结温对高压白光LED光谱特性的影响

高压LED因其自身突出的特点在照明领域有着潜在的应用优势,但作为一种新型功率LED,其光电热特性仍需深入研究。该实验对6和9V GaN基高压LED芯片进行了相同结构和工艺条件的封装,对封装样品进行了10~70℃的变温度光谱测试,并进行了从控温平台温度到器件结温的转换。为保证器件的电流密度相同,6和9V样品光谱测试的工作电流分别设定为150和100mA。结果显示,结温升高会导致蓝光峰值波长红移、波长半高宽增大、光效下降和显色指数上升等现象。在相同平台温度和注入功率下,9V样品的结温低于6V样品;随着温度的升高,9V样品波长半高宽的增加量比6V样品少1.3nm,光效下降量少1.13lm·W~(-1),显色指数上升量少0.28。以上表明,与低压LED相比,高压LED有着更低的工作结温和更小的温度影响。原因在于,相同环境温度下高压LED具有更好的电流扩展性和更少的发热量。此特性在高压LED的研究、发展与应用等方面具有参考价值。此外,峰值波长仍与结温有着较好的线性度,在光谱设备精度较高的情况下可继续作为结温的敏感参数。     

Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究

采用原子层淀积(ALD)实现了10nm Al₂O₃为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT). 通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比,验证了新型MOS-HEMT器件饱和电流和泄漏电流的优势. 通过分析MOS-HEMT器件在30—180℃之间特性的变化规律,与国内报道的传统MES-HEMT器件随温度退化程度对比,得出了器件饱和电流和跨导的退化主要是由于输运特性退化造成的,证明栅介质减小了引 关键词： 原子层淀积 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件 温度特性     

水热合成ZnS:Cu,Al纳米晶体及其全色发射光谱特性

报道了水热法(200℃)直接合成的ZnS:Cu,Al纳米晶及其发光特性.ZnS:Cu,Al纳米晶粒径约15 nm,尺寸分布窄,分散性好,具有纯立方相的类球形结构.借助X射线能谱法(EDX)和原子吸收光谱仪,研究了样品中S,Zn和Cu的含量并详细研究了光致发光(PL)光谱的特性.结果证明存在大量Zn空缺,Cu离子经过水热处理后已掺入到ZnS基体中.PL光谱特性为:样品的激发谱为宽带谱,337 nm激发时样品发出很强的绿光,370～420 nm之间任意波长激发时,发射谱均为宽带谱,且它们基本重合.表明此材料作为近紫外(370～410 nm)发光二极管((n)-UV(370～410 nm)LED)用荧光粉及全色荧光粉具有很大的应用潜力.样品在375 nm激发下全色宽带发射谱是460,510和576 nm带光谱的高斯叠加.当Cu/Zn,Cu/Al和S/Zn分别为3×10-4,2和3.0时,于室内照明条件下肉眼可观察到白色发光.     

Observation of β-Relaxation in Sub-Tg Isothermally Annealed Al-Based Metallic Glasses

Al85Ni5 Y8Ca2 and Al88Ni5 Y6Co2Fe2 metallic glasses are fabricated by melt spinning. A kink or a small exothermic peak is observed for both the samples isothermally annealed at sub-glass transition temperatures. Temperature modulated differential scanning calorimetry （TMDSC） data disapprove amorphous phase separation. The activation energies derived from Kissinger plots of the exothermic process on DSC curve around glass transition temperature are consistent with those of β-relaxation of metallic glasses.     

HXCO（X=F,Cl）解离和异构通道中的取代基效应

本文在２００－１３００Ｋ温度范围内，计算了ＨＸＣＯ、ＸＣＯＨ和ＨＣＯＸ解离和异构化反应的Ｇｉｂｂｓ自由能改变、热效应、速度常数以及Ｗｉｇｎｅｒ校正系数，讨论了取代基对反应的热力学和动力学参量的影响。结果表明：（１）取代基对反应的热力学量和速度常数影响较大，但影响结果因反应机理不同而异；（２）当反应所断裂化学键不直接连接取代基，则取代基对隧道效应影响较小；（３）仅用电子能量判断分子的稳定性是不可靠的     

汽包锅炉炉内局部结渣实时诊断研究

研究了汽包锅炉炉膛内局部结渣的故障诊断问题.选取膜式水冷壁背火侧三个温度点──鳍端温度、鳍根温度和管外壁中点温度──作为炉内局部结渣故障特征参数,使用灰渣层热阻反映炉内水冷壁局部结渣程度,运用径向基函数网络建立起描述故障特征参数和局部结渣程度之间高度非线性映射关系的故障诊断模型.实例分析表明:该方法诊断结果准确,无需布置昂贵的热流计,是一种有效的诊断炉内局部结渣的故障诊断方法.     

Enhancing visible-light photocatalytic activity of α-Bi2O3 via non-metal N and S doping

In recent years, some important research indicated that the visible-light activity of photocatalysts could be enhanced via incorporating p-block non-metal elements into the lattice. In this paper, we investigated the electronic structures of pure and different non-metal （C, N, S, F, Cl, and Br） doped α-Bi2O3 using first-principles calculations based on the density functional theory. The band structures, the electronic densities of states, and the effective masses of electrons and holes for doped α-Bi2O3 were obtained and analyzed. The N and S dopings narrowed the band gap and reduced the effective mass of the carriers, which are beneficial for the photocatalytic performance. The theoretical predication was further confirmed by the experimental results.     

基于白光干涉彩色图像的微结构表面形貌测量

微结构的表面形貌会显著地影响微纳器件的使用性能及产品质量,是微纳测试领域的一个重要研究方面,利用白光干涉技术是测量物体表面形貌的一种常见方法。区别于常用的CCD黑白相机,使用CCD彩色相机采集白光干涉条纹的彩色图像,使获取的图像包含了R、G、B三个通道的信息。利用小波变换法分别求解出在不同扫描位置处R、G、B通道的相位信息,通过建立的评价函数,并结合最小二乘法可精确确定零光程差的位置,利用相对高度和零光程差位置的线性关系,进而得到物体的表面形貌。通过仿真以及实际测量由VLSI标准公司制造的标准台阶结构,验证了所提出方法的有效性。     

An alternative phase modulator half-wave voltage measurement based on photonic link

We measure the half-wave voltage of LiNbO 3 phase modulators in a 26-GHz wideband frequency range, and then analyze it by the phase modulation photonic peak gain linked to the interferometric demodulation. The optical interferometer is constructed with two 50:50 couplers and two fiber arms with a 1-m difference in fiber length. The photonic link gain peaks are frequency dependent, as indicated by the differential time delay in the interferometer. The procedure described is a new and practical half-wave voltage measurement method that can accurately predict the nonlinear frequency characteristics of the phase modulator. Moreover, the method can be applied to various types of LiNbO 3 phase modulators.