全文获取类型
收费全文 | 6380篇 |
免费 | 2121篇 |
国内免费 | 3377篇 |
专业分类
化学 | 6281篇 |
晶体学 | 545篇 |
力学 | 607篇 |
综合类 | 156篇 |
数学 | 356篇 |
物理学 | 3933篇 |
出版年
2024年 | 75篇 |
2023年 | 266篇 |
2022年 | 363篇 |
2021年 | 407篇 |
2020年 | 346篇 |
2019年 | 389篇 |
2018年 | 327篇 |
2017年 | 409篇 |
2016年 | 437篇 |
2015年 | 498篇 |
2014年 | 726篇 |
2013年 | 687篇 |
2012年 | 678篇 |
2011年 | 642篇 |
2010年 | 546篇 |
2009年 | 619篇 |
2008年 | 676篇 |
2007年 | 614篇 |
2006年 | 599篇 |
2005年 | 530篇 |
2004年 | 387篇 |
2003年 | 238篇 |
2002年 | 223篇 |
2001年 | 239篇 |
2000年 | 186篇 |
1999年 | 138篇 |
1998年 | 95篇 |
1997年 | 61篇 |
1996年 | 81篇 |
1995年 | 43篇 |
1994年 | 49篇 |
1993年 | 48篇 |
1992年 | 69篇 |
1991年 | 60篇 |
1990年 | 45篇 |
1989年 | 34篇 |
1988年 | 21篇 |
1987年 | 10篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 10篇 |
1983年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
931.
285 nm紫外激光照射下,用时间分辨电子自旋共振(TRESR)波谱仪研究了光解丙酮/1,2-丙二醇(ACETONE/PG)体系,得到了丙酮羰自由基(CH3)2.COH和1,2-丙二醇羰自由基CH3.COHCHOH的发射/吸收(E/A)型极化信号,这是一个自由基对(RPM)极化过程。在酸性环境中,溶剂分子的CIDEP谱明显减弱,(CH3)2.COH的CIDEP谱无明显变化,由此可判断光解ACETONE/PG体系是一个夺氢反应;在碱性环境中,(CH3)2.COH反应生成负离子基(CH3)2.CO-. 相似文献
932.
ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱特性 总被引:1,自引:0,他引:1
对采用溶胶凝胶法制备的ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱性质进行了测试分析.UV-Vis透射光谱中观察到光吸收边相对于体相半导体有明显蓝移.稳态发射光谱(PL)中观察到ZnSe纳米晶体的位于蓝区的基本呈高斯分布的弱的最低激子发射峰、强而宽的表面态发光带以及对应杂质能级的三个锐峰发光.时间分辨荧光光谱(TRPL)中观察到发光效率高的最低激子发射峰,并测量其荧光衰减寿命,经尾部拟合为28.5 ps.同时,结合有效质量近似(EMA)模型,估计ZnSe纳米晶体的平均粒径介于2.45~3.60 nm之间,尺寸分布基本呈高斯型. 相似文献
933.
利用第一性原理中的DFT理论研究了Fe/Al界面的能量学和电子结构,讨论了替位型掺杂的元素Zn、Mn、Ni在Fe/Al界面处的作用.结果表明:元素Zn、Mn、Ni都会优先替换界面处的Fe原子,使得界面结合能增加,体系更稳定,有利于界面的结合;跨界面的Fe原子与Al原子之间的电荷布居、键长以及差分电荷密度图的计算表明:掺杂后有利于跨界面的Fe-Al间成键,从而加强了Al层与Fe基体的结合,且结合强度由强到弱依次为:掺Zn>掺Mn>掺Ni;与实验比较吻合.最后对掺杂Zn的增韧机理加以解释. 相似文献
934.
935.
936.
937.
采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了-10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明:随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出:该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义. 相似文献
938.
通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0 Δ0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E0 Δ0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0 Δ0能级与带边E0共享了共同的导带位置Γ6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0 Δ0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0 Δ0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具. 相似文献
939.
940.
非设计工况下1+1/2对转涡轮性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了研究和改善1 1/2对转涡轮性能,本文对1 1/2对转涡轮两种转速下不同落压比共16种工况进行了数值研究,并与实验结果进行了对照.结果表明近设计工况下计算结果和实验值吻合较好.1 1/2对转涡轮出口背压对高压转子性能影响较小,对低压转子性能影响较大,这导致变工况下1 1/2对转涡轮高低压轴出功比变化较大.通过对某典型非设计工况和设计工况下的流场结构的分析发现非设计工况下1 1/2对转涡轮高压动叶中发生了明显的流动分离.高低压动叶不能很好地匹配,需要采取合理的流动控制措施去改善已有1 1/2对转涡轮的变工况性能. 相似文献