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971.
972.
Based on the analysis and the discussion of the influence of thermal ionization energy and various scatterings on magnetoresistance(MR) of p-type diamond films,a revised model of valence band split-off over temperature is put forward,and a corresponding calculation formula is given for the MR of p-type diamond films (Corbino discs).It is shown that the theoretical calculation that the MR of diamond films changes with temperature is consistent with the experiment.The influence of Fermi energy level on MR of diamond films is discussed.Additionally,the thermal effect mechanism of MR in p-type diamond films is also explored. 相似文献
973.
974.
975.
976.
采用场发射扫描电子显微镜(FESEM),研究了铁基金属包膜界面及其断面的精细结构。结果表明:包膜(100)界面有纳米级的棱锥状突起,包膜(111)界面上分布着锯齿状的台阶;金属包膜近触媒侧的界面断面表层分布着台阶形貌的胞状突起;断面其它断层断口呈现脆性断裂特征,断层表面分布着团簇状的纳米颗粒。分析认为:包膜界面的不同形貌与片状金刚石结晶基元的不同生长过程有关;由于包膜内脆性碳化物的存在,包膜断面呈现脆性断口特征;断面上分布的纳米级颗粒可能是金属成分的共晶析出产物。 相似文献
977.
实验测量了自行研制的三明治电极结构化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜探测器在室温下对241Am, 243Am 与244Cm α粒子的能谱响应,得到了其α粒子响应电荷收集效率随偏压的变化关系;获得了不同偏压下其相对平均电荷收集效率及响应谱下降沿10%处的相对电荷收集效率。结果表明:所研制的CVD金刚石薄膜探测器性能稳定,对α粒子响应的电荷收集效率随偏压的增加而趋于饱和,对α粒子平均电荷收集效率达33.5%,谱下降沿10%处的电荷收集效率达57%。 相似文献
978.
制备了两种具有传像功能的聚合物光子晶体光纤.该光纤分别由525个空气孔按四方排列和由547个空气孔按六方排列的二维光子晶体聚合物光纤组成.实验结果表明:在短距离内,这两种光纤可以以抗传导的机理传送图像,且制备工艺简单,单根光纤就带有数百个像素,可用于制造集成光学器件. 相似文献
979.
高能重离子辐照处于高压条件下材料的研究,是随着高能重离子加速器技术的快速发展而出现的一个新的研究领域, 研究结果涉及材料学、 地质学、地质年代学、核废料处理学等学科。简要介绍最近几年国内外在高能重离子辐照高压条件下材料研究领域的研究现状及已取得的结果,并对未来在兰州重离子加速器冷却储存环(HIRFL CSR)上开展相关研究工作的前景作了展望。With development of high energy heavy ion accelerator, it is possible to perform heavy ion irradiation experiments of pressurized materials in diamond anvil cells(DACs). It is a new research field. The results expected from irradiation experiments under high pressure will have impacts on several scientific fields such as materials science,geo science,geochronology,and nuclear waste storage. In this paper, some of recent works in this field are presented and reviewed. Furthermore,the research plan of materials under high pressure based on HIRFL-CSR is introduced. 相似文献
980.
Y.-X. Wang S.-J. Xiong 《The European Physical Journal B - Condensed Matter and Complex Systems》2009,67(1):63-69
We investigate localization behavior of electron states in bilayer graphene formed with the Bernal stacking in the presence
of various types of disorder (site-energy, in-plane hopping and inter-plane hopping) by the use of the transfer matrix method.
It is found that all the states are localized at various kinds of disorder (site-energy, in-plane hopping and inter-plane
hopping) except that in the case of inter-plane-hopping disorder the states at the zero energy are critical. The implications
of the results are discussed. 相似文献