全文获取类型
收费全文 | 13083篇 |
免费 | 5657篇 |
国内免费 | 7108篇 |
专业分类
化学 | 12253篇 |
晶体学 | 1909篇 |
力学 | 611篇 |
综合类 | 376篇 |
数学 | 423篇 |
物理学 | 10276篇 |
出版年
2024年 | 117篇 |
2023年 | 394篇 |
2022年 | 535篇 |
2021年 | 627篇 |
2020年 | 443篇 |
2019年 | 557篇 |
2018年 | 441篇 |
2017年 | 564篇 |
2016年 | 625篇 |
2015年 | 792篇 |
2014年 | 960篇 |
2013年 | 1259篇 |
2012年 | 1068篇 |
2011年 | 1089篇 |
2010年 | 1111篇 |
2009年 | 1115篇 |
2008年 | 1406篇 |
2007年 | 1285篇 |
2006年 | 1450篇 |
2005年 | 1438篇 |
2004年 | 1345篇 |
2003年 | 1112篇 |
2002年 | 976篇 |
2001年 | 873篇 |
2000年 | 599篇 |
1999年 | 522篇 |
1998年 | 505篇 |
1997年 | 415篇 |
1996年 | 397篇 |
1995年 | 354篇 |
1994年 | 308篇 |
1993年 | 207篇 |
1992年 | 236篇 |
1991年 | 247篇 |
1990年 | 186篇 |
1989年 | 181篇 |
1988年 | 54篇 |
1987年 | 24篇 |
1986年 | 10篇 |
1985年 | 13篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
以铝酸镧(001)单晶为基片,采用两步法制备Tl2Ba2CaCu2Oy(Tl 2212)高 温超导薄膜.首先,利用脉冲激光沉积(PLD)工艺沉积Ba2CaCu2Ox非晶前驱体薄膜;然后,前驱体薄膜在高温(720—850℃)下密封钢容器里铊化结晶形成Tl 2212薄膜.XRD结果表明Tl2212 薄膜是沿c轴方向生长的,其相组成为Tl 2212,摇摆曲线(0012)的半高宽为0.72° ,SEM图像显示其表面光滑平整,其零电阻温度为106.2K.
关键词:
Tl 2212超导薄膜
脉冲激光沉积 相似文献
52.
利用固相反应法制备了名义成分为Ca(Mn2 Cu1 )Mn4 O1 2 的类钙钛矿锰氧化物 .x射线衍射表明 ,为了获得较为致密的样品和减小杂相含量 ,可以采用高温烧结再在 10 73K长时间空气中退火的制备方法 .样品在低温下同时存在铁磁相和反铁磁相 ,由于反铁磁相的存在导致样品在 4 5K时的磁化强度显著降低 ,并在 8T的高磁场下仍未达到饱和 .样品呈半导体导电性质 ,在 85K和 6T磁场下磁电阻比的最大值可达 - 4 6 % . 相似文献
53.
使用高真空电子束蒸发在p型Si(1 0 0 )衬底上制备了高kHfO2 薄膜 .俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比 ;x射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的 ,高温退火后发生部分晶化 ;原子力显微镜和扫描电子显微镜检测显示在高温退火前后薄膜均具有相当平整的表面 ,表明薄膜具有优良的热稳定性 ;椭偏测得在 6 0 0nm处薄膜折射率为 2 0 9;电容 电压测试得到的薄膜介电常数为 1 9.这些特性表明高真空电子束蒸发是一种很有希望的制备作为栅介质的HfO2 薄膜的方法 相似文献
54.
实验确定了自行研制的L波段三维电子自旋共振成像(3D-ESRI)系统的检测灵敏度及成像分辨率指标. 用Tempo水溶液模型测量灵敏度结果表明: 样品体积为10 mm, 高30 mm,测量浓度1×10-4 mol/L水溶液的信噪比为S/N=4∶1;加梯度磁场后,样品浓度需>5×10-4 mol/L,样品体积为19 mm, 高30 mm时,获得的投影谱的信噪比可满足图像重建的需要. 用DPPH固体样品确定的成像分辨率结果<1 mm. 文中还对ESRI系统的
各项总体性能做了归纳总结. 相似文献
各项总体性能做了归纳总结. 相似文献
55.
Cr3+:MgAl2O4晶体EPR参量及其电子精细光谱的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
考虑了SS(Spin-Spin)作用和SOO(Spin-Other-Orbit)作用,采用完全对角化方法,结合自旋Hamiltonian理论,研究了Cr3+∶MgAl2O4晶体EPR参量及其吸收光谱,理论与实验符合甚好. 在此基础上,进一步研究了4A2(3d3)离子EPR参量的微观起源. 研究表明,EPR参量起源于四种微观机制:(1) SO(Spin-Orbit) 耦合机制;(2) SS耦合机制;(3)SOO耦合机制;(4) SO~SS~SOO总联合作用机制. 在这些机制中,SO机制是最主要的. 相似文献
56.
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好,薄膜的电阻温度系数(TCR)最高可达4.23%/K.从成膜机理出发,较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为,单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度,使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原
关键词:
VO2多晶薄膜
离子束增强沉积
热电阻温度系数 相似文献
57.
利用动力学蒙特卡罗方法模拟了异质外延超薄膜生长中的成核过程.研究了薄膜与衬底的晶格失配对超薄膜生长中成核密度、平均核尺寸、标度关系及生长模式的影响.结果发现产生压(张)应变的晶格负(正)失配使生长过程更早(迟)从成核区进入过渡区,失配越大,这一效应越明显.在相同的沉积条件下,负失配导致超薄膜形成较低的成核密度与较大的平均核尺寸,而正失配则相反.成核密度满足标度关系Ns≈(F/D)χ,随着失配度从-0.04增加到0.02,标度系数χ从0.37逐渐减小到0.33,对应超薄膜生长过程从包含二聚体扩散模式转变到无
关键词:
薄膜生长
成核
晶格失配
蒙特卡罗模拟 相似文献
58.
研究了利用磁性薄膜构造Salisbury屏的可能性及其在微波频段的反射率频率特性.结果表明,利用铁磁性材料在铁磁共振频率附近磁化率具有χ″>χ′的特性,可以构造出对电磁波有良好吸收性能的磁性Salisbury屏.通过对铁磁材料高频磁谱物理机理的分析后指出,具有弛豫型共振磁谱的铁磁材料可以构造出薄膜型Salisbury屏,其厚度为微米甚至亚微米量级.反射率的频率特性与磁性材料的特征阻抗z-r有关,它取决于铁磁共振频率和静态磁化率.反射率的频率响应显示磁性薄膜Salisbury屏具有较宽的吸收带宽.
关键词:
磁性Salisbury屏
反射率
频带响应
磁性薄膜 相似文献
59.
60.
报导了Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体在不同温度下的吸收光谱和荧光光谱实验结果 ,研究发现由于电子_声子近共振耦合作用 ,Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体均存在有明显的振动谱 ,Yb :FAP晶体的零声子线在低温下还劈裂为相差 10cm- 1 的两条线 .采用激光选择激发技术研究了Yb3 离子在FAP和C3S2 _FAP晶体中的格位特征 ,结果表明Yb3 离子在这两种基质中都只占据Ca(Ⅱ )格位 ,但由于CaF2 的挥发 ,导致了Ca(Ⅱ )格位的局部畸变 . 相似文献