GeⅢ实激发组态4p5p及偶宇称高激发态能级的理论计算

利用多通道量子数损理论（ＭＱＤＴ）对二价锗离子ＧｅⅢ偶宇称１１个Ｒｙｄｂｅｒｇ序列的高激发能级进行了计算和分析，预言了各序列ｎ＜５０的高激发态能级的位置，讨论了实激态对主序列的干扰，首次预言了实激发组态４ｐ５ｐ各谱项的位置。     

NEA GaAs光电阴极激活工艺研究

本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度.     

自发有序Ga0.5In0.5P合金的静压光致发光研究

在０—７ＧＰａ静压范围内测量了自发有序Ga_0.5In_0.5P合金的室温光致发光谱．三块样品的常压带隙能量分别比无序样品低１１５，９２和４３ｍｅＶ，它们的压力系数也从无序样品的９２ｍｅＶ／ＧＰａ分别减小到７５，８１和８３ｍｅＶ／ＧＰａ．用Γ-Ｌ相互作用模型可以同时解释有序合金的带隙能量的降低以及压力系数的减小．得到的Γ-Ｌ相互作用势分别为０.１９，０.１５和０.１０ｅＶ．表明在自发有序Ga_0.5In_0.5P合金中存在着的     

光致折变布拉格光栅实验研究

本文介绍了 2 48nm、Kr F准分子激光经过石英相位掩膜版的空间调制 ,在载氢增敏处理过的通信光纤与 B/Ge光纤上分别写入光致折变布拉格光栅的实验研究。经实验测定 ,在光栅布拉格波长上 (λH2 =15 46 .45 5 4nm ,λB/Ge=15 45 .15 5 nm) ,两种光栅反射率均大于 99% ,3d B带宽分别为 0 .12 9nm和 0 .182 nm。经比较 ,B/ Ge光纤比氢载光纤具有更好的光敏性和热稳定性     

MSM结构GaAs探测器的抗辐照性能

研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在14MeV中子辐照下的性能.测量了探测器经过10¹²n/cm²中子辐照剂量后的反向漏电流、电荷收集效率和最小电离粒子能谱,并且与⁶⁰Co 1.25MeV光子辐照的测量结果相比较.对中子辐照引起探测器时间性能变化和辐照损伤机制进行了探讨.并根据实验结果提出了这种双金属接触GaAs探测器灵敏层分布的一种假设,理论计算和实验数据相符合.     

太阳电池发展现状与我国阳光发电规划

介绍了我国及其他一些国家太阳电池的发展情况,列举了单晶硅、多晶硅、砷化镓、磷化铟及铜铟硒等半导体材料制备的太阳电池的结构、性能指标及产量价格等数据,也报道了我国太阳电池的研制彻头彻尾主近年生产、应用规划,此外还概述了太阳的发展远景。     

薄膜太阳电池的研究进展

介绍了薄膜太阳电池在光伏技术中的位置,详细叙述了非晶硅,铜铟锡,碲化镉等主要薄膜太阳电池的基本结构,制造方法,研究进展和现状,指出了存在的关键问题和解决的途径,并介绍了薄膜太阳电池的发展趋势和应用前景。     

GaAs被动调Q Nd:YAG激光器激光特性的研究

报道了用半导体材料 Ga As实现氙灯抽运 Nd:YAG激光器的被动调 Q运转 ,测量了激光器的阈值、脉冲宽度和输出能量。从 Ga As的能级结构出发 ,理论上研究了 Ga As材料的饱和吸收原理 ,建立了调 Q激光器速率方程并给出了数值解 ,对理论结果与实验结果进行了比较和讨论。     

异质结太阳电池硅衬底绒面陷光结构的优化

硅异质结(SHJ)太阳电池作为备受关注的新型高效太阳电池,是在单晶硅表面沉积非晶硅薄膜制备而成的。将绒面结构的单晶硅衬底应用于异质结太阳电池,可以减少光的反射,增强光吸收的效率,从而提高太阳电池短路电流密度。利用湿法化学腐蚀对单晶硅衬底表面进行制绒,通过优化影响绒面形貌的几个关键参数,包括异丙醇浓度、时间、衬底类型和硅酸钠的含量,最终通过在n型单晶硅衬底上制绒,使波长为1011 nm处最低反射率从制绒前的34.7%降低到了9.14%,将制绒衬底应用到异质结太阳电池上,短路电流由32.06 m A/cm-2提升到36.16 m A/cm-2,有效地改善了SHJ太阳电池的性能。