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用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件 总被引:1,自引:0,他引:1
在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化。器件模拟结果表明,高压NMOS器件源漏击穿电压为220 V;阈值电压和驱动能力分别为0.8 V和1×10-4A/μm。高压PMOS器件源漏击穿电压为-135 V;阈值电压和驱动能力分别为-9.7 V和1.8×10-4A/μm。高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础。 相似文献
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单壁碳纳米管具有优异的电子学特性,是制备新一代高性能集成电路的重要材料.碳纳米管芯片之路存在诸多挑战,包括直径和手性的控制生长方法、金属性和半导体性单壁碳纳米管的分离方法、器件加工与集成方法等.这些课题从本质上讲大多属于化学问题,因此碳纳米管芯片研究为化学家们提供了新的机遇与挑战.过去10年来,我们围绕单壁碳纳米管的轴向能带工程这一研究思路,开展了一系列碳纳米管芯片的基础探索工作,发展了若干有效的单壁碳纳米管局域能带的调控方法,包括温度阶跃生长法、脉冲供料生长法、基底调控法以及形变调控法等.本文系统地阐述了这些局域能带调控方法,为使读者对该领域的研究进展有一个较为全面的了解,文中对其他课题组开展的代表性工作也给予了综述性介绍. 相似文献
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为了避开复杂繁琐的摄像机标定过程,提出了一种基于CCD摄像机的电子白板系统参数标定新方法,实现了开机自动标定系统参数的功能。采用Harris角点检测算法成功提取了参考点的像素坐标,并直接运用射影变换交比不变性,推导出白板边框图像像素距离与实际物理距离的映射关系式,进而获得了摄像机的光心坐标。简要分析影响系统标定精度的因素,并设计出减小标定误差的方案,最后搭建实验平台标定系统参数。实验结果表明:该标定方法实现简单,应用方便,且对于单位长度为1 cm的标定块而言,标定误差小于0.04 cm。 相似文献
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电视系统按用途可以分为广播电视和应用电视两大类。广播电视向大众提供电视节目,丰富人们的精神文化生活,大家非常熟悉;应用电视是广播电视之外所有电视的统称,也称为非广播电视,许多人并不很熟悉。无论广播电视还是应用电视,都需要摄像机。应用电视中广泛采用的是CCD摄像机。CCD(ChargeCoupledDevices)摄像机即用电荷耦合器件制成的固体摄像机,它的寿命很长,能经受强烈的震动而不损坏,工作电压又很低,体积小,重量轻,而且均匀性好,几乎没有几何失真,所以,CCD固体摄像机几乎完全代替了视像管摄像机,它分为黑白CCD摄像机和彩色CCD摄像机。这种摄像机不仅对可见光可进行摄像,而且由于CC 相似文献