Resistively coupled single-electron transistor using tunnel gate resistor

A resistively coupled single-electron transistor (R-SET) was fabricated using a modulation-doped heterostructure and metal Schottky gates, and measured at low temperature. Currents of R-SET with tunnel gate resistor were calculated using the orthodox theory. It is shown that the R-SET with tunnel gate resistor has quite similar properties to the originally proposed R-SET.     

现代热力学基础简介

从热力学基本定律的现代表达式 (diS≥ 0 ,diS是体系的熵产生 )能直接预测同时发生的反应有发生反应耦合 [diS1<0 ,diS2 >0和diS1 diS2 ≥ 0 ;diS1和diS2 是反应的熵产生 ]的可能 ,但是长期以来无法得到定量证明 .在激活低压气相生长金刚石的热力学研究中 ,发现该体系就是反应耦合的定量化例证 ,相应地得到了一个非平衡零耗散热力学 [diS1<0 ,diS2 >0和diS1 diS2 =0 ]的全新热力学分支领域 .非平衡定态相图的计算就是该领域的重要结果 ,并与大量的金刚石气相生长实验相符 .非平衡零耗散体系是在外界强制条件下的一种定态体系 ,强制条件减弱为零时就成为平衡体系 .现代热力学对开放体系相关的近代高新科技领域有重要意义 .     

高含硼金刚石的一阶Raman谱特性分析

对B4C为碳源、分别以FeNiCo与NiMnCo合金为触媒,高温高压下合成出的高含硼金刚石(B含量大于1wt%),进行了拉曼谱测试。实验表明:这类金刚石的室温一阶拉曼谱线位移分别为1324cm-1与1320cm-1,半峰宽(FWHM)分别为22cm-1及28cm-1。对比不同含硼量金刚石的拉曼谱发现,随着硼含量增加,拉曼位移的红移量增加,线宽加宽,峰值下降。这与硼杂质原子进入金刚石,造成晶格畸变与缺陷有关     

一维金刚石结构晶格的非线性局域模

用多重尺度法研究了质量均匀相互作用力交替变化的原子链形成的非线性局域振动模式,这 种原子链模拟了金刚石结构晶格沿〈111〉晶向或一维分子链的振动,通过多重尺度展开分 析得出,原子位移分布服从微扰的非线性Schrdinger方程,求得了相应的定态解和传播解 ,其结果与相互作用力相同质量交替分布的另一种形式的一维双原子晶格的结果有所不同, 其原因是金刚石结构晶格的对称性相对差些. 关键词： 金刚石结构 非线性局域模 多重尺度法     

氮气氛下(100)织构金刚石薄膜的成核与生长研究

利用热丝化学气相沉积法研究了氮气浓度对金刚石薄膜成核和生长的影响.实验发现氮气的 加入对金刚石成核密度影响不大,但促进了已形成的金刚石核的长大.适量的氮气不仅使金 刚石生长速率得到很大的提高,而且稳定了金刚石薄膜(100)面的生长,使金刚石薄膜具有 更好的(100)织构.利用原位光发射谱对衬底附近的化学基团进行了研究.研究表明,氮气的 引入使得金刚石生长的气相化学和表面化学性质发生了很大变化.含氮基团的萃取作用提高 了金刚石表面氢原子的脱附速率,从而提高了金刚石膜的生长速率.而含氮基团的选择吸附 使金刚石 关键词： 氮气 金刚石薄膜 织构 原位光发射谱     

传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率

采用传输线模型测量了重B掺杂p型金刚石薄膜(约10²⁰cm^-3)上Ti/A u欧姆接触电阻率ρ_c,测试了500℃退火前后及大电流情况下的I-V特性,研究 了退火对ρ_c的影响.结果表明,重掺杂和退火工艺是改善欧姆接触的有效手段. ρ_c随测试温度的变化表明金属/半导体接触界面载流子输运机制为隧道穿透.而 光照对ρ_c影响的分析表明金刚石可作为理想窗口材料.测试得到的最低ρ _c值约为10^-4Ωcm². 关键词： 金刚石薄膜 欧姆接触 接触电阻率     

微波等离子化学气相沉积金刚石膜涂层氮化硅刀具

金刚石的成核和生长影响金刚石膜的质量.本文用自制的一种新型的不锈钢谐振腔型微波等离子CVD设备,等离子直径为76mm,均匀的温度分布使得金刚石膜均匀生长,在不同工艺条件下研究Si3N4陶瓷刀具上金刚石涂层的成核质量,用SEM,Raman检测和分析研究了在Si3N4刀具上高速高质量生长金刚石膜涂层的制备工艺,并检测了涂层刀具的切削性能,切削试验表明,在切削18wt;Si-Al合金时,金刚石涂层刀具比未涂层刀具的使用寿命增多10倍以上.     

About the Secondary Electron Emission Yield, δ, from e−-Irradiated Insulators

 To account for the published yield curves, δ = f ( E ₀), of some insulators such as diamond, an elementary theory of secondary electron emission (s.e.e) is used. This theory permits the estimation of the effective attenuation lengths of the emitted electrons during their transport and to explain the significant differences between the s.e.e. from metals and that from insulators. Some practical consequences related for instance to the lack of topographic contrast in LVSEM and to charging mechanisms in electron beam techniques are then deduced.     

超短脉冲准分子激光淀积类金刚石薄膜的实验研究

利用ＫｒＦ超短脉冲激光器开展了超短脉冲激光淀积金刚石薄膜实验研究,薄膜生长速率０．０２ｎｍ／ｐｕｌｓｅ,厚度０．５－０．６μｍ,显微硬度５５ＧＰａ,光学透过率优于９０％,采用等离子本的时间－空间分辨的发射光谱技术,给出了等离子体的粒子成份以及等离子体的时间－空间的演化图像,以及在不同激光参数条件下等离子体特性的变化,发现超短脉冲激光的等离子体有能量高、持续时间短（高通量）的特点,适合类金刚石薄膜的     

静压法高石墨转化率的金刚石合成研究

 选用Ni-Mn-C粉末触媒,在国产DS6×800A型铰链式六面顶压机上实现了高石墨转化率的金刚石合成,其石墨转化率可达90%以上。高石墨转化率金刚石的合成,不仅有助于提高金刚石的效率,而且还可以减化提纯后处理工序。