Yb~(3 )掺杂四磷酸盐玻璃光谱研究

制备了Yb3 掺杂四磷酸盐玻璃 ,以实测的吸收光谱及荧光光谱计算了Yb3 在四磷酸盐玻璃中各光谱性能参数和激光性能参数 ,以荧光捕获效应讨论了倒易法和Fuchtbaucr Ladenbury公式之间的计算差异 .此外 ,还进一步讨论了Yb3 在四磷酸盐玻璃中各性能参数的浓度效应以及OH基对Yb3 发光的影响 .研究表明Yb3 掺杂四磷酸盐玻璃具有相当优良的光谱和激光性能参数 .     

透射式GaAs光电阴极的X射线衍射研究

本文介绍了高精度多晶多反射X射线衍射仪的一种新的应用.首次将其应用于研究高灵敏度第三代微光象增强器中由掺Zn的p型GaAs/GaAlAs、玻璃组成的光电阴极的材料特性；发展了用倒格子空间衍射图方法评价光电阴级组件晶体质量的方法.通过分析得知,衍射强度在倒格子空间沿。方向展宽主要起因于晶体中的嵌镶效应的增强.文中采用衍射动力学理论的计算方法并忽略初始条件,模拟后得到的曲线与衍射强度沿ω/θ方向的投影强度曲线符合的比较好.粘接良好的阴极样品表明,GaAs/GaAlAs晶格常数的变化基本上可以消除,但粘接引起的嵌镶效应的增强却不能完全消除.     

Effects of Si-doped GaAs layer on optical properties of InAs quantum dots

We have investigated the optical properties of InAs self-assembled quantum dots (SAQDs) with the Si-doped GaAs barrier layer. Two types of samples are fabricated according to the position of the Si-doped GaAs layer. For type A samples the Si-doped GaAs layer is grown below the QDs, whereas for type B samples the Si-doped GaAs layer is grown above the QDs. For both types of samples the excited-state emissions caused by state filling are observed in photoluminescence (PL) spectra at high excitation power densities. The bandgap renormalization of QDs can be found from the shift of the PL peak energy. Particularly, for type A samples the Si atoms act as nucleation centers during the growth of InAs QDs on the Si-doped GaAs layer and affect the density and the size of the QDs. The Si-doped GaAs layer in type A samples has more effects on the properties of QDs, such as state filling and bandgap renormalization than those of type B samples.     

透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究

通过研究指数掺杂GaAs光电阴极中光电子扩散漂移长度与均匀掺杂GaAs光电阴极中光电子扩散长度的差异,确定透射式指数掺杂GaAs光电阴极的最佳厚度范围为16—22 μm.利用量子效率公式对透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度进行了仿真分析,发现厚度为20 μm时阴极积分灵敏度最大.外延生长阴极厚度分别为16和20 μm的两种透射式指数掺杂GaAs样品并进行了激活实验,测得样品的积分灵敏度分别为1228和1547 μA/lm,两者的比值为796%. 实验结果与仿真结果符合. 关键词： GaAs光电阴极 透射式 指数掺杂 厚度     

用于高功率激光装置中的电脉冲整形系统

采用射频GaAs场效应管和微带传输线技术,研制出用于高功率激光装置中的电脉冲整形系统.该系统电脉冲整形宽度为3.5 ns,幅度在0~5 V范围内调节,时域调整精度200 ps.整形后的方波,前沿383 ps,后沿642 ps,顶部不平坦度4~5%,波形幅度稳定性4~5%（p-p).利用该系统产生的整形电脉冲驱动电光波导调制器进行激光脉冲整形,得到了理想的整形激光脉冲.     

Passively Q-switched Self-frequency Doubling NYAB laser with GaAs Saturable Absorber

By using a passive Q-switch with GaAs saturable absorber, the Q-switched self-frequency doubling NYAB laser at 0.531μm has been successfully realized. The pulse width and the single pulse energy are measured. The numerical solutions of the coupling wave rate equations are in agreement with the experimental results.     

Yb3+/Er3+共掺锗碲酸盐玻璃上转换发光增强机理的研究

玻璃的最大声子能量决定稀土离子的上转换发光强度，但本研究发现：Yb^3 ／Er^3 共掺锗碲酸盐玻璃在980nm LD抽运下，上转换荧光强度随着Bi2O3对PbO的取代和碱金属离子半径的增大而明显增强．而Raman光谱显示基质玻璃的最大声子能量并不随Bi2O3对PbO的取代和碱金属离子半径的增大而变化，但玻璃的最大声子密度随着Bi2O3对PbO取代和碱金属离子半径的增大而降低．从玻璃无辐射跃迁概率的角度，通过分析表明，最大声子密度的降低是玻璃上转换发光强度增强的主要原因．     

GaAs 微尖阵列的制备与场发射性能

利用选择液相外延的方法制备GaAs微尖阵列,通过扫描电子显微镜对微尖形貌进行了表征,并对此微尖阵列进行了场发射性能测试。结果表明,选择液相外延法制备的GaAs微尖呈金字塔状,两对面夹角为71°;微尖高度由生长窗口的尺寸决定,对底边为60μm的微尖,其高度约为42μm。此微尖阵列排列规则,具有场发射特性,开启电场约为5.1V/μm。发射电流稳定,当电场由8.0V/μm增加到11.9V/μm,发射电流由6μA增到74μA,在发射时间超过3h的情况下,电流波动不超过3%。另外,GaAs微尖阵列场发射的F-N曲线不为直线,分析表明是表面态和场渗透共同作用的结果。这对GaAs微尖阵列在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的意义。     

GaAs1—xPx：EL2（x=0—0／08）光猝灭截面谱的温度依赖性

对实测ＧａＡｓ１－ｘＰｘ合金（ｘ＝０，０．０４和０．０８）三个样品中ＥＬ２中心的光猝灭截面谱σ的温度依赖性进行了研究。     

Modulation of absorption and refractive index in Er3 -doped fibers

Modulation of the absorption and refractive index in Er³⁺-doped fibers for a signal wavelength in the 1550-nm band and a pump wavelength of 980 nm is investigated. The experimental results are compared with a model that takes into account optical transitions between the ground state and the metastable state in Er³⁺. Good agreement between the experiment and the model is obtained apart from a wavelength-independent constant in the refractive index modulation, which is discussed.