首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   10008篇
  免费   2962篇
  国内免费   5885篇
化学   10859篇
晶体学   1159篇
力学   315篇
综合类   280篇
数学   503篇
物理学   5739篇
  2024年   93篇
  2023年   324篇
  2022年   452篇
  2021年   530篇
  2020年   391篇
  2019年   492篇
  2018年   362篇
  2017年   478篇
  2016年   513篇
  2015年   598篇
  2014年   642篇
  2013年   924篇
  2012年   818篇
  2011年   843篇
  2010年   783篇
  2009年   774篇
  2008年   998篇
  2007年   931篇
  2006年   1047篇
  2005年   977篇
  2004年   992篇
  2003年   810篇
  2002年   691篇
  2001年   653篇
  2000年   388篇
  1999年   344篇
  1998年   340篇
  1997年   216篇
  1996年   216篇
  1995年   195篇
  1994年   207篇
  1993年   127篇
  1992年   145篇
  1991年   192篇
  1990年   148篇
  1989年   137篇
  1988年   43篇
  1987年   19篇
  1986年   6篇
  1985年   12篇
  1984年   1篇
  1983年   2篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 78 毫秒
51.
介绍了三基色计算全息图的设计与制作,用白光光源照明该全息图,可以演示光的叠加,再现彩色图像并给出了理论分析和相应的实验结果。  相似文献   
52.
We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.  相似文献   
53.
正在研制的上海激光电子γ源是MeV量级的高品质γ光束线站,基于该装置可以开展一系列核天体物理实验, 从而更准确的确定各天体核合成反应的反应率. 本文研究了天体核合成中的关键反应12C(α,γ)16O的反应率. 根据多组实验和理论截面数据分别计算了反应率, 并给出了这些反应率计算结果的平均值和统计误差. 根据该结果拟合了理论反应率的解析形式, 确定了新的参数. 进而给出俘获反应12C(α,γ)16O在He燃烧环境下的反应率和误差, 并讨论了电子屏蔽效应对天体反应率的修正.  相似文献   
54.
上海光源储存环束流托歇克寿命研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
上海同步辐射装置(SSRF)是目前在建的第3代专用同步辐射光源. 其储存环电子能量3.5GeV, 设计束团发射度3.9nm•rad. 托歇克寿命将是影响束流寿命的最主要因素, 它主要受限于储存环的能量接受度. 储存环的能量接受度不但取决于 高频电压, 同时也受动力学孔径和物理孔径的影响. 因此能量接受度的计算将是复杂的. 通过计算机模拟跟踪的方法计算储存环各点的能量接受度, 其程序是建立在Accelerator Toolbox(AT)基础上的自编程序. 通过这些能量接受度数据给出更加准确的托歇克寿命, 并且分析了感兴趣的不同运行条件下的托歇克寿命的变化情况.  相似文献   
55.
56.
痕量铝在硝酸介质中能催化加速过氧化氢和高碘酸钾与二甲苯胺兰FF之间的褪色反应。研究了反应的最佳实验条件,建立了测定痕量铝的新方法。方法检出限为6.1×10-10gAl3+/mL,检测范围为0-1.0μgAl3+/25mL。本方法具有高灵敏度,选择性较好,操作简便,快速的特点。用以测定水样中的痕量铝,获得满意结果。  相似文献   
57.
红光激发下掺Ho3+氟化物薄膜的上转换发光   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用激光脉冲沉淀法制备了稀土Ho~(3 )掺杂的氟化物薄膜。观测到处于薄膜中的Ho~(3 )离子在632.8nm红光激发下的上转换发射。这些上转换发射包括:~5S_2→~5I_7,~5F_4→~5I_7和~5S_2→~5I_8。  相似文献   
58.
蒋建生  戴闻 《大学物理》2003,22(3):30-34
回顾了超流发现的历史,介绍了超流的一些现象、理论以及新近的研究结果。强调指出超流与超导一样是一种宏观量子现象。  相似文献   
59.
关于Pn3的优美性   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
设G(V,E)是一个简单图,对自然数k,当V(Gk)=V(G,E(Gk)=E(G)∪{uv|d(u,v)=k},则称图Gk为k-次方图,本文证明了图Pn3的优美性。  相似文献   
60.
用密度泛函B3LYP/ 6 3 1G(d)方法 ,对质子化丙酮分子团簇 (CH3COCH3) nH+ (n =1~ 7)弱相互作用体系进行了全自由度能量梯度优化 ,得到了该系列团簇的稳定结构及其对应的体系能量 .通过对构型的分析得出了质子化丙酮分子团簇 (CH3COCH3) nH+ (n =1~ 7)的生长规律 .计算了中性丙酮分子团簇体系的质子亲合能并总结出其变化趋势 .分析讨论了质子化团簇的红外振动光谱 ,发现质子化团簇的振动光谱普遍较中性环型团簇的振动光谱复杂 ,最强的振动峰来源于质子在溶剂壳中两个氧原子之间的振动 ,而且随着团簇尺寸的增加羰基的伸缩振动峰的数目也随之增多  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号