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31.
非傍轴平顶高斯光束M2因子两种定义的比较研究 总被引:3,自引:2,他引:1
基于功率密度的二阶矩方法,推导出了非傍轴平顶高斯(FG)光束束宽和远场发散角的解析表达式·研究表明,当w0/λ→0时,远场发散角趋于渐近值θmax=63.435°,与阶数无关·使用非傍轴高斯光束代替傍轴高斯光束作为理想光束,研究了非傍轴FG光束的M2因子,并与传统定义的M2因子作了比较·在非傍轴范畴,非傍轴FG光束的M2因子不仅与阶数N有关,而且与w0/λ有关·按照定义,当w0/λ→0时,非傍轴FG光束的M2因子不等于0,对阶数N=1,2,3时,M2因子分别趋于0.913,0.882和0.886·当N→∞时,M2因子取最小值M2min=0.816· 相似文献
32.
一个仓库多个销售点的存货策略 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍由Robin Roundy[1]提出的“一个仓库多个销售点存货系统”的一种近似最优存货策略-q-最优整数比率策略,它具有94%以上的效率.文中通过实例介绍这一策略的具体算法及其所具效率. 相似文献
33.
非傍轴平顶高斯光束M2因子两种定义的比较研究 总被引:1,自引:1,他引:0
基于功率密度的二阶矩方法,推导出了非傍轴平顶高斯(FG)光束束宽和远场发散角的解析表达式.研究表明,当w0/λ→0时,远场发散角趋于渐近值θmax=63.435°,与阶数无关.使用非傍轴高斯光束代替傍轴高斯光束作为理想光束,研究了非傍轴FG光束的M2因子,并与传统定义的M2因子作了比较.在非傍轴范畴,非傍轴FG光束的M2因子不仅与阶数N有关,而且与w0/λ有关.按照定义,当w0/λ→0时,非傍轴FG光束的M2因子不等于0,对阶数N=1, 2, 3时,M2因子分别趋于0.913,0.882和0.886.当N→∞时,M2因子取最小值M2min=0.816. 相似文献
34.
具有某种断面的半群的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
本文综述了几类具有特殊断面的半群的近期研究结果。在介绍逆半群和正则半群的一般结构之后,概述了具有逆断面的正则半群的结构和同余格的研究成果。总结了作为逆断面的推广的可裂断面,纯正断面,正则^*-断面和恰当断面。提出了可以进一步研究的重要的问题。 相似文献
35.
主要介绍了一个引理,这个引理奠定了K4-同胚图K4(α,1,1,δ,ε,η)色性研究的基础。 相似文献
36.
37.
38.
应用显式的五阶WENO格式,结合k-ω湍流模型,求解三维Favre平均N-S方程,计算了从方孔横向喷出的声速气流与马赫数为3.0的超声速气流的干扰流场。结果表明,在射流上游,射流的阻碍便超声速气流产生分离,形成两个主要的回流区域,主回流导致在方孔射流两侧形成马蹄涡区域,射流下游存在低压区域,形成较小的回流以及一对螺流形旋涡。 相似文献
39.
文贤章 《高校应用数学学报(A辑)》2002,17(3):291-302
利用最大值原理结合上、下解的方法,讨论了一类具有扩散的竞争-捕食的Lotka-Volterra系统静态解的存在性与持续生存。 相似文献
40.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献