Lagrange系统Lie点变换下的共形不变性与守恒量

研究Lagrange系统Lie点变换下的共形不变性与守恒量,给出Lagrange系统的共形不变性定义和确定方程,讨论系统共形不变性与Lie对称性的关系,得到在无限小单参数点变换群作用下系统共形不变性同时是Lie对称性的充要条件,导出系统相应的守恒量,并给出应用算例. 关键词： Lagrange系统 Lie点变换 共形不变性 守恒量     

Efficient Laser-Diode End-Pumped Passively Q-Switched Mode-Locked Yb：LYSO Laser Based on SESAM

We report an efficient Q-switched laser action based on a semiconductor saturable absorber mirrors （SESAMs） as passively Q-switched laser starter and a Yb：LYSO alloyed crystal as gain material pumped directly by 974nm InGaAs laser diodes. The output pulse duration is measured to be about 7μs, while the average power and the repetition rate of the pulse chain are about 0.92 W and 6.2 kHz, respectively, under 12.5 W absorbed pumping power. The Q-switched mode-locked pulse train is also observed in this setup. The laser performance shows that Yb：LYSO is a promising laser gain medium for laser-diode pumped compact solid-state lasers.     

980nm单模运转未镀增透膜光纤光栅激光器

提出了一种工艺简单的980nm未镀增透膜的光纤光栅外腔半导体激光器。首先从理论上分析了边模抑制比(SMSR)与激光二极管前表面反射率R2、外腔长Lext和激光二极管一光纤耦合效率之间的关系,得出边模抑制比随R2和Lext的增大而减小,而随着激光二极管一光纤的耦合效率的提高而增大。从计算结果中还可以看出,即使半导体激光器不镀增透膜(R2=0．3时)。在其它参量合适的情况下,边模抑制比仍可大于40dB。然后,对其进行实验验证。在半导体激光器未镀模的情况下,选择光纤光栅发射率为0．5,外腔长为12．5cm,输人电流为28．8mA(约为阈值电流的2．4倍)时,通过仔细调节恒温、恒流电路,实现了边模抑制比高于40dB的稳定的单纵模输出,外腔激光器的线宽优于1．6MHz。     

Yb2.75C60价带光电子能谱

用角积分紫外光电子能谱技术测量了Yb2 75C6 0 薄膜的价带电子态密度分布 .相纯Yb2 75C6 0 样品通过C1s芯态x射线电子谱峰的位移表征 .结果表明Yb2 75C6 0 是半导体 ,在费米能级处几乎没有电子态分布 .Yb 6s电子态和C6 0 LU MO能带的杂化效应不可忽略 ,有部分Yb 6s电子分布在Yb C6 0 杂化能带上 .     

Yb:FAP和Yb:C_3S_2-FAP晶体光谱的温度特性和选择激发

报导了Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体在不同温度下的吸收光谱和荧光光谱实验结果 ,研究发现由于电子_声子近共振耦合作用 ,Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体均存在有明显的振动谱 ,Yb :FAP晶体的零声子线在低温下还劈裂为相差 10cm- 1 的两条线 .采用激光选择激发技术研究了Yb3 离子在FAP和C3S2 _FAP晶体中的格位特征 ,结果表明Yb3 离子在这两种基质中都只占据Ca(Ⅱ )格位 ,但由于CaF2 的挥发 ,导致了Ca(Ⅱ )格位的局部畸变 .     

Monte Carlo simulation of the dynamic evolution ofbinary lamellar eutectic in directional solidification

The dynamic evolution of the lamellar eutectic of binary alloys in directional solidification is studied in detail using the Monte Carlo technique. The simulated results can be summarized into two aspects: ({1}) the lamellar spacing λ is found to be inversely proportional to the chemical potential difference Δμ, predicting a linear relationship between the kinetic supercooling ΔT_k and total supercooling at the solid/liquid (S/L) interface; (2) as the solidifying velocity R is low, the dynamic product λ^{2}R shows a considerable dependence on temperature gradient G_T in the liquid in front of the S/L interface, although this dependence becomes much weaker at a high R.     

共形整流罩像差特性分析及校正方法

共形结构不仅具有良好的空气动力学性能,且不存在由于表面不连续造成的热梯度等问题,因而采用该结构的导弹整流罩更有利于导弹系统作战性能的提高。但共形结构中采用的非球面罩曲面使整流罩表现出许多不同于球形结构的动态特性,这给导引头中光学系统的设计带来很多困难。在分析共形结构一阶特性的基础上,利用矢量像差理论详细分析该结构中初级像差产生的原因及特点,并提出通过控制元件的倾斜和偏心来平衡所有观察视场中像差的方法。软件分析结果表明：加入倾斜偏心元件后可适当放大小观察视场中的像差,共形整流罩在各观察视场中具有较为稳定的像差特性,有效地改善了该结构的成像质量。     

Description of Rotation Bands in^157,158Er at Ultrahigh Spin

Properties of the four rotation bands, ^157Er（1,2） and ^15SEr（1,2）, at ultrahigh spin are investigated within the supersymmetry scheme including many-body interactions and possessing the SO（5） （or SU（5）） symmetry on the rotational symmetry. Quantitatively good results of the 7-ray energies and the dynamical moments of inertia in the rotation bands in ^157 Er and ^158 Er at ultrahigh spin are obtained. We theoretically predict that the competition between the anti-pairing and pairing effects may exist in ^157 Er（1,2） and ^158Et（2） bands states. In ^158Er（1） band state, the favourepairing effects may exist and the SO（5） （or SU（5）） symmetry play a dominant role. There may be sphere coexisting with headecupole deformed in ^158Et（1） rotation band state.     

用于高功率系统的掺镱石英光纤研究进展及发展趋势

掺镱石英光纤是掺镱光纤激光器及放大器的重要基础元件.掺镱光纤性能提升是促进掺镱光纤激光器系统功率进一步攀升的关键.本文回顾了高功率掺镱光纤激光器系统功率攀升情况及功率限制性问题,简述了针对激光功率攀升的瓶颈问题所提出的改善性方案.重点阐述了掺镱光纤制备技术、光纤材料、结构性设计在改善功率限制性方面所取得的研究进展,并对未来掺镱石英光纤的研究及发展趋势进行了展望.     

金属Al背电极二维AZO光栅的制备和陷光特性

研究了背电极金属Al膜上二维ZnO:Al光栅的制备及其反射光谱特性.在厚度为300 nm的Al膜上溅射80 nm ZnO:Al薄膜,旋涂AZ5206光刻胶,用波长为325 nm的激光进行光刻制作光栅掩模.采用溶脱-剥离法在Al衬底上制备周期(624~1250 nm)和槽深(100~300 nm)可独立调控的ZnO:Al二维光栅.表面形貌采用原子力显微镜和扫描电镜观察,反射光谱用带积分球的分光光度计测试,双向反射分布函数用散射仪测量.结果表明,300 nm Al膜上织构二维ZnO:Al光栅背电极结构,当光栅槽深为228 nm,周期从624 nm增加到986 nm时,背电极总反射率、漫反射率以及雾度均随光栅周期增大而显著增加,而当周期从986 nm增加到1250 nm时,总反射率、漫反射率以及雾度略有增加.双向反射分布函数测试结果进一步证实了上述实验结果,即随着周期增大,漫反射峰值越大,衍射峰个数也增多.提示背反电极上槽深为228 nm、周期为986 nm的二维ZnO:Al光栅具有较好的散射效果,其中漫反射占总反射的百分比为45%.