全文获取类型
收费全文 | 32822篇 |
免费 | 6549篇 |
国内免费 | 17305篇 |
专业分类
化学 | 30598篇 |
晶体学 | 1759篇 |
力学 | 1420篇 |
综合类 | 1355篇 |
数学 | 7590篇 |
物理学 | 13954篇 |
出版年
2024年 | 271篇 |
2023年 | 911篇 |
2022年 | 1284篇 |
2021年 | 1555篇 |
2020年 | 1174篇 |
2019年 | 1305篇 |
2018年 | 975篇 |
2017年 | 1337篇 |
2016年 | 1630篇 |
2015年 | 1737篇 |
2014年 | 2222篇 |
2013年 | 2786篇 |
2012年 | 2886篇 |
2011年 | 2730篇 |
2010年 | 2332篇 |
2009年 | 2689篇 |
2008年 | 2959篇 |
2007年 | 2907篇 |
2006年 | 3058篇 |
2005年 | 2815篇 |
2004年 | 2652篇 |
2003年 | 2217篇 |
2002年 | 1810篇 |
2001年 | 1691篇 |
2000年 | 1286篇 |
1999年 | 1179篇 |
1998年 | 855篇 |
1997年 | 658篇 |
1996年 | 648篇 |
1995年 | 538篇 |
1994年 | 580篇 |
1993年 | 485篇 |
1992年 | 559篇 |
1991年 | 589篇 |
1990年 | 477篇 |
1989年 | 429篇 |
1988年 | 172篇 |
1987年 | 88篇 |
1986年 | 54篇 |
1985年 | 68篇 |
1984年 | 27篇 |
1983年 | 22篇 |
1982年 | 16篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 3篇 |
1975年 | 1篇 |
1959年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
102.
用量子化学从头算方法在B3LYP/6 311G 的水平上 ,研究了RuH2 和RuN2 可能的电子组态和光谱性质 .结果表明 ,RuH2 的3 B2 和5Σ-态对应于静电作用的物理吸附态 .RuN2 的一重态和三重态的计算结果跟钌单晶面上的实验值相接近 .而RuN2 在C∞v对称性时 ,五重态5Σ-的计算频率比实验值稍低 .在C2v对称性时 ,五重态的计算频率值则更低 ,3 B2 和5A1态不能稳定存在 相似文献
103.
利用电弧熔炼制备了 (Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5(x=0— 1 0 )化合物样品 .通过x射线衍射分析和磁性测量研究了Er替代Nd2 Co1 5 5V1 5中的Nd时对化合物结构和磁性的影响 .研究结果表明 ,低Er含量 (x <0 4 ) ,化合物为Th2 Zn1 7型结构 ;高Er含量时 (x >0 5 ) ,化合物转变为Th2 Ni1 7结构 ;Er含量为x =0 4和 0 5时 ,两种结构共存 .两种结构的晶胞参数a ,c和晶胞体积V随着Er含量的增加都呈现递减的趋势 .随着Er含量的增加 ,(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的居里温度和饱和磁化强度都单调下降 .(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的室温各向异性由低Er含量时的易锥型转变为高Er含量时的易轴型 .x =0— 0 5的化合物在温度升高时发生自旋重取向转变 ,自旋重取向温度Tsr随Er含量的增加而减小 相似文献
104.
利用固相反应法制备了名义成分为Ca(Mn2 Cu1 )Mn4 O1 2 的类钙钛矿锰氧化物 .x射线衍射表明 ,为了获得较为致密的样品和减小杂相含量 ,可以采用高温烧结再在 10 73K长时间空气中退火的制备方法 .样品在低温下同时存在铁磁相和反铁磁相 ,由于反铁磁相的存在导致样品在 4 5K时的磁化强度显著降低 ,并在 8T的高磁场下仍未达到饱和 .样品呈半导体导电性质 ,在 85K和 6T磁场下磁电阻比的最大值可达 - 4 6 % . 相似文献
105.
使用高真空电子束蒸发在p型Si(1 0 0 )衬底上制备了高kHfO2 薄膜 .俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比 ;x射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的 ,高温退火后发生部分晶化 ;原子力显微镜和扫描电子显微镜检测显示在高温退火前后薄膜均具有相当平整的表面 ,表明薄膜具有优良的热稳定性 ;椭偏测得在 6 0 0nm处薄膜折射率为 2 0 9;电容 电压测试得到的薄膜介电常数为 1 9.这些特性表明高真空电子束蒸发是一种很有希望的制备作为栅介质的HfO2 薄膜的方法 相似文献
106.
Cr3+:MgAl2O4晶体EPR参量及其电子精细光谱的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
考虑了SS(Spin-Spin)作用和SOO(Spin-Other-Orbit)作用,采用完全对角化方法,结合自旋Hamiltonian理论,研究了Cr3+∶MgAl2O4晶体EPR参量及其吸收光谱,理论与实验符合甚好. 在此基础上,进一步研究了4A2(3d3)离子EPR参量的微观起源. 研究表明,EPR参量起源于四种微观机制:(1) SO(Spin-Orbit) 耦合机制;(2) SS耦合机制;(3)SOO耦合机制;(4) SO~SS~SOO总联合作用机制. 在这些机制中,SO机制是最主要的. 相似文献
107.
T′相R2CuO4稀土铜氧化合物由于尺度效应而产生弱铁磁性行为已经被人们关注,报导了通过高温高氧压(6GPa,1000℃)合成稀土T′相R2CuO4(R=Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Tm)化合物的结构和磁学性能。磁化率曲线显示,在低温下所有的高压增氧R2CuO4样品都出现新的低温弱铁磁性反常行为,转变温度在28K附近。新的低温弱铁磁性行为是由于CuO2面上微量氧空穴的掺入,使处于反铁磁有序CuO2面形成局域化的铁磁性团簇造成。实验证明新发现的低温弱铁磁性行为与尺度效应产生弱铁磁性行为属于完全不同的物理机制。结果还预示T′相R2CuO4稀土铜氧化合物很难通过空穴掺杂而实现超导。 相似文献
108.
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好,薄膜的电阻温度系数(TCR)最高可达4.23%/K.从成膜机理出发,较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为,单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度,使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原
关键词:
VO2多晶薄膜
离子束增强沉积
热电阻温度系数 相似文献
109.
报道了Pr(0.5):ZBLAN玻璃在双频双光束光源激发下的激发态上转换现象.发现上转换发射谱的荧光与常规荧光发射谱的荧光一致,还发现双频激发下的上转换激发谱有3个明显的谱峰,它们依此对应于788.5nm 1G4→3P2,850.5nm 1G4→1I6和805.0nm 3H6→1D2的激发态吸收跃迁,而大的850.5nm上转换激发谱峰是由大的1G4(Pr3+ )→1I6(Pr3+)跃迁的振子强度f=23.04×10-6所致.这说明起源于1G4能级的激发态吸收上转换尤其1G4(Pr3+)→1I6(Pr3+) 相似文献
110.
报导了Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体在不同温度下的吸收光谱和荧光光谱实验结果 ,研究发现由于电子_声子近共振耦合作用 ,Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体均存在有明显的振动谱 ,Yb :FAP晶体的零声子线在低温下还劈裂为相差 10cm- 1 的两条线 .采用激光选择激发技术研究了Yb3 离子在FAP和C3S2 _FAP晶体中的格位特征 ,结果表明Yb3 离子在这两种基质中都只占据Ca(Ⅱ )格位 ,但由于CaF2 的挥发 ,导致了Ca(Ⅱ )格位的局部畸变 . 相似文献