利用半导体光放大器进行光脉冲消基座的理论研究

提出了一种利用半导体光放大器(SOA)联合可调谐光滤波器进行高阶孤子压缩消基座的新方法.进行了详尽的理论分析和优化.数值计算表明,在一定条件下,这种方法能够在不展宽脉冲的前提下,对基座进行有效地抑制.     

用光来操纵活性生物分子

 现在展示在你面前的照片是一个红血球细胞(图1上)以及它被拉伸而变形的情形(图1下)。这是奥斯汀德克萨斯大学的一个研究组进行的研究细胞弹性的实验。他们用激光作工具,利用光进入细胞时产生的对细胞的作用力使细胞拉长,拉伸程度与激光的强度有关。由于细胞被癌病侵害后其弹性会发生改变,用这个办法能够筛选出有病细胞的数量。德克萨斯大学的这个实验也成功地证明了,如果一束激光照到一个完整的生物细胞上,在光进入细胞时对细胞有一个与进入方向相反的作用力,在光射出细胞时对细胞有一个与射出方向相同的作用力。那么这力是怎样产生的呢?其原理实际上并不很深奥。     

F／Cl比与Eu~（2＋）：BaFCl中F色心的浓度和光激励截面的关系

研究了Ｅｕ（２＋）：ＢａＦｘＣｌ２在紫外线辐照下的光激励发光。通过改变激励方式及激励光的扫描方向，给出了Ｅｕ（２＋）：ＢａＦｘＣｌ２－ｘ光激励发光过程中，两种Ｆ色心的浓度比值与光激励截面比值的测定方法。利用这种测定方法，进一步研究了两种Ｆ色心的浓度比值和光激励截面比值与Ｆ／ＣＩ比值的关系。     

APON系统ONT中AAL5CPCS子层的实现

本文介绍了APON的系统结构和网络分层，并根据AAL5 CPCS子层实现的功能及DSP的优良特性，给出了APON系统ONT中AAL5公共会聚子层的一种实现方案，即应用DSP实现CPCS子层的各项功能。     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。     

η-Invariant and Flat Vector Bundles

Abstract We present an alternate definition of the mod Z component of the Atiyah-Patodi-Singer η invariant associated to (not necessary unitary) flat vector bundles, which identifies explicitly its real and imaginary parts. This is done by combining a deformation of flat connections introduced in a previous paper with the analytic continuation procedure appearing in the original article of Atiyah, Patodi and Singer. * Project supported by the Cheung-Kong Scholarship of the Ministry of Education of China and the 973 Project of the Ministry of Science and Technology of China. (Dedicated to the memory of Shiing-Shen Chern)     

磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜

采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系.     

正电子产生靶上初级电子束半径的最小化研究

为获得尽可能高的正电子(e⁺)产额,严格控制初级电子(e^－)束在e⁺产生靶上的束半径是至关重要的.首先分析了使e^－束半径增大的各因素和对这些因素的制约;然后以北京正负电子对撞机(BEPC)的正电子源为例,给出了束半径的实测值和计算值的比较,以具体说明这些因素的影响;最后讨论了北京正负电子对撞机二期工程(BEPC-Ⅱ)的相应优化设计研究,提出了获得靶上最小束半径的若干途径.     

Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数

考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ－Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数，特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好，而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。     

Lorentz-Compton佯谬与一个双赢判决性散射实验设计

通过对“可见光区域是否存在Compton效应”的讨论而进一步深化到经典条件下“光的量子理论能否包含光的经典电磁理论”的实验验证,发现了Lorentz-Compton佯谬,并基于逆Compton散射设计了一个敏感而又可行的双赢判决性散射实验来解决此佯谬。