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31.
采用密度泛函理论中的广义梯度近似(DFT/GGA)方法,在PW91/DNP水平上研究了低聚合物Pn(n=1-5)的稳定性和化学活性。结果表明:随着聚合度增加,Pn的稳定性降低,化学活性增强。采用密度泛函理论与周期性平板模型相结合的方法,研究了化合物P在TiO2(100)表面的吸附,通过吸附前后化合物P的Mulliken charge和前线轨道分析表明:当P吸附在TiO2(100)表面时,P向TiO2(100)表面转移0.692 e电荷,前线轨道能隙变窄。通过吸附前后TiO2(100)表面的能带和态密度分析表明:在TiO2(100)表面吸附了化合物P后,能带向低能区移动,且TiO2中价带和导带间的禁带消失。理论预测的结果与实验值吻合。 相似文献
32.
火灾烟雾颗粒因布朗运动由初期的主粒子凝并形成大颗粒的凝团结构,其外形呈现出分形特征,根据分形理论对火灾烟雾颗粒凝团结构进行分析研究,采用场发射扫描电镜对多种材料的烟雾颗粒图像进行测试,通过对烟雾凝团图像进行处理,获得了火灾探测中常见的多种材料的分形维数和分形系数,给出了烟雾颗粒的主粒子粒径,并对其影响因素进行了对比分析,为火灾烟雾探测中颗粒凝并分形特性研究提供有益的探索.
关键词:
火灾
烟雾
颗粒
凝并
分形 相似文献
33.
34.
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象。研究认为较低的生长温度使作为N源的NH3分解率较低,In—N的成键可能性小,导致In在表面聚集出现分凝;而较高生长温度时,InN薄膜中In—N键能较小,易发生断裂,反应活性较强的N和H原子逸离薄膜表面,In滞留在薄膜表面也导致In分凝现象的出现。相对于表面分凝的样品,未出现表面分凝的样品的薄膜晶体质量和表面形貌也得到了提高。同时,通过Raman散射谱研究了晶格振动E2声子模的应力效应。 相似文献
35.
研究了二苯并18-冠-6(DB18-C-6)与(NH4)2[Pd(SCN)4]的反应,通过元素分析、红外光谱、单晶X射线衍射对生成的配合物[NH4(DB18-C-6)]2[Pd(SCN)4](1)进行了结构分析.1为三斜晶系,空间群P-1,晶体学数据:a=0.8705(3)nm,b=1.1954(4)nm,c=1.3044(4)nm,α=73.216(5)°,β=78.897(5)°,γ=81.105(6)°,V=1.2682(7)nm3,Z=1,F(000)=568,R1=0.0301,wR2=0.0431.配合物由二个[NH4(DB18-C-6)]+配阳离子和一个[Pd(SCN)4]2-配阴离子组成,二者通过N-H…N氢键形成中性配合物,配合物中不存在阳离子-π相互作用. 相似文献
36.
37.
High—Efficiency Organic Double—Quantum—Well Light—Emitting Devices Using 5,6,11,12—Tetraphenylnaphthacene Sub—monolayer as Potential Well 下载免费PDF全文
XIEWen-Fa LIChuan-Nan LIUShi-Yong 《中国物理快报》2003,20(6):956-958
The double-quantum-well organic light-emitting devices of indium-tin-oxide (ITO)/NPB (50nm)/rubrene (0.05nm)/NPB (4nm)/rubrene (0.05nm)/Alq3 (50nm)/LiF (0.5nm)/Al were fabricated, in which N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N‘-diphenyl-1,1‘-biphenyl-4,4‘‘‘‘‘‘‘‘-diamine (NPB) is used as a barrier potential or hole transport layer, tris (8-hydroxyquinoline) aluminium (Alq3) used as electron transport layer, and 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrene) as a potential well and emitter. The brightness can reach 18610cd/m^2 at 13V. The maximum electroluminescent efficiency of the device was 6.61cd/A at 7V, which was higher than that of common dope-type devices. In addition, the electroluminescence efficiency is relatively independent of the drive voltage in the range from 5 to 13V. 相似文献
38.
应用坩埚下降法生长了掺杂Cr与双掺杂Cr,Zn的LiNbO3晶体。测定了掺杂晶体不同部位的吸收系数。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法测定了Cr离子在LN晶体中的浓度,并计算了Cr离子在LiNbO3晶体中的有效分凝系数。研究结果表明:在单掺杂Cr的LiNbO3晶体中,随着Cr^3 掺杂浓度从0.1增加到0.5mol%时,其有效分凝系数从3.75减少到2.49,Cr^3 离子在晶体中的浓度分布差异逐步减少;ZnO的掺入能有效地减少Cr^3 的分凝系数,然而ZnO掺杂浓度从3增加到6mol%时,其有效分凝系数且从1.85增加到2.25。可从ZnO组分对Cr离子的排斥作用及Zn离子在LN晶体中随掺杂数量变化的分凝现象解释了产生Cr离子浓度及有效分凝系数变化的原因。 相似文献
39.
采用密度泛函理论中的广义梯度近似(DFT/GGA)方法, 在PW91/DNP水平上研究了4,7-二(2-溴代噻吩-5-基)-2,1,3-苯并噻二唑-N-(1-辛基壬烷基)咔唑(简称PC-DTBT)的低聚合物(PC-DTBT)n(n=1-5)的稳定性和化学活性. 结果表明: 随着聚合度增加, (PC-DTBT)n的稳定性降低, 化学活性增强. 采用密度泛函理论与周期性平板模型相结合的方法, 研究了PC-DTBT单体在ZnS(100)表面的吸附, 通过吸附前后化合物PC-DTBT的Mulliken charge和前线轨道分析表明: 当PC-DTBT吸附在ZnS (100)表面时, ZnS(100)表面向PC-DTBT转移0.200 e电荷, 前线轨道能隙变窄. 理论预测的结果与实验值吻合. 相似文献
40.
通过扫描电镜和X射线衍射对SiO2衬底上生长并五苯和酞菁铜薄膜的表面形貌进行表征,并得到在SiO2衬底上生长的并五苯薄膜是以岛状结构生长,其大小约为100nm,且薄膜有较好的结晶取向,呈多晶态存在. 酞菁铜薄膜则没有表现出明显的生长机理,其呈非晶态存在. 还对通过掩膜的方法制作得以酞菁铜和并五苯为有源层的顶栅极有机薄膜晶体管的特性进行了研究. 有源层的厚度为40nm,绝缘层SiO2的厚度为250nm,器件的沟道宽长比(W/关键词:
有机薄膜晶体管
并五苯薄膜
酞菁铜薄膜
μEF)')" href="#">场效应迁移率(μEF) 相似文献