Recombination Efficiency in Double-Layer Organic Light-Emitting Devices

We analyse the influence of properties of organic/organic interface (OOI) on the characteristics of recombination efficiency of organic double-layer light-emitting diodes. Based on the disordered hopping theory model, spatial and energetic disorder of hopping states are also discussed for the case of space charge limited currents in hole transmitting layers but injection-limited currents in electron transporting layers. The results show that the recombination efficiency increases firstly and then decreases for different OOI parameters, and there is a maximum value changed with different spatial disorder parameters and energetic disorder scale. Different spatial disorder parameters make carrier mobilities change greatly, and the energetic disorder scale causes various localized state densities. Our calculated results are qualitatively in agreement with the experimental data.     

关于Banach空间中凸泛函的广义次梯度不等式

本文在前人^[1,2]的基础之上，以凸泛函的次梯度不等式为工具，将Jensen不等式推广到Banach空间中的凸泛函，导出了Banach空间中的Bochner积分型的广义Jensen不等式，给出其在Banach空间概率论中某些应用，从而推广了文献[3—6]的工作．     

Radiative Lifetimes of Doubly Ionized Terbium

Radiative lifetimes of two short-lived levels （i.e. 4f^8 （TF6）6p^1/2 （6, 1/2）11/2,13/2） in Tb Ⅲ are measured by time-resolved laser-induced fluorescence （LIE） technique with a two-step excitation process. Free Tb Ⅲ ions are produced in a laser-induced plasma. Lifetime values are evaluated with a deconvolution procedure of the timeresolved fluorescence signal with the temporal shape of second-step excitation pulse （about 1 ns）. The lifetimes of the 4f^8 （^7F6）6p^1/2 （6, 1/2）11/2 and 4f^8（^7F6）6p^1/2 （6, 1/2）13/2 levels are determined to be 1.9 （2） and 2.0 （2）ns, respectively.     

介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响

针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺，采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表明：随着等离子体密度的增高，表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加，而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小. 关键词： 等离子体浸没离子注入 脉冲鞘层 绝缘介质 充电效应     

Yb3+掺杂铝氟磷酸盐玻璃的光谱和激光性能

研究了Yb3 掺杂铝氟磷酸盐 (AFP)玻璃的吸收光谱、荧光光谱 ,测量了Yb3 离子的荧光有效线宽 (Δλeff>5 5nm)以及2 F5 2 能级的荧光寿命 (τmax=2ms)及随掺杂浓度的变化 .应用倒易法计算了Yb3 的发射截面 ,其发射截面可达 0 6 6 82 3pm2 ,且激光增益系数τfσemi达 1 2 89ms.pm2 .评估了Yb3 在AFP玻璃中的激光性能 ,发现其具有较理想的激发态最小粒子数 (0 15 )、饱和抽运强度 (8 3kW cm2 )和最小抽运强度 (1 2 4 5kW cm2 )值及良好的热稳定性 .研究结果表明掺Yb3 氟磷酸盐玻璃是实现高功率超短可调谐激光器的理想增益介质 .     

能量回收型直线加速器

 能量回收型直线加速器(EnergyRecoveringLinacs,简称ERL),是一种新型的、发展中的加速器,它具有直线加速器的优质束流性能,具有接近环型加速器的高效率。已在自由电子激光等方面投入应用,并具有多方面的发展和应用前景。一、由来和优势我们知道,高频电子直线加速器是用高频电场加速沿直线轨道运动的电子束的装置。通常,电子束只通过直线加速结构一次,在达到要求的能量后,即离开直线加速器,或直接用于科学实验、医学放疗、材料辐照、自由电子激光驱动等;或注入到环型加速器中继续加速和积累,用于同步辐射光源或高能物理实验等。     

强流四脉冲电子束源实验研究

 为了进行强流多电子束源研究，对现有2MeV LIA 注入器进行了四脉冲改造，二极管脉冲电压约500kV。实验研究了天鹅绒阴极在四脉冲条件下的发射能力、传导电流负载效应以及阴极等离子体运动对阴极电子发射和束能量的影响。利用空间电荷限制流模型推算出阴极等离子体膨胀速率在1 ~4cm/μs之间。     

喷气Z箍缩内爆等离子体的雪铲模型

 在喷气Z pinch内爆等离子体研究中，雪铲模型是一种常用的、比较简单的物理模型。根据实验中提供的电流波形，负载线质量和初始半径，可以通过雪铲模型来估算内爆到心的时刻。根据一维运动方程和不同构形下的解析解以及部分实验结果相结合，讨论了雪铲模型的适用范围。数值计算的内爆时间和实验（Gamble II, Double EAGLE, BLACKJACK 5）测量值符合得较好。结果表明，雪铲模型在喷气Z pinch实验的负载优化设计研究中是很有参考价值的方法。     

多小波子空间上的单小波表示

本文在较弱的条件下,建立了2重多小波子空间与单小波子空间的关系.即由2重多小波构造出单小波.一方面,这种单小波的平移伸缩与2重多小波的平移伸缩生成的子空间是完全相同的;另一方面,它具有插值性.因此通过构造出的单小波建立了多小波子空间上的Shannon型采样定理.     

SiC多型体X射线定量分析的Rietveld方法

鉴于ＳｉＣ多型体的主要衍射线完全重叠，用常规Ｘ射线粉末衍射方法确定ＳｉＣ陶瓷材料中多型体含量的分布是非常困难的，提出以Ｘ射线粉末衍射全谱拟合的Ｒｉｅｔｖｌｄ方法进行ＳｉＣ多型体定量分析，阐述了原理及方法，对含３Ｃ，４Ｈ，６Ｈ和１５Ｒ４种多型体衍射数据的定量分析结果表明，Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法可对ＳｉＣ材料中常见多型体的定量分析给出准确的结果，还给出了各自的标准偏差，并估计了该方法对各多型体能给出精确