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51.
1引言大粘度(大r)和大系数(ss和sc)法是处理流动区域中障碍物的常用方法山。但当流动区域中障碍物数量较多时,宜采用空隙率来模拟障碍物,如模拟反应堆流动传热的商用程序COMMIX[’]。我们根据空隙率模拟的基本概念,针对采用交错网格的压力校正法,自行编制了多障碍物流动传热三维计算的全部源程序代码,应用于某核反应堆钠池流动传热的数值模拟,获得了比较合理的结果。2数学模型和数值方法2.1控制方程空隙率修整的质量、动量、能量及湍流动能与耗散率的守恒方程通式的三维柱坐标形式为其中中一1,。,。,。,T,k,。分别表… 相似文献
52.
在乙醇-水混合溶液中,1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基吡唑酮-5与Nd(Ⅲ),Eu(Ⅲ),Ho(Ⅲ)等及乙醇形成了萃合物,使萃取分配比明显提高。利用斜率法研究了萃取机理。借助红外(IR)、元素分析、热分析(TG-DTA)等手段对萃合物进行了表征。 相似文献
53.
54.
研究了Gd_xY_(1-x)P_5O_(14):Ce_(0.01),Tb_(0.02)体系中Gd的子晶格在Ce→Gd→Tb能量传递中的中介作用规律及GdP_5O_(14),GdP_5O_(14):Ce,GdP_5O_(14):Tb和Gd_xY_(1-x)P_5O_(14):Ce,Tb的荧光光谱、激发光谱。结果表明,当x>0.7时,结构从单斜Ⅱ(C2/c)的层状结构变为单斜I(P2_1/c)的带状结构,Ce ̄(3+)的发射光谱和Gd ̄(3+)的吸收光谱交迭增加等是Ce ̄(3+)→Gd ̄(3+)→Tb ̄(3+)能量传递几率增加的主要原因。 相似文献
55.
56.
采用固-液两相混合,使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd:YVO4多晶原料,降低固相合成反应温度,减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件,采用提拉法,以(100)方向进行单晶生长,得到一系列掺杂浓度的Nd:YVO4单晶。 相似文献
57.
当代科技发展的主流是综合化、整体化,表现出各学科之间互相渗透、相互交叉的趋势.开展综合测试,有利于打破学科间的隔离状态,给学生提供完整的世界图像; 相似文献
58.
关于PFI-代数与剩余格 总被引:10,自引:0,他引:10
本文提出了一种强FI代数-PFI代数,并且深入研究了它的性质,借此进一步揭示了FI-代数和剩余格之间更加密切的联系,进而以FI-代数为基本框架建立了R0-代数、正则剩余格等逻辑系统的结构特征(包括对隅结构)及其相互关系.这种以FI-代数为基础来统一处理剩余格和R0-代数的方法,同样适合于格蕴涵代数和MV代数等代数结构,而且从中更能清楚地看出它们之间的密切联系,也将有助于对相应形式逻辑系统与模糊推理的研究. 相似文献
59.
着生刚毛藻处理富营养化湖泊水 总被引:8,自引:0,他引:8
分别研究了室内和露天条件下在鹅卵石上着生的刚毛藻Cladophora oligoclona对富营养化湖水中氮(N)和磷(P)的净化效果及其对水华藻类生长的抑制能力,同时对处理后湖水的藻类生长潜力进行了测试.结果显示,刚毛藻在原始浓度总氮(TN)10.512 mg/L和总磷(TP)0.856 mg/L的富营养化湖水中能维持正常的生长代谢,并能有效去除水体中的N、P养分.在室内12 d培养期间,刚毛藻对TN、氨氮(NH4-N)、TP和无机磷(PO4-P)的平均去除率分别达53.13%,44.40%,35.71%和30.53%.在室外6 d培养期间,刚毛藻对TN、NH4-N、TP和PO4-P的日均减少量分别为1.643 5±0.413 9,1.350 3±0.352 4,0.113 7±0.041 1,0.074 2±0.033 0 mg/L,总去除率分别高达93.81%,94.62%,79.67%和77.66%.刚毛藻对水华微囊藻生长的抑制率达99.63%,处理后湖水的藻类生长潜力较原湖水下降了40.17%.据此认为,刚毛藻在净化污染水体、修复受损湖泊及防治水体富营养化等方面具有潜在的应用前景. 相似文献
60.
We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics. 相似文献