纳米隧道结的量子电容现象

利用STM针尖和二维Au纳米团簇构造的双隧道结，通过对单电子隧穿谱的测量，研究了纳米隧道结的电容随隧道结宽度的变化，发现电容随结宽度的变化偏离了经典电容的行为，为纳米隧道结的量子电容效应提供了实验证据。     

蝴蝶效应

 “蝴蝶效应”也可称“台球效应”,它是“混沌性系统”对初值极为敏感的形象化术语,也是非线性系统在一定条件(可称为“临界性条件”或“阈值条件”)出现混沌现象的直接原因。     

BaCl2微晶辐照损伤的电子自旋共振研究

用电子自旋共振(ESR)方法研究发光基质材料BaCl₂的X射线和γ射线辐照损伤及其恢复的情况,发现样品由X射线引起的辐照损伤,在日光下仅两分钟便能完全恢复;而γ射线引起的辐照损伤则很难完全恢复。 关键词：     

BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型

本文分析了BaTiO₃半导体陶瓷的Daniels模型存在的问题,提出了从PTC特性向边界层电容效应过渡的晶界势垒模型,解决了Daniels模型的缺陷,使BaTiO₃半导瓷及其有关器件的物理性能的定量计算成为可能。     

单电子晶体管

由电子束纳米微刻技术制成的单电子晶体管呈现了新的物理现象：单电子隧穿效应和电荷宇称效应．这些发现为创造新型的电子器件开辟了光明前景，包括可以用比最基本电荷ｅ还小的电荷量来调制电流，处理以单电子为单位的电脑数字信息，并且也可发展成高度灵敏的微波探测器．     

磁场效应下分子发光行为的研究：Ⅲ.痕量蒽,北同时MFE共振同步…

本文建立了痕量蒽、北的同时磁场效应（ＭＦＥ）共振同步荧光分析方法，该法能有效地抑制同步描述过程中散射光的波动而使在低试样浓度下测定蒽、北的灵敏度提高。蒽和北的检测限分别为０．１４和０．０２７ｎｇ／ｍｌ。相对标准偏差不大于６％。     

KTiOPO4晶体纵横模劈裂的喇曼谱

在室温下测量了ＫＴｉＯＰＯ₄单晶的偏振喇曼散射谱，应用９０°散射及背散射得到了各模的峰位值，其中Ｂ₁（ＬＯ）模、Ｂ₂（ＬＯ）模的喇曼谱测量尚未见报道过。根据ＬＯ－ＴＯ劈裂的实验结果，计算出该晶体极化模的有效电荷、振子强度及沿对称轴方向的静态介电常数。 关键词：     

半导体致冷技术

本文阐述半导体致冷的物理原理以及半导体冰箱的结构、工作原理和应用前景。     

氯原子光诱导能级移动和增宽

应用半经典的微扰论方法计算出了氯原子光诱导能级移动和增宽，其大小与光强成正比。光频率为41018cm^-1时，氯原子初态3p^52P3/2^0和3p^52P1/2^0在非共振情况下，光移动分别为67．6和26．9MHz/Wμm^-2。当激光频率V接近3P^52P3／2^0→4s^2P3/2的跃迁频率时，氯原子基态3p^52P3/2^0的|MJ,MI>=|-1/2,3/2>→|1/2,3/2>超精细ESR谱线发生近共振频率光移动，大小量级为0．1MHz/Wμm^-2，能级增宽一般远小于光移动。