Multipeak-structured photoluminescence mechanisms of as-prepared and oxidized Si nanoporous pillar arrays

Silicon dominates the electronic industry, but its poor optical properties mean that it is not preferred for photonic applications. Visible photoluminescence (PL) was observed from porous Si at room temperature in 1990, but the origin of these light emissions is still not fully understood. This paper reports that an Si nanocrystal, silicon nanoporous pillar array (Si-NPA) with strong visible PL has been prepared on a Si wafer substrate by the hydrothermal etching method. After annealing in O₂ atmosphere, the hydride coverage of the Si pillar internal surface is replaced by an oxide layer, which comprises of a great quantity of Si nanocrystal (nc-Si) particles and each of them are encapsulated by an Si oxide layer. Meanwhile a transition from efficient triple-peak PL bands from blue to red before annealing to strong double-peak blue PL bands after annealing is observed. Comparison of the structural, absorption and luminescence characteristics of the as-prepared and oxidized samples provides evidence for two competitive transition processes, the band-to-band recombination of the quantum confinement effect of nc-Si and the radiative recombination of excitons from the luminescent centres located at the surface of nc-Si units or in the Si oxide layers that cover the nc-Si units because of the different oxidation degrees. The sizes of nc-Si and the quality of the Si oxide surface are two major factors affecting two competitive processes. The smaller the size of nc-Si is and the stronger the oxidation degree of Si oxide layer is, the more beneficial for the luminescent centre recombination process to surpass the quantum confinement process is. The clarification on the origin of the photons may be important for the Si nanoporous pillar array to control both the PL band positions and the relative intensities according to future device requirements and further fabrication of optoelectronic nanodevices.     

浮栅ROM器件的辐射效应实验研究

浮栅ROM器件的质子和中子辐射效应实验结果表明，其31.9MeV质子和14MeV中子的辐射效应不是单粒子效应，而是一种总剂量效应。浮栅ROM器件的^60Coγ辐照实验验证了这一点，器件出现错误有个注量或剂量阈值。动态监测和静态加电的器件都出现数据错误，且不能用编程器重新写入数据。然而不加电的器件在更高注量的质子或中子或更高剂量的γ辐照下未出现错误，器件刚开始出错时，错误数及错误地址都是不确定的。     

甘氨酸-苯丙氨酸-甘氨酸-甘氨酸四肽气相稳定构型的系统寻找

利用PM3、HF和BHandHLYP方法的结合,系统寻找了甘氨酸-苯丙氨酸-甘氨酸-甘氨酸(GFGG)四肽在气相中的稳定构型．对该构型寻找方法进行了详细的描述,并给出了一些重要构型的基本参数,如电子能、零点振动能、偶极矩、转动常数、垂直电离能和不同温度的构型分布等．通过对重要构型结构特征的分析,发现熵的效应是决定构型稳定性的重要因素,并讨论指出了对构型偶极矩和特征振动模的测量是验证理论预言的有效途径．对GFGG构型与蛋白质二级结构的联系的分析表明,GFGG低能构型出现了类似于α-螺旋的局域结构,以及数量可观的蛋白质β转角和γ转角的局域结构.     

SOI无间距定向耦合光开关模型分析及设计

提出了一种简便可行的ＳＯＩ无间距定向耦合光开关（ＢＯＡ型－Ｂｉｆｕｒｃａｔｉｏｎ Ｏｐｔｉｑｕｅ Ａｃｔｉｖｅ）模型分析方法，采用等离子体色散效应这种光开关的电学调制机理；而用ｐｎ结大注入效应分析开拳电学性质；并根据大截面单模ＳＯＩ脊形波导理论和上棕分析，设计了利用双模干淑机制工作的这种器件的结构参数和电学参数。     

