爆磁压缩发生器对脉冲形成线充电的模拟和实验研究

将爆磁压缩发生器等效为电流源,利用电路模拟程序对爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电过程进行了分析,结果发现这种分析方法可以准确地模拟爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线的充电过程,与实验结果吻合较好。利用这种模拟方法和实验验证的结果,得出了一些重要的结论,增加变压器的耦合互感特别是变压器的副边电感和爆磁压缩发生器负载电流斜率可以明显提高充电电压的幅值,调制器的水介质电阻率对于充电幅值有一定的影响,这些结论对脉冲变压器和爆磁压缩发生器的设计具有一定的指导意义。     

基于平均二次电子发射系数的航天器表面起电特征分析

为了进一步贴近航天器表面起电环境以得到更加可信的分析结果,针对航天器在恶劣充电环境下的表面起电问题,考虑空间等离子体双麦克斯韦分布情况,建立了基于平均二次电子发射系数的航天器表面起电阈值方程,可在入射电子能量连续分布情况下定量分析航天器表面起电特征,其中双麦分布可更好地描述磁层亚爆期间的恶劣充电环境。经过理论分析,归纳出双麦分布下的两种典型等离子体状态。通过仿真计算,得到了在两种典型等离子体状态下航天器表面电位随等离子体浓度和温度变化的特征。结果表明：电子温度越高,表面负带电电位越高,充电越严重,与此同时,双麦分布下等离子体两种电子组分的浓度比值对带电结果有重要影响。     

蔡司GeminiSEM 300型场发射扫描电镜常见故障的预防、排除和磁性样品的测试方法

金属有机框架材料（MOFs）的形貌结构对其性能应用具有很大影响,但MOFs普遍存在导电性差且对电子束敏感等问题,在进行扫描电子显微镜（SEM）测试时容易损伤样品,发生荷电现象. 因此摸索合适的测试参数,对获得高质量的MOFs扫描电子显微镜图像具有重要意义. 以MIL-101(Cr)、Fe-MOF、Mn-MOF、ZIF-67(Co)这4种典型的MOFs为例,主要探究了加速电压、电子束流、工作距离、探头及喷金对其成像效果的影响. 结果表明,升高加速电压可有效提高图像分辨率,但同时电子束穿入深度增大,可能导致电荷击穿效应对其表面结构造成破坏. 适当增大束流可提高图像信噪比,但过大的束流会导致纳米颗粒边缘变钝,因此选用0.1~0.4 nA中等束流为佳. 在选择探头时需注意,艾弗哈特-索恩利探头（ETD）和透镜内二次电子（T2）探头所成图像立体感较好,透镜内背散射电子（T1）探头的立体感弱,但衬度较好,柱内二次电子（T3）探头分辨率最佳,但更容易荷电,显得颗粒扁平. 而喷金处理可有效提高样品的导电性. 以上结果对使用SEM探究MOFs形貌结构具有一定的借鉴作用.     

卫星中介质深层充电特征研究

介质深层充电效应是诱发地球同步轨道卫星运行故障和异常的重要因素之一.通过数值模拟方法对卫星介质材料中充电所致最大电场与高能电子能谱、介质厚度，及屏蔽厚度等的关系进行了详细研究，给出了介质中最大电场的基本特征. 关键词： 卫星 介质深层充电 高能电子 计算机模拟     

尘埃颗粒在射频等离子体鞘层中的非线性共振现象的理论研究

一种自洽的理论模型用于研究尘埃颗粒在射频鞘层中垂直方向的非线性共振现象.利用射频鞘层动力学模型，研究了鞘层电场和尘埃颗粒的充电过程.考虑作用在尘埃颗粒上的各种作用力(如重力、电场力、离子拖拽力、中性气体摩擦力及探针的扰动力)，并通过数值求解颗粒运动方程，模拟了该尘埃颗粒在探针扰动下的非线性振荡过程.所得结果不仅很好地再现了最近的实验观察，同时还发现这种非线性振动过程与等离子体参数、施加的射频偏压的功率、探针的扰动电位和位置等有着密切的联系. 关键词： 射频鞘层 尘埃颗粒 尘埃充电 非线性共振 迟滞     

高功率离子束在偏压电荷收集器内部的电荷输运模拟

利用2.5维KARAT软件对高功率离子束在偏压电荷收集器内部的电荷输运过程进行PIC数值模拟，模拟结果表明在偏压电荷收集器内部电荷中和而电流不中和。在模拟中考虑了收集器的几何尺寸和离子束密度，因此模拟结果比一维数值计算的结果更为可靠。同时还模拟了偏置电压与电荷收集器离子收集效率之间的关系，对于峰值能量为500keV的高功率离子束，偏压为－800V即可满足测量要求，这一结果与实验吻合较好。     

Energy-selective charging of type-II GaSb/GaAs quantum dots

The hole confinement in type-II self-organized GaSb/GaAs quantum dots (QDs) was investigated by combining optical excitation and time-resolved capacitance spectroscopy. The experimental results indicate energy-selective charging even for type-II QDs. With increasing excitation energy the apparent hole activation energy decreases, which is attributed to light absorption in sub-ensembles of QDs with decreasing hole localization. The large localization energy of about 450 meV and the possibility of optical-multiplexing makes type-II GaSb/GaAs QDs a potential material system for QD memory concepts.     

低电压扫描电子显微术

低电压扫描电子显微术是研究半导体、绝缘体和生物材料的有效方法。本文综述了这种方法的优点、限制和关于扫描电镜的改进,并且提供了实际操作的某些要领。     

MH电极中氢扩散系数的测定及其应用

利用恒流放电法测定了金属氢化物(MH)电极中氢原子扩散系数的平均值. 通过恒电位法测定了MH电极中氢原子的扩散系数与其荷电态(SOC)的关系. 根据MH电极模型可知, 增大氢原子扩散系数或减小储氢合金粒径均能提高MH电极的快速充电性能, 并能计算出MH电极在不同的初始荷电态、不同充电倍率下, 表面氢原子浓度达到最大值所需的时间.