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161.
以铝酸镧(001)单晶为基片,采用两步法制备Tl2Ba2CaCu2Oy(Tl 2212)高 温超导薄膜.首先,利用脉冲激光沉积(PLD)工艺沉积Ba2CaCu2Ox非晶前驱体薄膜;然后,前驱体薄膜在高温(720—850℃)下密封钢容器里铊化结晶形成Tl 2212薄膜.XRD结果表明Tl2212 薄膜是沿c轴方向生长的,其相组成为Tl 2212,摇摆曲线(0012)的半高宽为0.72° ,SEM图像显示其表面光滑平整,其零电阻温度为106.2K.
关键词:
Tl 2212超导薄膜
脉冲激光沉积 相似文献
162.
利用固相反应法制备了名义成分为Ca(Mn2 Cu1 )Mn4 O1 2 的类钙钛矿锰氧化物 .x射线衍射表明 ,为了获得较为致密的样品和减小杂相含量 ,可以采用高温烧结再在 10 73K长时间空气中退火的制备方法 .样品在低温下同时存在铁磁相和反铁磁相 ,由于反铁磁相的存在导致样品在 4 5K时的磁化强度显著降低 ,并在 8T的高磁场下仍未达到饱和 .样品呈半导体导电性质 ,在 85K和 6T磁场下磁电阻比的最大值可达 - 4 6 % . 相似文献
163.
实验确定了自行研制的L波段三维电子自旋共振成像(3D-ESRI)系统的检测灵敏度及成像分辨率指标. 用Tempo水溶液模型测量灵敏度结果表明: 样品体积为10 mm, 高30 mm,测量浓度1×10-4 mol/L水溶液的信噪比为S/N=4∶1;加梯度磁场后,样品浓度需>5×10-4 mol/L,样品体积为19 mm, 高30 mm时,获得的投影谱的信噪比可满足图像重建的需要. 用DPPH固体样品确定的成像分辨率结果<1 mm. 文中还对ESRI系统的
各项总体性能做了归纳总结. 相似文献
各项总体性能做了归纳总结. 相似文献
164.
Cr3+:MgAl2O4晶体EPR参量及其电子精细光谱的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
考虑了SS(Spin-Spin)作用和SOO(Spin-Other-Orbit)作用,采用完全对角化方法,结合自旋Hamiltonian理论,研究了Cr3+∶MgAl2O4晶体EPR参量及其吸收光谱,理论与实验符合甚好. 在此基础上,进一步研究了4A2(3d3)离子EPR参量的微观起源. 研究表明,EPR参量起源于四种微观机制:(1) SO(Spin-Orbit) 耦合机制;(2) SS耦合机制;(3)SOO耦合机制;(4) SO~SS~SOO总联合作用机制. 在这些机制中,SO机制是最主要的. 相似文献
165.
以三能级V型系统为例研究修饰态布居的选择性激发对无反转激光增益的作用. 当非 相干驱动场的频谱宽度远小于驱动场产生的修饰态能级的间距时,非相干驱动场只将一个修 饰态的布居抽运至激发态. 借助原子的衰减通道,系统中形成单向布居转移通道,从而建立 修饰态布居的选择性激发. 利用修饰态布居的选择性激发,可以摆脱裸态共振无反转激光的 三个限制: (1) 不再要求辅助的低频驱动跃迁比高频激光跃迁具有更高的衰减速率;(2) 显 著降低非相干激发速率的阈值;(3) 无反转激光的线性增益不再反比于相干驱动场的强
关键词:
修饰态布居的选择性激发
无反转激光增益
原子衰减速率
非相干激发阈值速率 相似文献
166.
根据有限元法单元划分的思想,提出了一种新颖的模拟光腔模式及光束传输的特征向量法. 该方法的关键之处在于基于衍射积分理论构造了一种新的光束传输矩阵,通过求解特征矩阵方程可一次性得到谐振腔的一系列特征向量,每一列特征向量即代表了腔镜上光场的一个确定模式的振幅及相位分布. 并可采用该方法模拟光场传输到腔内或腔外任意地方的场分布. 该方法将传统方法中大量的迭代过程转化成为本征积分方程特征向量的求解过程,并与初值取值无关,且可一次性求得多个模式分布,从而可方便地分析谐振腔的模式鉴别能力. 特征向量法对圆形镜共焦
关键词:
谐振腔
特征向量法
模式分布 相似文献
167.
168.
在等离子体增强化学气相淀积系统中,采用aSi:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了aSi:H/SiO_2多层膜.在激光诱导限制结晶原理基础上,使用KrF准分子脉冲激光为辐照源,对aSi:H/SiO_2多层膜进行辐照,使纳米级厚度的aSi:H子层晶化.Raman散射谱和电子衍射谱的结果表明,经过激光辐照后纳米Si颗粒在原始的aSi:H子层内形成,晶粒尺寸可以根据aSi:H层的厚度精确控制.还研究了样品的光致发光(PL)特性以及激光辐照能量密度对PL性质的影响.
关键词:
脉冲激光
多层膜
限制结晶 相似文献
169.
报导了Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体在不同温度下的吸收光谱和荧光光谱实验结果 ,研究发现由于电子_声子近共振耦合作用 ,Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体均存在有明显的振动谱 ,Yb :FAP晶体的零声子线在低温下还劈裂为相差 10cm- 1 的两条线 .采用激光选择激发技术研究了Yb3 离子在FAP和C3S2 _FAP晶体中的格位特征 ,结果表明Yb3 离子在这两种基质中都只占据Ca(Ⅱ )格位 ,但由于CaF2 的挥发 ,导致了Ca(Ⅱ )格位的局部畸变 . 相似文献
170.