U-6Nb合金机加过程中的塑性变形及其消除方法

国外早在20世纪80年代初就已发现U-6Nb合金在机械加工过程中的尺寸不稳定性问题，并认为该现象可能是由于该合金所具有的高密度孪晶、低屈服应力及热弹性马氏体相变等特性共同作用的结果。结合U-6Nb合金的组织结构、机械加工工艺及热处理工艺，探讨U-6Nb合金在机械加工过程中产生塑性变形的原因并利用其具有形状记忆效应这一特性，采用200℃时效的方法探索其变形的消除方法。     

基于自聚焦效应的新型模斑变换器

提出了一种新型的基于渐变折射率波导自聚焦效应的模斑变换器,分析了均匀折射率波导和渐变折射率波导的模式场分布及传输特性,研究了自聚焦效应的原理。利用时域有限差分法,计算得到了该变换器的插入损耗和回波损耗,所提模斑变换器与现有的最好模斑变换器的性能相当,但长度缩短至其1/6。该新型模斑变换器可用于集成光学系统中。     

干摩擦条件下天然橡胶／钢的磨损机理研究

采用FALEX试验机考察了20^#钢／天然橡胶在干摩擦条件下的磨损机理。用扫描电子显微镜分析了20^#钢和橡胶磨损表面形貌。用X射线光电子能谱仪分析了金属和橡胶磨损表面元素的含量及化学状态,用镜面全反射傅立叶红外光谱仪分析了橡胶磨损表面官能团的变化。结果表明,20^#钢／天然橡胶摩擦副发生了粘着磨损,其磨损机制为：金属及金属氧化物与天然橡胶分子自由基在摩擦表面发生反应;在亚表层以金属与大分子自由基的反应为主,主要产物为含有Fe-C的金属－聚合物;金属本身发生氧化,主要产物为Fe2O3,FeO和Fe3O4,而在亚表层的主要产物以FeO为主,表面膜可能通过化学键、静电作用力和分子间的范德华力与金属基体相结合。     

中能区光学势的温度效应

本文在Skyr}e相互作用、核物质近似和自洽半经典方法的基础上，将微观光学势的自洽研究推J“到中能区(60-r300MeV)，研究了”+907r在该能区光学势的径向形状和温度效应     

r-过程路径核β——衰变半衰期的估算

分析了20 < A < 190范围内丰中子核β衰变的实验数据,根据半衰期随质子数、中子数以及衰变能变化所呈现的壳效应和对效应等特点,提出了一种有效估算丰中子核β衰变寿命的公式。新的计算公式形式简单包含了较少的参数、计算量小。用该公式能较为准确地再现丰中子核的β衰变半衰期。用RIKEN最新测量丰中子核半衰期检验了该公式的外推能力,本工作可以为r-过程研究提供可靠的输入数据。Experimental data of the β--decay half-lives for the nuclei with atomic number between 20 and 190 are investigated. We have systematically studied the shell effects and pairing effects on β--decay half-lives versus the decay energy Q and nucleon numbers (Z, N). An empirical formula has been proposed to calculate the β--decay half-lives of neutron-rich nuclei. The empirical formula is simple and has relatively few parameters. Experimental β--decay half-lives of the neutron-rich nuclei are well reproduced by the new formula. In addition, the extrapolating capacity of this formula has been checked with the very recent experimental data from RIKEN. The predicted half-lives for r-process relevant nuclei with the current formula can be served as the reliable input of r-process model calculations.     

超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应

对0.18 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究. 结果表明: 在相同累积剂量, SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损伤, 并且低剂量率辐照损伤要远大于高剂量率辐照加与低剂量率辐照时间相同的室温退火后的损伤. 虽然NMOSFET 低剂量率辐照损伤略小于高剂量率辐照损伤, 但室温退火后, 高剂量率辐照损伤同样要远小于低剂量率辐照损伤. 研究结果表明0.18 μm CMOS工艺器件的辐射损伤不是时间相关效应. 利用数值模拟的方法提出了解释CMOS器件剂量率效应的理论模型.