自旋Seebeck效应简介

自旋电子学作为一个新兴的学科,是未来电子学发展的重要方向之一.而近年来发现的自旋泽贝克（Seebeck）效应则为自旋电子学的研究提供了不少新现象.文章通过对自旋Seebeck效应的一些科研进展的介绍,较详尽地阐明了自旋Seebeck效应的定义和常用的利用逆自旋霍尔（Hall）效应来进行观测的机制与方法,并对不同种类材料中的自旋Seebeck效应及其可能的成因进行了分析介绍.     

离子推力器栅极组件温度场仿真分析及试验研究

栅极组件热变形是影响离子推力器工作性能及工作寿命的主要因素,为研究栅极组件升温过程中温度场分布及变化规律,探索能较准确模拟栅极温度场的方法,建立了栅极组件1/12全尺寸有限元模型进行温度场仿真计算。同时,基于实验室搭建的温度测量平台,测量了大气环境下加热时栅极组件的瞬态温度变化。对比有限元分析求解与试验过程中的温度场,加速栅平均误差为14.4%,屏栅平均误差为9.7%,双栅最大误差不超过18.4%,验证了有限元模型及方法的可信度和合理性。     

用于脉冲等离子体推力器烧蚀过程仿真的新型机电模型

用于脉冲等离子体推力器(PPT)工作过程仿真的一维机电模型, 具有模型简单、计算周期短等优点, 在PPT设计过程中得到了广泛应用. 本文针对机电模型假设工质烧蚀质量为常数和不考虑烧蚀过程这一局限, 提出了一种采用Teflon一维烧蚀模型计算工质烧蚀质量的改进模型, 并以LES-6 PPT为研究对象进行了仿真. 通过与LES-6 PPT实验数据进行对比, 仿真结果与实验数据符合, 充分验证了模型的可靠性. 此模型能够对Teflon工质在PPT工作过程中的温度变化和烧蚀过程进行仿真, 弥补了机电模型忽略烧蚀过程对仿真结果所造成的影响, 同时, 此模型依然保持了机电模型简单易于实现的优点, 对于脉冲等离子体推力器的设计具有重要意义. 关键词： 脉冲等离子体推力器 机电模型 烧蚀模型 数值仿真     

Effects of pressure and/or magnetism on superconductivity of δ-MoN single crystal

Effects of pressure and/or magnetism on the critical superconducting temperature(Tc)ofδ-Mo N single crystal were investigated using a Maglab system.Theδ-Mo N single crystal was synthesized at extreme conditions of high pressure and high temperature.The carrier density ofδ-Mo N single crystal as a function of applied pressure was determined using Hall coefficient measurement.     

导群“较大”的可解群

对于一个群G来说,如果G/G'同构于一个循环群,认为G的导群是"较大"的.给出有关导群"较大"的可解群结构的若干结论.     

Localization correction to the anomalous Hall effect in amorphous CoFeB thin films

An obvious weak localization correction to anomalous Hall conductance(AHC) in very thin CoFeB film is reported.We find that both the weak localization to AHC and the mechanism of the anomalous Hall effect are related to the CoFeB thickness.When the film is thicker than 3 nm,the side jump mechanism dominates and the weak locaUzation to AHC vanishes.For very thin CoFeB films,both the side jump and skew scattering mechanisms contribute to the anomalous Hall effect,and the weak localization correction to AHC is observed.     

三维量子Hall效应电阻平台与能隙

量子Hall效应最先在强磁场中的二维电子气体中产生,是一种内部绝缘、边缘单向导电、电阻为零的拓扑绝缘态,电阻平台的出现及纵向电阻的消失是量子Hall效应产生的标志。对于三维电子气体,z方向的自由度会破坏体系内部绝缘,阻碍量子Hall效应产生。解决问题的方法是让z方向磁场引诱体系在费米能级处产生能隙,从而保障内部绝缘。三维量子Hall效应是研究量子相变很好的平台,z方向磁场引发两种相变：在xy平面引发拓扑相变,在z方向引发体系由金属态向绝缘态的朗道相变。三维量子Hall效应最近在ZrTe5、HfTe5材料中观察到,与二维整数量子Hall效应的电阻平台出现在整数处不同,三维量子Hall效应的电阻平台出现在h/e²λ_F,z/2处,其中λ_F,z为电子在磁场z方向的费米波长。本文讨论量子Hall效应电阻平台出现以及纵向电阻消失的原因：朗道能级填满阻止左右边缘态电子的相互散射,保障了体系边缘的单向导电性和零电阻;用规范不变性理论推导三维量子Hall效应电阻平台的理论值,理论值与实验结果符合得很好;从自旋与轨道耦合理论出发,推导磁场在...     

径向磁场对霍尔推力器性能影响的数值模拟研究

霍尔推力器由于推力密度大、结构简单等特点,在商业航天领域具有广泛的应用前景.为了进一步提升小功率霍尔推力器的性能,克服低轨卫星用小功率霍尔推力器性能受限于输入功率和最大磁场强度的问题,本文利用数值模拟和理论分析方法研究了霍尔推力器放电通道中径向磁场分布对推力器性能的影响.在轴向磁场分布和最大径向磁场强度一定的情况下,通过改变径向磁场梯度实现径向磁场对推力器性能影响的研究.结果表明,在放电参数、推进剂流率以及轴向磁场不变的情况下,加速区的电势随着径向距离的增加而减小.因此,靠近推力器放电通道内壁侧的径向磁场梯度越大,离子沿着轴向漂移到达推力器出口的动能越大,推力器的推力越大.本文的研究结果为霍尔推力器的磁场设计,性能优化提供了理论支撑.     

矩形带的O-并的Hall半群及其强同余

得到了矩形带的O-并B的Hall半群S,得出了S的乘法公式,Green关系及其结构,进一步讨论了S的幂等元集E(S)的最小正规迹(?),得到结论(?)=D^(E(S)),最后得到S的最大幂等元分离同余μ=ε.     

离子推力器空心阴极热特性模拟分析

对离子推力器空心阴极进行了热分析。利用ANSYS有限元软件对阴极罩开启/闭合状态下的空心阴极热启动过程和达到稳态工作时温度场分布进行了模拟,结果表明稳态工作时空心阴极内部能量主要损耗在热阻丝和阴极顶部分,并且阴极罩及热屏是降低空心阴极温度损耗提高其热效率的关键部件,采用阴极罩及热屏后使得空心阴极的总体温度值提升了2.3%~13.2%,其中发射体温度提升2.3%~4.2%,热实验得出的实验数据与模拟结果基本一致,研究结果对空心阴极的优化设计提供参考。