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71.
《Electroanalysis》2017,29(8):1840-1849
The integration of biomolecular logic principles with electronic transducers allows designing novel digital biosensors with direct electrical output, logically triggered drug‐release, and closed‐loop sense/act/treat systems. This opens new opportunities for advanced personalized medicine in the context of theranostics. In the present work, we will discuss selected examples of recent developments in the field of interfacing enzyme logic gates with electrodes and semiconductor field‐effect devices. Special attention is given to an enzyme OR/Reset logic gate based on a capacitive field‐effect electrolyte‐insulator‐semiconductor sensor modified with a multi‐enzyme membrane. Further examples are a digital adrenaline biosensor based on an AND logic gate with binary YES/NO output and an integrated closed‐loop sense/act/treat system comprising an amperometric glucose sensor, a hydrogel actuator, and an insulin (drug) sensor. 相似文献
72.
73.
David C. Magri 《Supramolecular chemistry》2017,29(10):741-748
AbstractFrom the cross-fertilisation of fluorescent pH indicators and fluorescent redox switches, our group has established a new class of molecular sensor that operates as two-input molecular logic gates. These molecular sensors, known as ‘Pourbaix sensors’, are named in honour of Marcel Pourbaix, who developed the pH–potential diagrams for the various states of metal ion species in aqueous solution. This review highlights the evolution of ‘Pourbaix sensors’ based on anthracene and naphthalimide fluorophores. Potential applications of this class of molecule in fields such as corrosion science, cell biology and biomedical diagnostics are highlighted. 相似文献
74.
75.
根据绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作特性,研究设计了一种应用于脉冲功率系统的开关驱动电路,实现了IGBT的快速开通。阐述了驱动电路的原理,设计了基于平面变压器的驱动电路,在驱动芯片基础上为栅极提供幅值为60 V脉冲电压,提高开关速度。最后使用Blumlein双线结构对驱动电路的性能进行了实验验证。应用这种驱动方式,提高了集电极电流上升速率。实验结果表明,在1000 V的工作电压下,通过IGBT的脉冲电流达到了470.53 A,脉冲前沿为40 ns,di/dt达到9.41 A/ns,相比数据手册提供的数据,该电流上升速度提高了7.53倍,实现了对IGBT的快速驱动。 相似文献
76.
77.
78.
弧形泄水闸是水利枢纽工程中常见的挡水、泄水建筑物,其在关闭或开启过程中或者局部开启运行时,在水流脉动压力作用下会产生振动,容易引起闸门结构破坏。本文针对边孔闸门与中孔闸门不同的水流边界条件特点,制作了带导流墙与无导流墙两个弧形闸门模型。在实验室内开展了不同库水位、不同闸门开度下的物理模型试验,并对两个模型上大量测点的水流脉动压力数据进行比较分析。试验表明,导流墙的存在对脉动压力主频的影响较小,但对脉动压力均方根值影响较大;在较高库水位下相对开度位于0.2至0.3区间内时,导流墙的存在不但不会改善闸门的受力状况,反而还会导致受力增强。 相似文献
79.
Scheme for teleporting an unknown atomic state to any node in a quantum communication network 下载免费PDF全文
We propose a scheme for teleporting an unknown atomic state. In order to realize the teleportation to any node in a quantum communication network, an n-atom Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) state is needed, which is utilized as the quantum channel. From this n-atom GHZ state, two-node entanglement of processing and receiving teleported states can be obtained through the quantum logic gate manipulation. Finally, for the unequally weighted GHZ state, probabilistic teleportation is shown. 相似文献
80.
用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量
关键词:
薄氧
可靠性
击穿电压
击穿电量 相似文献