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331.
吕清洋薛秉国王婷婷刘丽娜王世立朱海澄刘绍宏孙旭东 《发光学报》2020,(11):1323-1334
YAG∶Ce荧光薄膜发光效率高、热稳定性好、散热快,在高功率高亮度白光照明,尤其是激光驱动白光照明(Laser-driven white lighting)领域具有广阔的应用前景。本文综述了近年来国内外YAG∶Ce多晶薄膜、单晶薄膜以及复合薄膜的制备技术及其性能特点,并展望了其在高性能白光LED和高功率激光驱动白光照明领域的应用前景。 相似文献
332.
一维导电材料例如纳米线,大量应用于柔性压力传感器中. 但是一维材料和基底之间接触时相互作用力较弱,使得传感器灵敏度、响应时间、和循环寿命等性能指标有待进一步提高. 针对这些问题,设计了石墨烯/石墨烯卷轴多分子层复合薄膜作为传感器导电层. 石墨烯卷轴具有一维结构,而石墨烯的二维结构可以牢固地固定卷轴,以确保高导电性复合薄膜与基底之间的粘附性,同时整体结构的导电通道得到了增加. 由于一维和二维结构的协同效应,实现了应变灵敏度系数3.5 kPa-1、 响应时间小于50 ms、能够稳定工作1000次以上的压阻传感器. 相似文献
333.
采用射频磁控溅射与退火工艺相结合的方法,分别在石英和硒化锌(ZnSe)衬底上制备了掺铪氧化铟(IHfO)薄膜,掺杂比例In2O3∶HfO2为98wt.%∶2wt.%.测试了薄膜的组成结构和3~5μm红外波段的光电性质,分析了退火温度、薄膜厚度和氧气流速对薄膜性能的影响.X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱表明,制备的IHfO薄膜具有氧化铟的立方体结构,掺杂铪并没有影响氧化铟的生长方向,但是减小了晶格间距,铪与铟外层电子形成新的杂化轨道.傅里叶变换红外光谱表明,随着退火温度的增加,IHfO薄膜在3~5μm波段的透过率逐渐下降,沉积在ZnSe衬底上的薄膜具有更平稳的透过率,厚度为100nm薄膜在3~5μm波段平均透过率为68%.测试霍尔效应表明,随着氧气流速的增加,IHfO薄膜电阻率逐渐增加,载流子浓度减小,霍尔迁移率变化不明显.晶界散射是影响IHfO薄膜迁移率的主要因素,当氧气流速为0.3sccm时,薄膜最佳电阻率为3.3×10~(-2)Ω·cm.与透可见光波段的导电氧化铟锡(ITO)薄膜相比,制备的IHfO薄膜可以应用在3~5μm红外波段检测气体,红外制导等领域. 相似文献
334.
采用磁控溅射方法先在玻璃衬底上室温下沉积Zn金属薄膜,接着先后在200和400 ℃温度下的硫蒸气和氩气流中进行退火,生长出 ZnS 薄膜。薄膜样品的微观结构、物相结构、表面形貌和光学性质分别采用正电子湮没技术 (PAT)、X射线衍射仪 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)和紫外-可见分光光度计进行表征。该ZnS薄膜在可见光范围具有约80%的高透光率,随着硫化时间的增加,其带隙由3.55 增加到3.57 eV,S/Zn原子比从0.54上升至0.89,薄膜质量明显得到改善,相对于以前报道的真空封装硫化所制备的ZnS薄膜,硫过量问题得到了较好解决。此外,慢正电子湮没多普勒展宽谱对硫化前后薄膜样品中膜层结构缺陷研究表明,硫化后薄膜的S参数明显增大,生成的ZnS 薄膜结构缺陷浓度高于Zn薄膜。 相似文献
335.
336.
化学气相淀积法合成氮化铝薄膜及其工艺设计 总被引:1,自引:0,他引:1
对AlBr3-NH3-N2体系化学气相淀积法合成A1N膜进行了热力学分析和工艺设计,研究了在不同淀积温度和体系总压时,体系中主要气态物种的平衡分压和A1N膜的理论淀积速率与源温和载气流量的关系,并与微波等离子体化学气相淀积A1N膜的实验结果进行了比较。 相似文献
337.
用椭圆法(elipsometry)对3%酒石酸溶液中(pH=5.5)铝阳极氧化膜的成长过程进行了现场(insitu)研究。控制不同阳极极化电压测量得出的椭圆仪数据(Δ和Ψ),经曲线拟合最优化分析,结果表明:Al电极表面生成的Al2O3膜是一种较均匀、致密的单层膜,其厚度与阳极氧化电压呈线性增长关系,斜率约为1.35nm/V 相似文献
338.
原位聚合沉积聚苯胺薄膜及其电致变色性能 总被引:2,自引:0,他引:2
采用原位聚合的方法,以水溶性高分子聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为空间稳定剂,直接在玻璃基体表面聚合沉积导电聚苯胺(PANI)薄膜。用扫描电镜(SEM)、紫外可见光谱(UV-Vis)、四探针电导率测试仪和热重分析仪(TG)对聚苯胺膜结构及性能进行了表征。采用循环伏安法测试了薄膜的电致变色性。结果表明:盐酸掺杂聚苯胺薄膜呈翠绿色,薄膜厚115 nm,表面电导率为4.6×10-3S/cm。电致变色实验中聚苯胺电极电位在-6~ 6 V循环变化时,薄膜颜色在黄绿和蓝绿间可逆变化。电致变色前后聚苯胺薄膜的紫外可见吸收光谱表明,随着电极电位的降低,极化子峰发生红移,说明聚苯胺分子链中醌式结构单元被还原,聚苯胺薄膜质子化程度提高。 相似文献
339.
采用化学溶液分解法(CSD)在p—Si(111)衬底上制备了(Bi0.9Nd0.1)2Ti2o7薄膜。用X射线衍射技术分析了薄膜的结构和结晶性,结果显示,在600℃退火10min得到了结晶性较好、表面致密的多晶薄膜;用原子力显微镜描述了薄膜的表面形貌,与在XRD中观察到的择优取向是一致的;同时还研究了薄膜的电学性能。结果表明,在0~6V范围内,薄膜的漏电流小于1.53×10^10A;在室温100kHz下,其介电常数为166,介电损耗因子为0.227,显示出薄膜具有较好的绝缘性和介电性能。 相似文献
340.