以SBA-16为模板电沉积生长多孔氧化铁纳米线阵列

采用电化学沉积法以Mn改性的三维体心立方结构的介孔SBA-16膜为模板制备Fe纳米线.沉积Fe后的SBA-16膜以2%HF溶解SiO₂骨架,样品于550℃焙烧4 h.SEM和TEM的研究结果显示,所制备的Fe₂O₃纳米线互相平行,孔径均匀.XRD、电子衍射及HRTEM研究表明Fe₂O₃纳米线具有(多孔)单晶结构.     

自发形核生长的AlN单晶湿法腐蚀研究

采用湿法腐蚀工艺,使用熔融态KOH和NaOH作为腐蚀剂,对一种物理气相传输(PVT)自发形核新工艺在2100~2250 ℃条件下生长的AlN单晶进行了腐蚀实验.通过实验及扫描电子显微镜(SEM)结果分析,得到了典型的AlN单晶c面、r系列面及m面最佳的腐蚀工艺参数及腐蚀形貌.另外,基于腐蚀形貌分析,发现了采用该自发形核新工艺生长的AlN晶体某些独特习性并计算出AlN单晶腐蚀坑密度(EPD).     

AFM电化学阳极氧化制备二氧化钛纳米线

当材料的微观尺度进入纳米量级后，由于量子效应，材料常常会显现出特殊的性能。因此近年来制备量子点、量子线，以及具有量子效应的量子器件受到深入的研究。一些新的纳米尺度加工技术如原子力显微镜(AFM)微细加工技术受到研究者的重视。     

无电沉积高密度钯金属纳米线阵列

利用介孔氧化硅薄膜作为模板,通过无电沉积路线在介孔薄膜孔道内合成了高密度钯金属纳米线阵列.利用介孔薄膜导向剂的疏水区作为载体,引进钯金属疏水化合物并经热解和还原,得到钯微粒,以此为催化中心引发无电沉积,避免了传统无电沉积复杂的工艺过程.结果表明,纳米线尺寸均一,长径比大于60,完全填充了介孔薄膜的孔道,并可通过介孔模板孔径的选择对纳米线直径加以调控.     

La0.8Ca0.2MnO3纳米线的制备及表征

利用Sol-gel法结合氧化铝模板技术制备了La0.8Ca0.2MnO3纳米线, 并研究了两种热处理方法对 La0.8Ca0.2MnO3纳米线结构和形貌的影响. 快速升温到800 ℃得到的La0.8Ca0.2MnO3纳米线较粗, 其直径大于氧化铝模板的孔径, 而经过缓慢升温到400 ℃预处理再升温到800 ℃得到的La0.8Ca0.2MnO3纳米线, 其直径和氧化铝模板的孔径相当, 都约为35 nm. X射线衍射和透射电镜分析结果表明, 两种方法得到的 La0.8Ca0.2MnO3纳米线都是具有钙钛矿结构的属于单斜晶系的多晶材料.     

液晶模板法制备Au纳米线

利用非离子表面活性剂C₁₂E₄的层状液晶作为模板,以氯金酸(HAuCl₄)水溶液作为体系的水相和反应物,并利用C₁₂E₄中EO基团的还原性制备了Au的纳米线.研究表明,反应物的浓度、液晶体系的组成和反应时间都将影响产物的形貌.在适当条件下,可以得到直径约为20nm,长度达到几微米的均匀金纳米线,并探讨了纳米线形成过程中层状液晶的模板作用.     

Fe-Co-Ni合金纳米线有序阵列的模板合成与磁性

以二次阳极氧化的氧化铝膜为模板，用电化学沉积的方法成功地合成了Fe-Co-Ni三组份有序纳米线阵列.扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜(TEM)观察表明纳米线表面光滑、有序、高长径比；磁性测量表明,其矫顽力较同组份的膜材料有较大的提高.将样品在惰性气体氛围中不同温度下退火，随着退火温度增加，其纵向矫顽力有一个极值，而对应的横向矫顽力没有类似的变化，关于这一现象的机理,本文进行了初步的讨论. 图5参15     

聚苯胺/介孔碳纳米线复合电极材料的制备和性能

以介孔碳纳米线为基体, 通过电化学方法制备了新型聚苯胺/介孔碳纳米线(PANI/MCFs)复合材料, 采用SEM和TEM等手段对样品的结构和形貌进行了表征. 结果表明, 聚苯胺均匀附在介孔碳纳米线表面, 并填充到纳米线介孔孔道中. 将复合材料组装成三电极体系超级电容器, 用循环伏安、 恒流充放电和交流阻抗等方法对材料的电化学性能进行了测试. 结果显示, 在1 mol/L H₂SO₄溶液中, 复合材料的比电容达到391 F/g, 其循环稳定性也得到显著提高.     

聚乙烯醇辅助合成CdS纳米线及其表征

以聚乙烯醇为辅助剂, 使用溶剂热法成功制备CdS纳米线, 并用XRD、TEM、HRTEM、UV-Vis和PL(荧光)发射谱等方法对样品进行表征. 结果表明, 该法制备的CdS纳米线为六方纤锌矿结构, 直径为70 nm, 长约10 μm, 沿[001]晶向择优生长, 具有量子禁域效应. 同时, 根据对比实验结果提出了CdS纳米线的聚合物辅助生长机理.     

Eu3+掺杂六方相-维纳米磷酸铈发光材料的合成与表征

以磷酸钠、硝酸铈、硝酸铕为原料,P123表面活性剂为模板,采用水热法,成功合成了Eu3＋掺杂的六方相CePO4一维纳米材料。通过XRD,TEM,PL表征,发现纳米线最长可以达到1μm左右,掺杂后的一维纳米材料,其荧光发射性能在波长为348 nm处得到了很大的提高,而形貌能够基本保持不变。通过比较发现,随着掺杂量的不断增加,其荧光发射强度出现了先增大后减小的变化趋势,其中以样品Ce0.99Eu0.01PO4的荧光发射性能最强。磷酸铈一维纳米材料以其优异的荧光发射性能,在光、电等领域具有潜在的应用价值。