描述中子辐射俘获截面非统计效应的统一表象

基于对俘获态及终态波函数的自洽描述,建立了计算核子辐射俘获反应非统计效应的统一表象.应用这一模型对²⁷Al、⁵⁵Mn、⁸⁹Y和²⁰⁸Pb等四个核素在中子能量为0。1—20MeV能区计算了中子辐射俘获截面,并与实验值进行了比较.     

掠入射,全反射及其在X射线荧光分析中的应用

掠入射、全反射技术应用于化学的微量及超微量元素分析和表面分析，给Ｘ射线荧光分析技术带来了突存性的发展。目前，利用全反射Ｘ荧光分析技术对微量元素进行分析，其检测限已达到ｐｇ级，硅片表层杂质分析的检测限达到１０＾９个原子／ｃｍ＾２。文章介绍了该技术的基本理论和特点、近年来国内外发展情况及应用的例子。     

聚偏氟乙烯辐射效应的研究——II.晶区辐射损伤点的研究

研究了聚偏氟乙烯 (PVDF)晶体结构与辐射效应的关系 .利用不同的热处理条件 ,获得了 7种不同规整性、不同结晶度的样品 ;通过对其辐射效应的研究 ,探讨了材料结晶区和晶区内不同部位的辐射效应以及这些不同的结构对材料辐射效应的影响 .使用示差扫描量热分析 (DSC)测量样品零熵产生相变温度、结晶度等随吸收剂量的改变 ,以及不同退火条件样品的辐射效应 .讨论了PVDF样品晶体辐射损伤与样品结构的关系 .利用电子自旋共振谱仪 (ESR)测量不同辐照后样品残余自由基的浓度及这些残余自由基加热条件下的不同命运 .结合DSC分析及X射线衍射分析得到晶体辐射损伤是从晶体表面折叠圈区和晶体茎杆内部缺陷区同时开始的结论     

微波辐射促进ZnCl_2与Y分子筛固相反应的研究

采用XRD、IR和原子吸收光谱等手段对微波固相法制备的ZnCl2／Y催化剂进行了表征·微波辐射促进了ZnCl2在分子筛表面分散和固态离子交换，分散的ZnCl2可与分子筛表面氧原子发生较强的配住键合作用．当ZnCl2的负载量达到37．5％时，ZnCl2仍可完全分散于NaY分子筛表面，此时的固态离子交换度为84％．随着分子筛表面酸菌和区强度的增加，ZnCl2与分子筛的固态离子交换量减少．     

N-甲基丙烯酰-N′-甲基哌嗪在嵌段聚醚氨酯膜上的Co60-γ辐射接枝的研究

The graft copolymerization of N-methacryl-N'-methyl-opiperazine onto segmented polye-therurethane (SPEU) film by Go⁶⁰-r-preirradiation has been studied. It is found that the grafting time varies with structure of different chain extenders. The grafted substrated become opaque, the contact angle drops down and from SEM photographs with salient micrograph showing grafts of macrochain on the surface of SPEU film.     

4′-乙酰基苯并-15-冠-5缩氨基硫脲的微波合成及晶体结构

硫脲衍生物主要通过氢键与阴离子相互作用达到识别的目的，冠醚和硫脲两个主体分子亚单元之间的协同作用往往使冠醚和硫脲表现出对某些客体更加优越的络合识别能力，我们在以前工作的基础上，微波辐射下合成了标题化合物并用红外光谱、核磁共振氢谱、元素分析、X射线单晶衍射对其结构进行了表征，欲进一步研究其对阳离子和阴离子识别的双重功效。     

四(4,4′,4″,4N,N-二乙氨基)四苯乙烯光致发光与分子的构象效应

利用还原偶联方法合成出新化合物四 (4,4′ ,4″ ,4 N ,N 二乙氨基 )四苯乙烯 (TDETE) .通过测定该化合物在溶液、掺杂聚合物中及晶体粉末的稳态 -瞬态荧光光谱、荧光量子产率和辐射衰变速率常数等 ,讨论了分子的构象效应等因素对TDETE光致发光行为的影响 .在一定浓度下TDETE溶液存在着三个发光带 ,分别为全扭曲构象分子 (位于 3 4 5nm附近的发光I带 )、半扭曲构象分子 (位于 43 0nm附近的发光II带 )和激基缔合物 (53 0nm发光III带 )的辐射衰变所致 .在聚合物(PMMA)中 ,一方面由于分子单键的自由旋转扭曲受到遏制 ,表现为II带的辐射衰变速率常数 (kf 值 )增大、同时非辐射衰变速率常数 (knf值 )减小 ;另一方面 ,TDETE分子之间相互作用得到加强而有利于缔合物形成 ,结果 ,使发光II带和III带合二为一出现了强而宽的发射峰 ,荧光量子产率从溶液中的 0 0 55提高到 0 855.此外 ,在PMMA介质中观测到TDETE分子聚集体在 62 6nm处的发光带 (IV) ,粉末态中聚集体IV带的强度骤增 ,峰值波长红移至 650nm