25MeV/u6He+9Be反应的轻粒子发射

在25MeV/u ⁶He与⁹Be靶的反应中,107°和128°处明显地观察到了轻粒子发射.粒子能谱形状与平衡热源蒸发相一致,分析得到热源的核温度为完全熔合条件下的5.6MeV或非完全熔合条件下的5.2MeV .实验发现发射氚的数量特别大,这可能与目前广泛研究的⁶He的集团结构和同位旋效应有关.     

非因子化方法研究D~+→ ■~0K~+衰变(英文)

在领头阶和αs 修正阶 ,用QCD因子化方法 ,并对它的软胶子效应用光锥QCD求和规则分析D+ → K0 K+ 衰变过程 ,我们分析发现朴素因子化方法的结果远离实验结果 ,QCD因子化方法结果靠近实验结果 ,但是 ,在QCD因子化方法中 ,若考虑软胶子效应 ,其结果与实验结果相一致 .另外 ,计算发现 ,软胶子效应在该衰变道中有相当大的贡献 ,因此不能被忽略     

On a free group of transformations defined by an automaton

We prove that three automorphisms of the rooted binary tree defined by a certain 3-state automaton generate a free non-Abelian group of rank 3. Both authors are supported by the NSF grants DMS-0308985 and DMS-0456185. Yaroslav Vorobets is supported by a Clay Research Scholarship.     

不同温度均匀二半空间接触后产生的辐射场

 应用电磁线路中涨落耗散理论，推导了不同温度均匀二半空间接触后产生辐射场密度的公式。将此公式近似展开后，即得Grover和Urtiew所获得的表示式，不过多了一松弛项，该项如用非富里叶热传导理论推导，也是存在的。该结果和实验结果一致，不过这里的松驰时间可以应用介质性质进行计算。     

腔靶等离子体辐射温度空间分布测量

本文描述了用膜吸收法测量激光等离子体辐射温度空间分布的原理和方法给出了柱形缝靶轴向辐射温度随空间位置变化的特征,对测量结果进行了分析讨论。     

几种约束广义逆矩阵的有限算法

1引言与引理众所周知，关于非奇异方阵的正则逆的有限算法是由Faddeev大给在1949年之前提出的，这就是著名的Faddeev算法[1，P…334-336]。自从五十年代中期广义逆矩阵的研究复兴与发展以来，有不少学者提出了关于广义逆矩阵的有限算法。第一个给出关于广义逆矩     

Cr^4＋：YAG,Cr^4＋：Mg2SiO4近红外荧光辐射温度特性研究

测量了Ｃｒ＾４＋，ＹＡＧ、Ｃｒ＾４＋，Ｍｇ２ＳｉＯ４晶体在室温和液氮温度下的荧光光谱，吸收光谱和激发态寿命，讨论了温度变化时，两种晶体中Ｃｒ＾４＋近红外辐射积分强度变化与激光发态寿命变化的关系，得出结论：在７７Ｋ￣３００Ｋ范围内，Ｃｒ＾４＋的＾３Ｔ２能级荧光辐射截面本身受温度影响不大，Ｃｒ＾４＋辐射荧光的变化，主要是由无辐射弛豫速率随温度变化而引起的。     

Study of hot bands in the B2Σ+u-X2Σ+g system of C-2 anion

Optical heterodyne magnetic rotation enhanced velocity modulation spectroscopy was employed to observe the visible absorption spectra of the B^2Σ^+_u-X^2Σ^+_g electronic transition of C^-_2. Four hot bands (0,1), (1,2), (2,3) and (3,4) have been observed and the band (3,4) is measured directly for the first time, so far as we know, by absorption. A rotational analysis was carried out to obtain molecular constants. With the Franck－Condon principle and the vibrational Boltzmann distribution, we have estimated the vibrational temperature of C^-_2 to be about 3000K.     

Effective-field theory and the nuclear many-body problem

We review many-body calculations of the equation of state of dilute neutron matter in the context of effective-field theories of the nucleon-nucleon interaction.     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.