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51.
纳米材料二氧化锡的制备和激子态光学特性研究 总被引:4,自引:1,他引:3
报道纳米材料二氧化锡的制备和室温下激子态光学特征,应用弱量子限域下激子响应模型对结果进行了解释。 相似文献
52.
53.
电子自旋共振(ESR)实验间接表明,γ射线辐照能在室温下在BaF2微晶中产生Frenkel激子这样的元激发,此元激发受热在150℃以下消失。γ射线辐照使BaF2微晶中F-离子上的2P电子跃迁到外层轨道,并与2P轨道的空穴形成紧束缚的电子-空穴对——Frenkel激子。激子中的电子受热脱离F原子,这种晶格上的F0是ESR可探测的顺磁色心点缺陷——Vk心。受γ射线辐照的BaF2微晶中含有Frenkel激子,受热时Frenkel激子湮灭。Vk心增多的现象,表现为随温度增高Vk心的ESR信号增强的反常现象。 相似文献
54.
55.
Sambhu N Datta 《Pramana》1984,22(2):L125-L130
Pseudopotential is used as a formal operator to write the exact time-dependence of a pseudoexciton and hence that of an initial
excitation spatially localized in a crystal. The exponential operator where pseudopotential occurs at the argument is readily
evaluated using the property of projection operators. Migration of an initially localized excitation is of considerable experimental
importance and can be of conceptual use since it should eventually generate the characteristics of a migrating exciton. From
the formal time-dependence of a localized excitation, its spread with time can be calculated with relative ease. In a concurrent
discussion, the previous work of Merrifield (1958) on the propagation of excitation is criticized and an error is pointed
out. The spread, however, remains wavelike and is not dissipative in the absence of a collisional mechanism. 相似文献
56.
制备了有LiF插层的有机发光二极管,以八羟基喹啉铝(Alq3)作为电子传输层,N, N′-二苯基-N, N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)作为空穴传输层.通过改变Alq3与NPB间LiF插层的厚度,研究了不同温度下器件的光电特性及电致发光的磁场效应.测量结果表明:LiF插层可以影响器件内部载流子的输运和激发态的形成.较厚的插层阻碍了空穴的传输,使器件的电流效率变低.但实验中发现,
关键词:
LiF插层结构
磁场效应
三重态激子 相似文献
57.
微腔有机电致发光器件(MOLED)的发光特性直接与微腔的结构相关,可以根据微腔器件的相关计算公式,运用传输矩阵法对MOLED进行模拟设计。本文对微腔总长度L=λ/2(λ:中心波长)不变情况下,激子在微腔内不同位置复合发光的电致发光(EL)光谱性能进行模拟并比较。结果表明:发光谱的峰值都在所设计的中心波长520nm处,半峰全宽(FWHM)都是17nm,激子处在微腔的中心区域时,峰值强度和积分强度都是最大,这是因为激子此时位于腔内电场的最大值处,偏离此处的两侧逐渐变小。以上结果表明:要制作出高效率的MOLED,必须使激子处于微腔内的最佳位置处。 相似文献
58.
讨论了在杂质电荷的电场影响下,量子环上荷负电激子X-的能-光谱及其Aharonov-Bohm振荡.当轨道总角动量不守恒的情况下,提出如何按轨道角动量分类构成基矢组并用典型的对角化方法求解体系的本征值和本征矢的方案.该方案计算简单,计算结果令人满意.还讨论了运用等效电荷变换公式和变换图,把位于三维空间的杂质简化为二维平面(或x轴上)的杂质处理,使计算变得更简单,对结果的分析也更明晰. 相似文献
59.
Andreas Grtner Dieter Schuh Jrg P. Kotthaus 《Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures》2006,32(1-2):195
A novel method to experimentally study the dynamics of long-living excitons in coupled quantum well semiconductor heterostructures is presented. Lithographically defined top gate electrodes imprint in-plane artificial potential landscapes for excitons via the quantum confined Stark effect. Excitons are shuttled laterally in a time-dependent potential landscape defined by an interdigitated gate structure. Long-range drift exceeding a distance of at an exciton drift velocity is observed in a gradient potential formed by a resistive gate stripe. 相似文献
60.