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41.
Al/AlN多层膜的摩擦磨损性能研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用柱状靶磁控溅射系统制备Al/AlN纳米多层膜,采用纳米压痕仪测量Al/AlN纳米多层膜的纳米硬度,在UMT-2M型摩擦磨损试验机上评价其摩擦磨损性能.结果表明:当AlN层较厚时,薄膜在很短时间内被磨穿;调节Al/AlN层厚比为2.9/1.1时,薄膜的摩擦磨损性能明显提高;当保持Al/AlN层厚比为2.9/1.1、变化多层膜的调制周期时,薄膜的摩擦系数较低,但硬度较低的薄膜由于承载能力不够,不能够保持优良的摩擦磨损性能.  相似文献   
42.
本文采用ICP-AES法对钛基复合材料中的合金元素Al、Mo、B的测定进行研究,着重进行了基体元素对待测元素Al、Mo、B的干扰试验及各元素在测定浓度范围内线性相关性,进行了酸度试验,测定了钛基复合材料中上述三元素的含量,得到了较好的精密度和准确度。  相似文献   
43.
蒋生蕊  赵学应 《光学学报》1995,15(10):467-1470
研究了(Ti,Al)薄膜的光学特性,对其反射和透射光谱作了仔细分析。运用Hadley方程,算出一定成分(Ti,Al)N膜的折射率n,消光系数k随波长的变化关系。又根据透射曲线,计算出了(Ti,Al)N膜的光隙能。  相似文献   
44.
Using quantum mechanics GASTEP software package based on the first principle density function theory, the electronic structure and optical properties of Ga1−xAlxAs at different Al constituent are calculated. Result shows that with the increase of Al constituent, the band gap of Ga1−xAlxAs increases and varies from direct band gap to indirect band gap; the absorption band edge and the absorption peak move to high-energy side; the static reflectivity decreases. With the increasing of the incident photon energy, Ga1−xAlxAs shows metal reflective properties in certain energy range. With the increasing of Al constituent, static dielectric constant decreases and the intersection of dielectric function and the x-axis move towards high-energy side; the peak of energy loss function move to low-energy side and the peak value reduces.  相似文献   
45.
用量子化学从头算方法,分别以原子簇Cu5、Al4、Al10模拟Cu(100)和Al(111)表面,在不同基组水平上,计算了水在两种金属表面上倾斜吸附的热能面,结果表明:当计算基组中不含氧原子的d轨道时,得到水分子在金属垂直吸附的构型,这与实验结果不符;当水中氧原子加极化函数时,水分子倾斜吸附时能量较低,得到与实验相符的吸附构型。这说明水中氧原子d轨道在计算中起着关键作用,在成键过程中有着重要影响。  相似文献   
46.
利用第一性原理中的DFT理论研究了Fe/A1界面的能量学和电子结构,讨论了替位型掺杂的元素Zn、Mn、Ni在Fe/A1界面处的作用.结果表明:元素Zn、Mn、Ni都会优先替换界面处的Fe原子,使得界面结合能增加,体系更稳定,有利于界面的结合;跨界面的Fe原子与Al原子之间的电荷布居、键长以及差分电荷密度图的计算表明:掺杂后有利于跨界面的Fe-Al间成键,从而加强了Al层与Fe基体的结合,且结合强度由强到弱依次为:掺Zn〉掺Mn〉掺Ni;与实验比较吻合.最后对掺杂Zn的增韧机理加以解释.  相似文献   
47.
We report on an improvement in the crystal quality of GaN film with an Ino.17Alo.83N interlayer grown by pulsed metal-organic chemical vapor deposition, which is in-plane lattice-matched to GaN films. The indium composition of about 17% and the reductions of both screw and edge threading dislocations (TDs) in GaN film with the InA1N interlayer are estimated by high resolution X-ray diffraction. Transmission electron microscopy (TEM) measurements are employed to understand the mechanism of reduction in TD density. Raman and photoluminescence measurements indicate that the InA1N interlayer can improve the crystal quality of GaN film, and verify that there is no additional residual stress induced into the GaN film with InA1N interlayer. Atomic force microscopy measurement shows that the InA1N interlayer brings in a smooth surface morphology of GaN film. All the results show that the insertion of the InA1N interlayer is a convenient method to achieve excellent crystal quality in GaN epitaxy.  相似文献   
48.
张玲玲  张敏  史俊杰  贺勇  安婷 《发光学报》2018,39(4):507-514
基于第一性原理的密度泛函理论,研究了纤锌矿(In,Al)GaN合金的4种构型(均匀、短链、小团簇、团簇-链共存模型)的电子结构和发光微观机理。结果表明,在InGaN合金中,短In-N-链和小In-N团簇都局域电子在价带顶(VBM)态。当小团簇与短链共存时,前者局域电子的能力明显强于后者,是辐射复合发光中心。然而,在AlGaN合金中,电子在VBM态的局域受短Al-N链和小Al-N团簇的影响并不显著。合金微观结构的不同会引起电子局域的改变,从而影响材料的发光性能,并对带隙和弯曲系数有重要影响。  相似文献   
49.
Structural and optical properties of 1 at % Al-doped Zn1−xMgxO (x=0–8%) powders prepared by sol–gel method were systematically investigated by means of X-ray diffraction, scanning electron microscopy, ultraviolet–visible absorbance measurement, photoluminescence and Raman scattering spectra. All the powders retained the hexagonal wurtzite structure of ZnO. The band gap and near band emission energies determined from absorbance and photoluminescence spectra increased linearly with increasing Mg content, respectively, which implied that the Mg worked effectively on ZnO band gap engineering, irrespective of Al codoping. However, according to the PL and Raman scattering studies, for the sample of x=8%, the Al doping efficiency was decreased by higher Mg codoping. On the other hand, the effect of Mg codoping on photocatalytic degradation of methylene orange was explored experimentally. The substitution of Mg ions at Zn sites shifted the conduction band toward higher energies and then enhanced the photocatalytic activity, while the incorporation of interstitial Mg ions and decreased Al doping efficiency for higher Mg doping sample (x=8%) reduced the photocatalytic activity.  相似文献   
50.
Abstract

Hydrotalcite containing magnesium and aluminium (Mg–Al HT) with a molar ratio of Mg(II)/Al(III) = 2.5 has been prepared by a co-precipitation method using the effluent of a Friedel–Crafts acylation reaction. The HT was calcined at 500°C and reconstructed with deionized water. The synthesized HT was characterized by XRD and FT-IR spectroscopy and was successfully used as a catalyst in the Knoevenagel reaction of aldehydes and active methylene compounds. The catalyst was found to be reusable.  相似文献   
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