转变.
关键词:
超高密度信息存储
有机薄膜
扫描隧道显微镜(STM) 相似文献
480.
研究了蓝宝石(1102)基片在不同温度和时间下退火时表面形貌和表面相结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和T1-2212超导薄膜生长的影响.原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1000℃温度下退火,蓝宝石(1102)的表面首先局部区域形成台阶结构,然后表面形成叠层台阶结构,随着退火时间的延长.表面发生了台阶合并现象,表面形貌最终演化为稳定的具有光滑平台的宽台阶结构.XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高蓝宝石基片表面结构的完整性.在1000℃温度下热处理20 h的蓝宝石(1102)基片上可以生长出具有面内取向的CeO2(001)缓冲层.在具有缓冲层的蓝宝石基片上可以制作出高质量c轴织构的外延11-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)为104.7 K,液氮温度下临界电流密度(Jc)达到3.5 MA/cm2,微波表面电阻R(77 K,10 GHz)约为390μΩ. 相似文献