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22.
研究了掺Ba对Bi2Sr2-xBaxCaCu2Oy(0≤x≤0.15,0.3)单晶和多晶样品超导电性的影响,结果表明,有少量Ba2+离子进入了超导相,且有固溶度极限.对于2212相单晶,c轴参数和Tc均随Ba含量增加而增加;对于慢冷多晶样品,掺Ba可明显提高Tc;然而对于淬大多晶样品,Tc没有明显变化,用掺Ba
关键词: 相似文献
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Laser-diode excited intense upconversion luminescence of Er^3+ in bismuth-lead-germanate glasses 下载免费PDF全文
We have investigated infrared-to-visible upconversion luminescence of Er^3+ in bismuth-lead-germanate glasses. The UV cutoff wavelength is shortened while its lifetime is increased almost linearly, with PbF2 substituting for PbO in the bismuth-lead germanate glasses. Three emissions centred at around 529, 545 and 657 nm are clearly observed, which are identified as originating from the ^2H11/2→^4 I15/2,^4S3/2→^4 I15/2 and ^4 F9/2 →^4 I15/2 transitions, respectively. It is noted that all the upconversion emission intensities increase with PbF2 concentration increasing. The ratio between the intensities of red and green emissions increases with the increasing of PbF2 content. Energy transfer processes and nonradiative phonon-assisted decays account for the populations of the ^2 H11/2,^4 S3/2 and ^4F 9/2 levels. The quadratic dependence of fluorescence on excitation laser power confirms a two-photon process to contribute to the upconversion emissions. 相似文献
25.
Ti和Al共掺杂ZnS的电子结构和光学性质 总被引:1,自引:0,他引:1
基于密度泛函理论的第一性原理研究Ti和Al单掺杂和(Ti,Al)共掺杂ZnS的能带结构、电子态密度分布、介电函数、光学吸收系数,分析了掺杂后电子结构与光学性质的变化.计算结果表明:掺杂后禁带中引入了新的杂质能级,费米能级进入导带.掺杂改变了ZnS晶体的导电特性,使它表现出金属特性,导电性能增强;与纯净ZnS相比,Ti单掺杂和(Ti,Al)共掺杂ZnS的吸收边均出现明显的红移,且在1.79eV左右出现了一个新峰;而Al单掺杂ZnS的吸收边则发生明显的蓝移,且不产生新的吸收峰. 相似文献
26.
邱宇 《原子与分子物理学报》2013,30(6)
基于扩展Su-Shrieffer-Heeger (SSH)模型,通过自洽计算的数值方法,研究了共轭高聚物链表现为孤子态和大极化子态两种不同晶格形态时链内的杂质分布情况,计算结果显示,分立的畴壁可导致高聚物链中形成多个稳定的势阱,有利于杂质在链中聚集分布。此外,还研究了在较高浓度的掺杂条件下,共轭高聚物链内的杂质分布规律。结果显示,杂质倾向于在中心区形成高浓度分布,而在链端区,杂质更倾向于离散分布。该研究表明,高浓度掺杂下杂质分布具有稳定的特征,晶格形态对杂质分布具有显著的影响,这些结论可为实验上操控杂质在共轭高聚物中的分布提供一定的帮助。 相似文献
27.
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利用基于密度泛函理论的第一性原理对不同P掺杂形式(P替位Ti, P替位O, 间隙P)的锐钛矿相TiO2的晶格常数、电荷布居、能带结构、分态密度和吸收光谱进行了计算. 结果表明, P替位Ti时, TiO2体积减小, P替位O和间隙P的存在使TiO2的体积膨胀; 替位Ti的P和间隙P均有不同程度的氧化, 而替位O的P带有负电荷. 三种P掺杂形式均导致锐钛矿相TiO2禁带宽度的增大, 并在TiO2禁带之内引入了掺杂局域能级. P掺杂导致TiO2禁带宽度增大的程度依次为: 间隙P>P替位Ti>P替位O. 吸收光谱的计算结果表明, P替位Ti并不能增强TiO2的可见光吸收能力, 但间隙P的存在大幅提高了TiO2的可见光光吸收能力, 间隙P有可能是造成实验上P掺杂增强锐钛矿相TiO2光催化活性的重要原因.
关键词:
P掺杂
2')" href="#">锐钛矿相TiO2
第一性原理 相似文献
30.
采用化学浴沉积(CBD)法在FTO(SnO2∶F)/Glass衬底上制备了Cu掺杂的CdS薄膜.用电感耦合等离子体-原子发射光谱(ICP-AES)测得不同Cu掺杂浓度的薄膜中Cu/Cd原子比分别为0.5%、1.5%、5%.分别用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、光致发光谱(PL)、紫外-可见-近红外反射透射谱对薄膜样品进行表征.研究了Cu掺杂对CdS薄膜的晶体结构,微观形貌以及体内点缺陷的影响.用Cu掺杂的CdS薄膜作为N型层制备CdTe太阳能电池,研究了CdS层中Cu对电池性能的影响. 相似文献