首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   8441篇
  免费   2121篇
  国内免费   661篇
化学   1300篇
晶体学   140篇
力学   1210篇
综合类   87篇
数学   1558篇
物理学   6928篇
  2024年   13篇
  2023年   66篇
  2022年   161篇
  2021年   152篇
  2020年   209篇
  2019年   216篇
  2018年   200篇
  2017年   267篇
  2016年   295篇
  2015年   294篇
  2014年   571篇
  2013年   639篇
  2012年   489篇
  2011年   694篇
  2010年   545篇
  2009年   601篇
  2008年   650篇
  2007年   606篇
  2006年   585篇
  2005年   496篇
  2004年   456篇
  2003年   396篇
  2002年   368篇
  2001年   353篇
  2000年   329篇
  1999年   247篇
  1998年   242篇
  1997年   186篇
  1996年   156篇
  1995年   114篇
  1994年   87篇
  1993年   82篇
  1992年   70篇
  1991年   55篇
  1990年   45篇
  1989年   41篇
  1988年   32篇
  1987年   31篇
  1986年   24篇
  1985年   18篇
  1984年   17篇
  1983年   14篇
  1982年   16篇
  1981年   11篇
  1980年   13篇
  1979年   18篇
  1978年   13篇
  1976年   9篇
  1974年   8篇
  1973年   8篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
The influence of Ge deposition prior to carbon interaction with 3° off‐axis Si(111) substrates on the structural and morphological properties of the formed silicon carbide (SiC) layer is studied. In situ reflection high‐energy electron diffraction (RHEED) and X‐ray diffraction (XRD) revealed the formation of the cubic silicon carbide (3C‐SiC) modification. In situ spectroscopic ellipsometry measurements revealed a decreasing 3C‐SiC thickness with increasing Ge predeposition. Atomic force microscopy (AFM) studies revealed that the surface overlayer morphology is mainly formed by periodic step arrangements whose relevant geometric parameters, i.e. lateral separation, height and terrace width, depend on the Ge content. Besides the changes of the step morphology, the surface roughness and the grain size and the strain of the formed 3C‐SiC decreases with increasing germanium precoverage. Copyright © 2008 John Wiley & Sons, Ltd.  相似文献   
992.
在双掺杂 (Fe ,Mn)…LiNbO3 晶体光色效应非挥发性全息存储实验中 ,观测到光束耦合作用导致的自增强和自衰减效应。根据这种自衍射效应 ,归纳了四种记录和光固定实验组合方案。实验结果表明 ,在记录和光固定过程中利用自增强效应得到的最高衍射效率为利用自衰减效应得到的衍射效率的两倍左右 ,说明在实际应用中必须考虑和利用自增强效应。  相似文献   
993.
本文介绍了通过测量束流在输运管壁上形成的感应电流,来确定直线感应加速器束流大小、位置的一种方法。实验证明,这种测量方法不会影响电子束在管道中的传输,且测量精度高,装置简单,并可装在真空系统的外面,便于维修。  相似文献   
994.
We obtain several extensions of Talagrand’s lower bound for the small deviation probability using metric entropy. For Gaussian processes, our investigations are focused on processes with sub-polynomial and, respectively, exponential behaviour of covering numbers. The corresponding results are also proved for non-Gaussian symmetric stable processes, both for the cases of critically small and critically large entropy. The results extensively use the classical chaining technique; at the same time they are meant to explore the limits of this method.  相似文献   
995.
HLS新研制的束流位置探测器定标和误差分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了NSRL二期工程中,为存储环上注入段真空盒改造而新研制的8组束流位置探测器的定标和数据处理过程及其探头定标电场的拟合和误差计算结果.介绍了专门用于BPM信号处理模块的电子学系统以及它的运行性能.  相似文献   
996.
The kinetic theory based on the expansion of local field in the guiding center coordinate system, presented by paper[1]–[3], has successfully developed into a theoretical system. The mathematical background and physical explanation of setting up the guiding center coordinate system is expounded in the paper. By using the methods of the guiding center and waveguide coordinate systems respectively, the same dispersion equations for interaction of an axially symmetrical single momentum electron beam with TEmn field in the circular waveguide are rigorously derived. A number of mistakes in paper[4] are indicated as well.  相似文献   
997.
HfO2 dielectric layers were grown directly on the p-type Si (1 0 0) by metalorganic molecular beam epitaxy (MOMBE). Hafnium tetra-butoxide was used as a Hf precursor and pure oxygen was introduced to form an oxide layer. The properties of the layers with different thicknesses were evaluated by X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), and capacitance–voltage (CV) and current–voltage (IV) analyses. XRD and HRTEM results showed that the HfO2 films thinner than 12 nm were amorphous while the films thicker than 12 nm began to crystallize in the tetragonal and the monoclinic phases. The XPS spectra of O 1s show that the O---Si binding energies shifted to the lower binding energy with increasing the HfO2 layer thickness. Moreover, the snap back phenomenon is observed in accumulation capacitance. These changes are believed to be linked with the decomposition of SiO and the crystallization of HfO2 layer during the film growth.  相似文献   
998.
在光信息综合实验中,在分析氦氖激光器的优缺点的基础上,阐述了半导体激光器的显著优点以及存在的一些局限性。利用实验室现有的器件,引导学生对半导体激光器进行了光束准直和整形以提高激光器的性能,并用已优化的半导体激光器作为光源进行了全息光栅和全息透镜的制备以及电光调制和液晶光阀等实验。结果表明,性能改善的半导体激光器完全可以取代氦氖激光器,可满足光信息综合实验的要求。在整个设计制作过程中,培养了学生分析问题和解决问题的能力。  相似文献   
999.
This is the fourth article of our series. Here, we study weighted norm inequalities for the Riesz transform of the Laplace–Beltrami operator on Riemannian manifolds and of subelliptic sum of squares on Lie groups, under the doubling volume property and Gaussian upper bounds.   相似文献   
1000.
本文主要给出了三维Minkowski空间中非类光曲线的双曲达布像和从切高斯曲面的奇点分类,并且建立了奇点和曲线几何不变量之间的联系,其中曲线几何不变量与曲线同螺线切触的阶数密切相关.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号