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温度对PSⅡCP4 7/D1/D2/Cytb559复合物荧光光谱特性的影响 总被引:3,自引:3,他引:0
采用激励光源为514.5 nm的分幅扫描单光子计数荧光光谱装置对经20℃、42℃和48℃不同温度处理后的反应中心复合物CP47/D1/D2/Cyt b559的荧光光谱特性进行了研究.经解析,获得不同温度处理后,CP47/D1/D2/Cyt b559复合物最大峰值未发生变化,均在682 nm,说明Chla670的能量都由Chla682接收,但损耗愈来愈小,在48℃时,损耗程度最小,而其荧光百分比未发生多大变化.振动副带~700 nm和~740 nm的中心波长都发生蓝移,在不同温度下分别为:20℃ 703 nm,749 nm;42℃ 697 nm,744 nm;48℃ 694 nm,740 nm.因此可以推测温度的升高,影响了CP47/D1/D2/Cyt b559色素蛋白的二级结构以及色素分子的空间位置,使最大峰值处的荧光强度逐渐降低,振动副带逐渐蓝移.42℃的温度已造成影响,48℃影响较大. 相似文献
43.
Pyroelectricity and Spontaneous Polarization in [111] Oriented 0.955 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.045PbTiO3 Single Crystals 下载免费PDF全文
We report that the measurements of the pyroelectric current of the pre-poled [111]-oriented 0.955 Pb(Zn1/3Nb2/3) O3-0.045 PbTiO3 (PZN-4.5%PT) single crystals can shed some light on the phase transition and spontaneous polarization characters of this material in a similar way to measures of remanent polarization and dielectric properties. The pyroelectric current is measured and the corresponding spontaneous polarization is calculated as a function of temperature with various poling fields added during cooling the sample from 200℃ to room temperature. Critical electric field of 0.061 k V/cm is found to be essential to induce the intermediate ferroelectric orthorhombic phase between the ferroelectric rhombohedral and tetragonal phases. Below the critical field, the polarization increases almost linearly with the increase of poling field. At the critical field, the polarization at 30OC increases abruptly from 14μC/cm^2 for a poling field of O.06kV/cm to 29.5μC/cm^2 for a poling field of 0.061 kV/cm, and afterwards, increases slowly and saturates to 31 μC/cm^2 for poling fields beyond 0.55 kV/cm. 相似文献
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Monte Carlo (MC) simulations are used to simulate the voltage profile and the ionic conductivity s of Li ions in LixMn2O4 and its dependence on the lithium concentration x. The open circuit potential shows clearly the two plateaus in the charge/discharge curve, which agrees well with the experimental results. The two plateaus become more and more steep when the temperature is increased. The simulated ionic conductivity shows an M-shaped curve in the plot of ionic conductivity cr versus x when the simulation temperature is low. Interestingly,the minimum valley, which lies at the middle single-phase area near x=0.5, disappears gradually when the temperature increases to 453K. 相似文献
46.
We study two-player quantum games of incomplete information in which both the sides have partial information.The previous results of Du et al. [Phys. Rev. E 68 (2003) 016124] are incorporated in our more general formalism.Because of different roles played by the total information uncertainty and the information asymmetry, the game exhibits many interesting features. 相似文献
47.
有限长通电螺线管空间的磁场分布 总被引:2,自引:0,他引:2
本文计算了有限长通电螺线管空间的磁感应强度分布,给出了解析表达式,并绘出了它们的空间分布图。 相似文献
48.
根据有限元法单元划分的思想,提出了一种新颖的模拟光腔模式及光束传输的特征向量法. 该方法的关键之处在于基于衍射积分理论构造了一种新的光束传输矩阵,通过求解特征矩阵方程可一次性得到谐振腔的一系列特征向量,每一列特征向量即代表了腔镜上光场的一个确定模式的振幅及相位分布. 并可采用该方法模拟光场传输到腔内或腔外任意地方的场分布. 该方法将传统方法中大量的迭代过程转化成为本征积分方程特征向量的求解过程,并与初值取值无关,且可一次性求得多个模式分布,从而可方便地分析谐振腔的模式鉴别能力. 特征向量法对圆形镜共焦
关键词:
谐振腔
特征向量法
模式分布 相似文献
49.
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好,薄膜的电阻温度系数(TCR)最高可达4.23%/K.从成膜机理出发,较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为,单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度,使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原
关键词:
VO2多晶薄膜
离子束增强沉积
热电阻温度系数 相似文献
50.
自组装量子点材料作为一种新型的光电材料无论在理论和实际应用都成为当今物理学界的研 究热点.由GaAs包围的InAs小岛,由于较大的晶格失配(≈-0.067),应变效应在量子点 的 形成过程中起主导作用.大部分计算量子点结构应变分布的方法都是基于数值解法,需要大 量的计算工作.给出用格林函数法推导各种常见形状量子点应变分布的解析表达式详细过程,讨论了弹性各向异性和形状各向异性对量子点应变分布的影响程度.结果表明对于不 同形状量子点结构中主要部分的应变分布都是相似的,流体静压变部分的特征值随量子点形状的变化不
关键词:
自组装量子点
格林函数
应变分布 相似文献